IRL60SL216 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - IRL60SL216 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 298 A, 0.00195 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 298A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET HEXFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00195ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 891 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 273.42 грн |
| 5+ | 268.34 грн |
| 10+ | 262.42 грн |
| 50+ | 238.96 грн |
| 100+ | 215.50 грн |
| 250+ | 211.14 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRL60SL216 INFINEON
Description: INFINEON - IRL60SL216 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 298 A, 0.00195 ohm, TO-262, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 298A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: TO-262, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET HEXFET Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00195ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції IRL60SL216 за ціною від 349.20 грн до 808.18 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRL60SL216 | Виробник : International Rectifier |
Description: IRL60SL216 - 12V-300V N-CHANNEL Packaging: Bulk Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15330 pF @ 25 V |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IRL60SL216 | Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS |
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRL60SL216 - IRL60SL216 12V-300V N-CHANNEL POWER MOS tariffCode: 85423990 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 523 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IRL60SL216 | Виробник : Infineon / IR |
MOSFET 60V, 298A, 1.95 mOhm 170 NC Qg |
на замовлення 528 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IRL60SL216 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 298A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube |
товару немає в наявності |