IRL6342TRPBF Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 47+ | 16.06 грн |
| 48+ | 15.81 грн |
| 49+ | 15.55 грн |
| 50+ | 14.75 грн |
| 100+ | 13.43 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRL6342TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRL6342TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 9.9 A, 0.0146 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0146ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IRL6342TRPBF за ціною від 22.05 грн до 24.73 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRL6342TRPBF | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 30V 9.9A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 10625 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
 |
IRL6342TRPBF | Infineon Technologies |
MOSFET MOSFT 30V 9.9A 14.6mOhm 2.5V cpbl |
на замовлення 5458 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||
 |
IRL6342TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRL6342TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 9.9 A, 0.0146 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0146ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 908 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||
|
|
IRL6342TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 9.9A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 232 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 37 шт В кошику од. на суму грн. |
| IRL6342TRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 9.9A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 9.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 10625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1421+ | 24.73 грн |
| 10000+ | 22.05 грн |
| IRL6342TRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 30V 9.9A 14.6mOhm 2.5V cpbl
MOSFET MOSFT 30V 9.9A 14.6mOhm 2.5V cpbl
на замовлення 5458 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IRL6342TRPBF |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRL6342TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 9.9 A, 0.0146 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0146ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - IRL6342TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 9.9 A, 0.0146 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0146ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRL6342TRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 9.9A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 9.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)