Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRL6372TRPBF
IRL6372TRPBF

IRL6372TRPBF Infineon Technologies

infineon-irl6372-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 8.1A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+17.21 грн
Мінімальне замовлення: 4000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRL6372TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRL6372TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 8.1 A, 8.1 A, 0.014 ohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8.1A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.1A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.014ohm, Verlustleistung Pd: 2W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.014ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції IRL6372TRPBF за ціною від 19.46 грн до 312 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRL6372TRPBF IRL6372TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irl6372-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 8.1A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+20.96 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRL6372TRPBF IRL6372TRPBF Виробник : Infineon Technologies irl6372pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535660046e2579 Description: MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.9mOhm @ 8.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+24.87 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRL6372TRPBF IRL6372TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irl6372-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 8.1A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+28.44 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRL6372TRPBF IRL6372TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irl6372-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 8.1A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
249+47.01 грн
252+ 46.51 грн
304+ 38.59 грн
307+ 36.82 грн
500+ 28.15 грн
1000+ 22.42 грн
3000+ 20.96 грн
Мінімальне замовлення: 249
IRL6372TRPBF IRL6372TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012838353-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRL6372TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 8.1 A, 8.1 A, 0.014 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.014ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1703 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+52.57 грн
500+ 40.33 грн
1000+ 28.63 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRL6372TRPBF IRL6372TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irl6372-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 8.1A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+54.61 грн
14+ 43.65 грн
25+ 43.19 грн
100+ 34.55 грн
250+ 31.66 грн
500+ 25.09 грн
1000+ 20.82 грн
3000+ 19.46 грн
Мінімальне замовлення: 11
IRL6372TRPBF IRL6372TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRL6372_DataSheet_v01_01_EN-3363633.pdf MOSFET DUAL MOSFT 8.1A 2.5V 18mOhm drv cpbl
на замовлення 21079 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+55.77 грн
10+ 44.07 грн
100+ 31.98 грн
500+ 27.11 грн
1000+ 22.7 грн
2000+ 21.9 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRL6372TRPBF IRL6372TRPBF Виробник : Infineon Technologies irl6372pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535660046e2579 Description: MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.9mOhm @ 8.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 9553 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+59.94 грн
10+ 47.36 грн
100+ 36.84 грн
500+ 29.31 грн
1000+ 23.87 грн
2000+ 22.47 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRL6372TRPBF IRL6372TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irl6372-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 8.1A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 11980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
186+62.99 грн
212+ 55.39 грн
240+ 48.76 грн
252+ 44.95 грн
500+ 39.35 грн
1000+ 35.77 грн
4000+ 32.01 грн
8000+ 31.93 грн
Мінімальне замовлення: 186
IRL6372TRPBF IRL6372TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irl6372pbf.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 8.1A; 2.5W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Drain current: 8.1A
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 30V
Features of semiconductor devices: logic level
On-state resistance: 17.9mΩ
на замовлення 2372 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+74.89 грн
10+ 36.3 грн
25+ 32.41 грн
30+ 27.75 грн
80+ 26.22 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRL6372TRPBF IRL6372TRPBF Виробник : INFINEON irl6372pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535660046e2579 Description: INFINEON - IRL6372TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 8.1 A, 8.1 A, 0.014 ohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.1A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.014ohm
Verlustleistung Pd: 2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.014ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 5466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+83.88 грн
12+ 64.33 грн
100+ 46.51 грн
500+ 38.87 грн
1000+ 33.32 грн
4000+ 28.31 грн
Мінімальне замовлення: 9
IRL6372TRPBF IRL6372TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irl6372pbf.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 8.1A; 2.5W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Drain current: 8.1A
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 30V
Features of semiconductor devices: logic level
On-state resistance: 17.9mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2372 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+89.87 грн
6+ 45.24 грн
25+ 38.89 грн
30+ 33.3 грн
80+ 31.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRL6372TRPBF Виробник : International Rectifier/Infineon irl6372pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535660046e2579 N-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 8,1 А; Ptot, Вт = 2; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 1020 @ 25; Qg, нКл = 11 @ 4,5 В; Rds = 17,9 мОм @ 8,1 A, 4,5 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 1,1 В @ 10 мкА; SOICN-8
на замовлення 2 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+312 грн
10+ 62.4 грн
100+ 42.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRL6372TRPBF IRL6372TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irl6372-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 8.1A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній