IRL610A FAIRCHILD


FAIRS02249-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: FAIRCHILD
03+
на замовлення 6000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRL610A FAIRCHILD

Description: MOSFET N-CH 200V 3.3A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.65A, 5V, Power Dissipation (Max): 33W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRL610A

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRL610A IRL610A Виробник : Fairchild Semiconductor FAIRS02249-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 200V 3.3A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.65A, 5V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 25 V
товар відсутній
IRL610A IRL610A Виробник : onsemi / Fairchild FAIRS02249-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MOSFET 200V N-Channel a-FET Logic Level
товар відсутній