Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRL6372TRPBF
IRL6372TRPBF

IRL6372TRPBF Infineon Technologies

infineon-irl6372-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 8.1A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+16.31 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRL6372TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRL6372TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 8.1 A, 8.1 A, 0.014 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.1A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.014ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IRL6372TRPBF за ціною від 14.97 грн до 87.95 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRL6372TRPBF IRL6372TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irl6372-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 8.1A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+17.62 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRL6372TRPBF IRL6372TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irl6372-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 8.1A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3683 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
33+18.41 грн
34+18.17 грн
100+17.38 грн
250+15.97 грн
500+15.21 грн
1000+15.09 грн
3000+14.97 грн
Мінімальне замовлення: 33
В кошику  од. на суму  грн.
IRL6372TRPBF IRL6372TRPBF Виробник : Infineon Technologies irl6372pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535660046e2579 Description: MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.9mOhm @ 8.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+21.60 грн
8000+19.57 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRL6372TRPBF IRL6372TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irl6372-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 8.1A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 11980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
520+23.56 грн
525+23.32 грн
Мінімальне замовлення: 520
В кошику  од. на суму  грн.
IRL6372TRPBF IRL6372TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRL6372_DataSheet_v01_01_EN-3363633.pdf MOSFETs DUAL MOSFT 8.1A 2.5V 18mOhm drv cpbl
на замовлення 15521 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+33.28 грн
100+22.00 грн
250+21.86 грн
500+19.92 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRL6372TRPBF IRL6372TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irl6372-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 8.1A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
910+33.62 грн
1000+30.99 грн
Мінімальне замовлення: 910
В кошику  од. на суму  грн.
IRL6372TRPBF IRL6372TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irl6372-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 8.1A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
910+33.62 грн
1000+30.99 грн
Мінімальне замовлення: 910
В кошику  од. на суму  грн.
IRL6372TRPBF IRL6372TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012838353-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRL6372TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 8.1 A, 8.1 A, 0.014 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.014ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+44.77 грн
250+37.99 грн
1000+28.75 грн
2000+24.89 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRL6372TRPBF IRL6372TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E222764C02FEBAF1A303005056AB0C4F&compId=irl6372pbf.pdf?ci_sign=a264412f72f1908b1edf5c3bde12e71c2523e4ea Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 8.1A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8.1A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 17.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 149 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+54.39 грн
10+39.16 грн
37+25.02 грн
101+23.62 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRL6372TRPBF IRL6372TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012838353-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRL6372TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 8.1 A, 8.1 A, 0.014 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.014ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+63.09 грн
50+46.11 грн
250+31.46 грн
1000+23.39 грн
2000+20.44 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
IRL6372TRPBF IRL6372TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E222764C02FEBAF1A303005056AB0C4F&compId=irl6372pbf.pdf?ci_sign=a264412f72f1908b1edf5c3bde12e71c2523e4ea Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 8.1A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8.1A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 17.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 149 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+65.27 грн
10+48.80 грн
37+30.02 грн
101+28.35 грн
500+27.32 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRL6372TRPBF IRL6372TRPBF Виробник : Infineon Technologies irl6372pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535660046e2579 Description: MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.9mOhm @ 8.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 11036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+87.95 грн
10+43.36 грн
100+25.68 грн
500+20.75 грн
1000+20.35 грн
2000+20.19 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRL6372TRPBF Виробник : International Rectifier/Infineon irl6372pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535660046e2579 N-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 8,1 А; Ptot, Вт = 2; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 1020 @ 25; Qg, нКл = 11 @ 4,5 В; Rds = 17,9 мОм @ 8,1 A, 4,5 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 1,1 В @ 10 мкА; SOICN-8
на замовлення 2 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL6372TRPBF IRL6372TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irl6372-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 8.1A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL6372TRPBF IRL6372TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irl6372-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 8.1A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.