IRL6342TRPBF

IRL6342TRPBF Infineon Technologies


infineon-irl6342-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 9.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+12.16 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRL6342TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRL6342TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 9.9 A, 0.0146 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0146ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IRL6342TRPBF за ціною від 13.01 грн до 58.46 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRL6342TRPBF IRL6342TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irl6342-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 9.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
47+15.56 грн
48+15.31 грн
49+15.06 грн
50+14.29 грн
100+13.01 грн
Мінімальне замовлення: 47
В кошику  од. на суму  грн.
IRL6342TRPBF IRL6342TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irl6342-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 9.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 10625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1421+22.35 грн
10000+19.93 грн
Мінімальне замовлення: 1421
В кошику  од. на суму  грн.
IRL6342TRPBF IRL6342TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRL6342_DataSheet_v01_01_EN-3363470.pdf MOSFET MOSFT 30V 9.9A 14.6mOhm 2.5V cpbl
на замовлення 5458 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+45.89 грн
10+39.11 грн
100+23.59 грн
500+20.14 грн
1000+16.46 грн
2000+15.12 грн
4000+14.26 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRL6342TRPBF IRL6342TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012837823-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRL6342TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 9.9 A, 0.0146 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0146ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+58.46 грн
22+41.76 грн
100+29.01 грн
500+22.53 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
IRL6342TRPBF IRL6342TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irl6342-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 9.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL6342TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irl6342pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565ffb7a2577 IRL6342TRPBF SMD N channel transistors
на замовлення 3628 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+50.32 грн
61+19.00 грн
168+17.93 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRL6342TRPBF IRL6342TRPBF Виробник : Infineon Technologies irl6342pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565ffb7a2577 Description: MOSFET N-CH 30V 9.9A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.6mOhm @ 9.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1025 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL6342TRPBF IRL6342TRPBF Виробник : Infineon Technologies irl6342pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565ffb7a2577 Description: MOSFET N-CH 30V 9.9A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.6mOhm @ 9.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1025 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.