IRL7486MTRPBF Infineon Technologies
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 190+ | 61.51 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRL7486MTRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRL7486MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 209 A, 0.00125 ohm, DirectFET ME, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 209A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 2 - 1 Jahr, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 104W, Bauform - Transistor: DirectFET ME, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00125ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IRL7486MTRPBF за ціною від 50.06 грн до 165.27 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRL7486MTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 40V 209A 10-Pin Direct-FET ME T/R |
на замовлення 4797 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRL7486MTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 209A 10-Pin Direct-FET ME T/R |
на замовлення 4797 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRL7486MTRPBF | Виробник : International Rectifier |
Description: IRL7486M - 12V-300V N-CHANNEL PO Packaging: Bulk Package / Case: DirectFET™ Isometric ME Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 209A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25mOhm @ 123A, 10V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 150µA Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric ME Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6904 pF @ 25 V |
на замовлення 4920 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRL7486MTRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRL7486MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 209 A, 0.00125 ohm, DirectFET ME, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 209A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 2 - 1 Jahr usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: DirectFET ME Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00125ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 18784 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRL7486MTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET 40V Single N-Channel HEXFET |
на замовлення 4294 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRL7486MTRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRL7486MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 209 A, 0.00125 ohm, DirectFET ME, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 209A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 2 - 1 Jahr usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: DirectFET ME Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00125ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 18784 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRL7486MTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 209A DIRECTFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DirectFET™ Isometric ME Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 209A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25mOhm @ 123A, 10V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 150µA Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric ME Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6904 pF @ 25 V |
на замовлення 4375 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| IRL7486MTRPBF | Виробник : Infineon |
|
на замовлення 500000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
|
IRL7486MTRPbF Код товару: 166090 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||||
|
|
IRL7486MTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 209A 10-Pin Direct-FET ME T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
 |
IRL7486MTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 209A 10-Pin Direct-FET ME T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
|
|
IRL7486MTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 209A 10-Pin Direct-FET ME T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
|
|
IRL7486MTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 209A DIRECTFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DirectFET™ Isometric ME Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 209A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25mOhm @ 123A, 10V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 150µA Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric ME Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6904 pF @ 25 V |
товар відсутній |