IRL80HS120 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 12.5A 6PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 11.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 10µA
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2) (DFN2020)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 28.93 грн |
| 8000+ | 25.98 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
4000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRL80HS120 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRL80HS120 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 12.5 A, 0.025 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 11.5W, Bauform - Transistor: DFN2020, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції IRL80HS120 за ціною від 26.77 грн до 122.86 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRL80HS120 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 80V 6A 6-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 3418 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRL80HS120 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 80V 6A 6-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 2308 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRL80HS120 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 80V 6A 6-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 2308 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRL80HS120 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 80V 12.5A 6PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7.5A, 10V Power Dissipation (Max): 11.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 10µA Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2) (DFN2020) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRL80HS120 | Infineon Technologies |
MOSFETs IFX FET > 60-80V |
на замовлення 13836 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRL80HS120 | INFINEON |
Description: INFINEON - IRL80HS120 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 12.5 A, 0.025 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 11.5W Bauform - Transistor: DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 818 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
IRL80HS120 | INFINEON |
Description: INFINEON - IRL80HS120 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 12.5 A, 0.025 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 11.5W Bauform - Transistor: DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 818 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| IRL80HS120 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 80V 6A 6-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 80V 6A 6-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 183+ | 78.18 грн |
| 208+ | 68.74 грн |
| 236+ | 60.39 грн |
| 247+ | 55.79 грн |
| 500+ | 48.73 грн |
| 1000+ | 44.40 грн |
| 2000+ | 42.22 грн |
| IRL80HS120 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 80V 6A 6-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 80V 6A 6-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 145+ | 98.82 грн |
| 147+ | 97.39 грн |
| 185+ | 77.20 грн |
| 250+ | 68.44 грн |
| 500+ | 55.99 грн |
| 1000+ | 40.61 грн |
| IRL80HS120 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 80V 6A 6-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 80V 6A 6-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 109.77 грн |
| 10+ | 98.82 грн |
| 25+ | 97.39 грн |
| 100+ | 74.44 грн |
| 250+ | 63.37 грн |
| 500+ | 53.75 грн |
| 1000+ | 40.61 грн |
| IRL80HS120 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 12.5A 6PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 11.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 10µA
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2) (DFN2020)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 80V 12.5A 6PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 11.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 10µA
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2) (DFN2020)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 112.61 грн |
| 10+ | 68.56 грн |
| 100+ | 45.72 грн |
| 500+ | 33.69 грн |
| 1000+ | 30.73 грн |
| 2000+ | 28.24 грн |
| IRL80HS120 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET > 60-80V
MOSFETs IFX FET > 60-80V
на замовлення 13836 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 122.86 грн |
| 10+ | 57.27 грн |
| 100+ | 44.39 грн |
| 500+ | 34.88 грн |
| 4000+ | 26.77 грн |
| IRL80HS120 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRL80HS120 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 12.5 A, 0.025 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 11.5W
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IRL80HS120 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 12.5 A, 0.025 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 11.5W
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRL80HS120 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRL80HS120 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 12.5 A, 0.025 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 11.5W
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IRL80HS120 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 12.5 A, 0.025 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 11.5W
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)