Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRL6372TRPBF
IRL6372TRPBF

IRL6372TRPBF Infineon Technologies

irl6372pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535660046e2579
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.9mOhm @ 8.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+21.18 грн
8000+19.19 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRL6372TRPBF Infineon Technologies

Description: MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2W, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.9mOhm @ 8.1A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA, Supplier Device Package: 8-SO, Part Status: Active.

Інші пропозиції IRL6372TRPBF за ціною від 18.78 грн до 86.24 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRL6372TRPBF IRL6372TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRL6372_DataSheet_v01_01_EN-3363633.pdf MOSFETs DUAL MOSFT 8.1A 2.5V 18mOhm drv cpbl
на замовлення 15521 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+31.38 грн
100+20.75 грн
250+20.61 грн
500+18.78 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRL6372TRPBF IRL6372TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irl6372pbf.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 8.1A; 2.5W; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET x2
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8.1A
On-state resistance: 17.9mΩ
Power dissipation: 2.5W
Gate-source voltage: ±12V
Polarisation: unipolar
на замовлення 828 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+45.58 грн
12+37.92 грн
13+34.03 грн
25+27.51 грн
50+24.38 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRL6372TRPBF IRL6372TRPBF Infineon Technologies irl6372pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535660046e2579 Description: MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.9mOhm @ 8.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 11036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.24 грн
10+42.51 грн
100+25.18 грн
500+20.35 грн
1000+19.96 грн
2000+19.79 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRL6372TRPBF International Rectifier/Infineon irl6372pbf.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 8,1 А, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1020 @ 25, Qg, нКл = 11 @ 4,5 В, Rds = 17,9 мОм @ 8,1 A, 4,5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1,1 В @ 10 мкА,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 4000 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
4000+47.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRL6372TRPBF Infineon_IRL6372_DataSheet_v01_01_EN-3363633.pdf
IRL6372TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs DUAL MOSFT 8.1A 2.5V 18mOhm drv cpbl
на замовлення 15521 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+31.38 грн
100+20.75 грн
250+20.61 грн
500+18.78 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRL6372TRPBF irl6372pbf.pdf
IRL6372TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 8.1A; 2.5W; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET x2
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8.1A
On-state resistance: 17.9mΩ
Power dissipation: 2.5W
Gate-source voltage: ±12V
Polarisation: unipolar
на замовлення 828 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+45.58 грн
12+37.92 грн
13+34.03 грн
25+27.51 грн
50+24.38 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRL6372TRPBF irl6372pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535660046e2579
IRL6372TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.9mOhm @ 8.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 11036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+86.24 грн
10+42.51 грн
100+25.18 грн
500+20.35 грн
1000+19.96 грн
2000+19.79 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRL6372TRPBF irl6372pbf.pdf
Виробник: International Rectifier/Infineon
N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 8,1 А, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1020 @ 25, Qg, нКл = 11 @ 4,5 В, Rds = 17,9 мОм @ 8,1 A, 4,5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1,1 В @ 10 мкА,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 4000 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+47.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.