IRL60SL216 International Rectifier
Виробник: International Rectifier
Description: IRL60SL216 - 12V-300V N-CHANNEL
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15330 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-262-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Bulk
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRL60SL216 International Rectifier
Description: INFINEON - IRL60SL216 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 298 A, 1950 µohm, TO-262, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 298A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, Verlustleistung: 375W, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018), Bauform - Transistor: TO-262, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET HEXFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1950µohm.
Інші пропозиції IRL60SL216 за ціною від 282.17 грн до 652.71 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRL60SL216 | INFINEON |
Description: INFINEON - IRL60SL216 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 298 A, 1950 µohm, TO-262, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 298A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V Verlustleistung: 375W SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) Bauform - Transistor: TO-262 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1950µohm |
на замовлення 869 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRL60SL216 | Infineon / IR |
MOSFET 60V, 298A, 1.95 mOhm 170 NC Qg |
на замовлення 528 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IRL60SL216 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRL60SL216 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 298 A, 1950 µohm, TO-262, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 298A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1950µohm
Description: INFINEON - IRL60SL216 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 298 A, 1950 µohm, TO-262, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 298A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1950µohm
на замовлення 869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 652.71 грн |
| 5+ | 519.41 грн |
| 10+ | 452.75 грн |
| 50+ | 357.77 грн |
| 100+ | 287.75 грн |
| 250+ | 282.17 грн |
| IRL60SL216 |
|
Виробник: Infineon / IR
MOSFET 60V, 298A, 1.95 mOhm 170 NC Qg
MOSFET 60V, 298A, 1.95 mOhm 170 NC Qg
на замовлення 528 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)