
IRL6372TRPBF Infineon Technologies
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
4000+ | 16.27 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRL6372TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRL6372TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 8.1 A, 8.1 A, 0.014 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.1A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.014ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IRL6372TRPBF за ціною від 14.93 грн до 86.74 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRL6372TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRL6372TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 3683 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRL6372TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.9mOhm @ 8.1A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRL6372TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 11980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRL6372TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 15521 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRL6372TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 3843 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRL6372TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 3187 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRL6372TRPBF | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.1A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.014ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 3994 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRL6372TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 8.1A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 8.1A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 17.9mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level |
на замовлення 149 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRL6372TRPBF | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.1A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.014ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 3629 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRL6372TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 8.1A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 8.1A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 17.9mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 149 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRL6372TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.9mOhm @ 8.1A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
на замовлення 11036 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
IRL6372TRPBF | Виробник : International Rectifier |
![]() |
на замовлення 500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
IRL6372TRPBF | Виробник : International Rectifier/Infineon |
![]() |
на замовлення 2 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
||||||||||||||||||
![]() |
IRL6372TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
IRL6372TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |