IRL6372TRPBF Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.9mOhm @ 8.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4000+ | 21.26 грн |
| 8000+ | 19.25 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRL6372TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRL6372TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 8.1 A, 8.1 A, 0.014 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.1A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.014ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IRL6372TRPBF за ціною від 19.62 грн до 86.53 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRL6372TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 8.1A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 3996 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRL6372TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 8.1A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 3996 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRL6372TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 8.1A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 11980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRL6372TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRL6372TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 8.1 A, 8.1 A, 0.014 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.1A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.014ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 3994 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRL6372TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs DUAL MOSFT 8.1A 2.5V 18mOhm drv cpbl |
на замовлення 17763 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRL6372TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRL6372TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 8.1 A, 8.1 A, 0.014 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.1A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.014ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 3629 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRL6372TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.9mOhm @ 8.1A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
на замовлення 11036 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IRL6372TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
IRL6372TRPBF Multi channel transistors |
на замовлення 365 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IRL6372TRPBF | Виробник : International Rectifier/Infineon |
N-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 8,1 А; Ptot, Вт = 2; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 1020 @ 25; Qg, нКл = 11 @ 4,5 В; Rds = 17,9 мОм @ 8,1 A, 4,5 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 1,1 В @ 10 мкА; SOICN-8 |
на замовлення 2 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
|
IRL6372TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 8.1A 8-Pin SOIC T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
IRL6372TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 8.1A 8-Pin SOIC T/R |
товару немає в наявності |