Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRL6372TRPBF
IRL6372TRPBF

IRL6372TRPBF Infineon Technologies

infineon-irl6372-datasheet-v01_01-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 8.1A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+20.31 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRL6372TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRL6372TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 8.1 A, 8.1 A, 0.014 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.1A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.014ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRL6372TRPBF за ціною від 18.64 грн до 84.46 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRL6372TRPBF IRL6372TRPBF Infineon Technologies infineon-irl6372-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 8.1A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+20.38 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL6372TRPBF IRL6372TRPBF Infineon Technologies irl6372pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535660046e2579 Description: MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.9mOhm @ 8.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+20.75 грн
8000+18.79 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL6372TRPBF IRL6372TRPBF Infineon Technologies infineon-irl6372-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 8.1A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3683 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+22.93 грн
34+22.63 грн
100+21.65 грн
250+19.89 грн
500+18.94 грн
1000+18.79 грн
3000+18.64 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL6372TRPBF IRL6372TRPBF Infineon Technologies infineon-irl6372-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 8.1A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 11980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
520+27.25 грн
525+26.97 грн
Мінімальне замовлення: 520 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL6372TRPBF IRL6372TRPBF Infineon Technologies infineon-irl6372-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 8.1A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
910+38.88 грн
1000+35.84 грн
Мінімальне замовлення: 910 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL6372TRPBF IRL6372TRPBF Infineon Technologies infineon-irl6372-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 8.1A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
910+38.88 грн
1000+35.84 грн
Мінімальне замовлення: 910 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL6372TRPBF IRL6372TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irl6372pbf.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 8.1A; 2.5W; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET x2
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8.1A
On-state resistance: 17.9mΩ
Power dissipation: 2.5W
Gate-source voltage: ±12V
Polarisation: unipolar
на замовлення 828 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+44.64 грн
12+37.14 грн
13+33.33 грн
25+26.95 грн
50+23.88 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL6372TRPBF IRL6372TRPBF Infineon Technologies irl6372pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535660046e2579 Description: MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.9mOhm @ 8.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 11036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+84.46 грн
10+41.64 грн
100+24.66 грн
500+19.93 грн
1000+19.55 грн
2000+19.39 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL6372TRPBF IRL6372TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRL6372_DataSheet_v01_01_EN-3363633.pdf MOSFETs DUAL MOSFT 8.1A 2.5V 18mOhm drv cpbl
на замовлення 15521 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL6372TRPBF IRL6372TRPBF INFINEON INFN-S-A0012838353-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRL6372TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 8.1 A, 8.1 A, 0.014 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.014ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL6372TRPBF IRL6372TRPBF INFINEON INFN-S-A0012838353-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRL6372TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 8.1 A, 8.1 A, 0.014 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.014ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL6372TRPBF International Rectifier/Infineon irl6372pbf.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 8,1 А, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1020 @ 25, Qg, нКл = 11 @ 4,5 В, Rds = 17,9 мОм @ 8,1 A, 4,5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1,1 В @ 10 мкА,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 4000 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
4000+47.17 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL6372TRPBF infineon-irl6372-datasheet-v01_01-en.pdf
IRL6372TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 8.1A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+20.38 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL6372TRPBF irl6372pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535660046e2579
IRL6372TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.9mOhm @ 8.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+20.75 грн
8000+18.79 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL6372TRPBF infineon-irl6372-datasheet-v01_01-en.pdf
IRL6372TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 8.1A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3683 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
33+22.93 грн
34+22.63 грн
100+21.65 грн
250+19.89 грн
500+18.94 грн
1000+18.79 грн
3000+18.64 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL6372TRPBF infineon-irl6372-datasheet-v01_01-en.pdf
IRL6372TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 8.1A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 11980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
520+27.25 грн
525+26.97 грн
Мінімальне замовлення: 520 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL6372TRPBF infineon-irl6372-datasheet-v01_01-en.pdf
IRL6372TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 8.1A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
910+38.88 грн
1000+35.84 грн
Мінімальне замовлення: 910 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL6372TRPBF infineon-irl6372-datasheet-v01_01-en.pdf
IRL6372TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 8.1A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
910+38.88 грн
1000+35.84 грн
Мінімальне замовлення: 910 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL6372TRPBF irl6372pbf.pdf
IRL6372TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 8.1A; 2.5W; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET x2
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8.1A
On-state resistance: 17.9mΩ
Power dissipation: 2.5W
Gate-source voltage: ±12V
Polarisation: unipolar
на замовлення 828 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+44.64 грн
12+37.14 грн
13+33.33 грн
25+26.95 грн
50+23.88 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL6372TRPBF irl6372pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535660046e2579
IRL6372TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.9mOhm @ 8.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 11036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+84.46 грн
10+41.64 грн
100+24.66 грн
500+19.93 грн
1000+19.55 грн
2000+19.39 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL6372TRPBF Infineon_IRL6372_DataSheet_v01_01_EN-3363633.pdf
IRL6372TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs DUAL MOSFT 8.1A 2.5V 18mOhm drv cpbl
на замовлення 15521 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL6372TRPBF INFN-S-A0012838353-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRL6372TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRL6372TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 8.1 A, 8.1 A, 0.014 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.014ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL6372TRPBF INFN-S-A0012838353-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRL6372TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRL6372TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 8.1 A, 8.1 A, 0.014 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.014ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL6372TRPBF irl6372pbf.pdf
Виробник: International Rectifier/Infineon
N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 8,1 А, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1020 @ 25, Qg, нКл = 11 @ 4,5 В, Rds = 17,9 мОм @ 8,1 A, 4,5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1,1 В @ 10 мкА,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 4000 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+47.17 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.