Інші пропозиції IRL7486MTRPbF за ціною від 21.94 грн до 179.30 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRL7486MTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 209A 10-Pin Direct-FET ME T/R |
на замовлення 4797 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRL7486MTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 209A 10-Pin Direct-FET ME T/R |
на замовлення 4797 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRL7486MTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 209A 10-Pin Direct-FET ME T/R |
на замовлення 9563 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRL7486MTRPBF | Виробник : International Rectifier |
Description: IRL7486M - 12V-300V N-CHANNEL POPackaging: Bulk Package / Case: DirectFET™ Isometric ME Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 209A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25mOhm @ 123A, 10V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 150µA Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric ME Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6904 pF @ 25 V |
на замовлення 39875 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRL7486MTRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRL7486MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 209 A, 1250 µohm, DirectFET ME, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 209A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 2 - 1 Jahr usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: DirectFET ME Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1250µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 17922 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRL7486MTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 209A 10-Pin Direct-FET ME T/R |
на замовлення 165027 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRL7486MTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 209A 10-Pin Direct-FET ME T/R |
на замовлення 961 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRL7486MTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs 40V Single N-Channel HEXFET |
на замовлення 3571 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRL7486MTRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRL7486MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 209 A, 1250 µohm, DirectFET ME, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 209A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 2 - 1 Jahr usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: DirectFET ME Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1250µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 17922 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IRL7486MTRPBF | Виробник : International Rectifier HiRel Products |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 209A 10-Pin Direct-FET ME T/R |
на замовлення 4916 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IRL7486MTRPBF | Виробник : International Rectifier HiRel Products |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 209A 10-Pin Direct-FET ME T/R |
на замовлення 10896 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IRL7486MTRPBF | Виробник : Infineon |
|
на замовлення 500000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
IRL7486MTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 209A 10-Pin Direct-FET ME T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| IRL7486MTRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 209A; DirectFET Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 209A Case: DirectFET Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |




