IRL6372TRPBF

IRL6372TRPBF Infineon Technologies


irl6372pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535660046e2579 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.9mOhm @ 8.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 8000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+21.26 грн
8000+19.25 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRL6372TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRL6372TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 8.1 A, 8.1 A, 0.014 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.1A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.014ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IRL6372TRPBF за ціною від 19.62 грн до 86.53 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRL6372TRPBF IRL6372TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irl6372-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 8.1A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+34.28 грн
25+34.12 грн
100+29.22 грн
250+26.65 грн
500+22.40 грн
1000+20.37 грн
3000+19.62 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
IRL6372TRPBF IRL6372TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irl6372-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 8.1A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
330+36.92 грн
332+36.74 грн
374+32.63 грн
379+30.99 грн
500+25.13 грн
1000+21.94 грн
3000+21.13 грн
Мінімальне замовлення: 330
В кошику  од. на суму  грн.
IRL6372TRPBF IRL6372TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irl6372-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 8.1A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 11980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
322+37.84 грн
323+37.73 грн
500+36.92 грн
4000+35.51 грн
Мінімальне замовлення: 322
В кошику  од. на суму  грн.
IRL6372TRPBF IRL6372TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012838353-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRL6372TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 8.1 A, 8.1 A, 0.014 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.014ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+44.05 грн
250+37.38 грн
1000+28.29 грн
2000+24.49 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRL6372TRPBF IRL6372TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRL6372_DataSheet_v01_01_EN-3363633.pdf MOSFETs DUAL MOSFT 8.1A 2.5V 18mOhm drv cpbl
на замовлення 17763 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+46.15 грн
10+44.98 грн
100+32.44 грн
500+26.93 грн
1000+24.81 грн
2000+24.07 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRL6372TRPBF IRL6372TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012838353-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRL6372TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 8.1 A, 8.1 A, 0.014 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.014ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+62.08 грн
50+45.36 грн
250+30.96 грн
1000+23.01 грн
2000+20.11 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
IRL6372TRPBF IRL6372TRPBF Виробник : Infineon Technologies irl6372pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535660046e2579 Description: MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.9mOhm @ 8.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 11036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+86.53 грн
10+42.66 грн
100+25.27 грн
500+20.42 грн
1000+20.03 грн
2000+19.86 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRL6372TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irl6372pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535660046e2579 IRL6372TRPBF Multi channel transistors
на замовлення 365 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+66.39 грн
37+29.26 грн
101+27.71 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRL6372TRPBF Виробник : International Rectifier/Infineon irl6372pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535660046e2579 N-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 8,1 А; Ptot, Вт = 2; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 1020 @ 25; Qg, нКл = 11 @ 4,5 В; Rds = 17,9 мОм @ 8,1 A, 4,5 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 1,1 В @ 10 мкА; SOICN-8
на замовлення 2 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL6372TRPBF IRL6372TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irl6372-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 8.1A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL6372TRPBF IRL6372TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irl6372-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 8.1A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.