Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRL7486MTRPbF

IRL7486MTRPbF

IRSD-S-A0001076320-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Код товару: 166090
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRL7486MTRPbF за ціною від 42.90 грн до 182.14 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRL7486MTRPBF IRL7486MTRPBF International Rectifier IRSD-S-A0001076320-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IRL7486M - 12V-300V N-CHANNEL PO
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric ME
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 209A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25mOhm @ 123A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 150µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric ME
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6904 pF @ 25 V
на замовлення 39875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
264+77.27 грн
Мінімальне замовлення: 264
В кошику  од. на суму  грн.
IRL7486MTRPBF IRL7486MTRPBF INFINEON IRSD-S-A0001076320-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: INFINEON - IRL7486MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 209 A, 1250 µohm, DirectFET ME, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 209A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: DirectFET ME
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1250µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 17922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+80.82 грн
500+55.84 грн
1000+45.92 грн
5000+42.90 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRL7486MTRPBF IRL7486MTRPBF Infineon Technologies Infineon_IRL7486M_DataSheet_v02_01_EN.pdf MOSFETs 40V Single N-Channel HEXFET
на замовлення 3571 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+175.58 грн
10+113.22 грн
100+67.72 грн
500+54.22 грн
1000+49.65 грн
2500+46.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRL7486MTRPBF IRL7486MTRPBF INFINEON IRSD-S-A0001076320-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: INFINEON - IRL7486MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 209 A, 1250 µohm, DirectFET ME, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 209A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: DirectFET ME
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1250µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 17922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+182.14 грн
10+117.33 грн
100+80.82 грн
500+55.84 грн
1000+45.92 грн
5000+42.90 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRL7486MTRPBF Infineon IRSD-S-A0001076320-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL7486MTRPBF IRSD-S-A0001076320-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRL7486MTRPBF
Виробник: International Rectifier
Description: IRL7486M - 12V-300V N-CHANNEL PO
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric ME
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 209A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25mOhm @ 123A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 150µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric ME
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6904 pF @ 25 V
на замовлення 39875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
264+77.27 грн
Мінімальне замовлення: 264
В кошику  од. на суму  грн.
IRL7486MTRPBF IRSD-S-A0001076320-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRL7486MTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRL7486MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 209 A, 1250 µohm, DirectFET ME, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 209A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: DirectFET ME
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1250µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 17922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+80.82 грн
500+55.84 грн
1000+45.92 грн
5000+42.90 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRL7486MTRPBF Infineon_IRL7486M_DataSheet_v02_01_EN.pdf
IRL7486MTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 40V Single N-Channel HEXFET
на замовлення 3571 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+175.58 грн
10+113.22 грн
100+67.72 грн
500+54.22 грн
1000+49.65 грн
2500+46.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRL7486MTRPBF IRSD-S-A0001076320-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRL7486MTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRL7486MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 209 A, 1250 µohm, DirectFET ME, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 209A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: DirectFET ME
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1250µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 17922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+182.14 грн
10+117.33 грн
100+80.82 грн
500+55.84 грн
1000+45.92 грн
5000+42.90 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRL7486MTRPBF IRSD-S-A0001076320-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.