IRL7833STRLPBF

IRL7833STRLPBF Infineon Technologies


infineon-irl7833-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+55.65 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRL7833STRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRL7833STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 150 A, 0.0031 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 150A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 140W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції IRL7833STRLPBF за ціною від 64.29 грн до 194.30 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRL7833STRLPBF IRL7833STRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irl7833-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+65.85 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRL7833STRLPBF IRL7833STRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irl7833-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+70.97 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRL7833STRLPBF IRL7833STRLPBF Виробник : INFINEON 107887.pdf Description: INFINEON - IRL7833STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 150 A, 0.0031 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+128.43 грн
500+73.54 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRL7833STRLPBF IRL7833STRLPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRL7833_DataSheet_v01_01_EN-3363396.pdf MOSFETs MOSFT 30V 150A 32nC 3.8mOhm Qg log lvl
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+177.24 грн
10+144.32 грн
100+121.10 грн
250+113.76 грн
800+70.31 грн
2400+64.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRL7833STRLPBF IRL7833STRLPBF Виробник : INFINEON 107887.pdf Description: INFINEON - IRL7833STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 150 A, 0.0031 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+194.30 грн
10+141.61 грн
100+128.43 грн
500+73.54 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRL7833STRLPBF IRL7833STRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irl7833pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 150A; 140W; D2PAK
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 150A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 140W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL7833STRLPBF IRL7833STRLPBF Виробник : Infineon Technologies irl7833pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356600d71257b Description: MOSFET N-CH 30V 150A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4170 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL7833STRLPBF IRL7833STRLPBF Виробник : Infineon Technologies irl7833pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356600d71257b Description: MOSFET N-CH 30V 150A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4170 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL7833STRLPBF IRL7833STRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irl7833pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 150A; 140W; D2PAK
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 150A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 140W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.