Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRL80HS120
IRL80HS120

IRL80HS120 Infineon Technologies

Infineon-IRL80HS120-DS-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a4b3b1df71191
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 12.5A 6PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 11.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 10µA
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2) (DFN2020)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+29.74 грн
8000+26.71 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRL80HS120 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRL80HS120 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 12.5 A, 0.025 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 11.5W, Bauform - Transistor: DFN2020, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції IRL80HS120 за ціною від 29.03 грн до 115.77 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRL80HS120 IRL80HS120 Infineon Technologies 4497856325395053infineon-irl80hs120-ds-v01_02-en.pdffileid5546d46259d9a4bf015a4b3.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 6A 6-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
183+77.66 грн
208+68.28 грн
236+59.99 грн
247+55.42 грн
500+48.41 грн
1000+44.10 грн
2000+41.94 грн
Мінімальне замовлення: 183 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL80HS120 IRL80HS120 Infineon Technologies 4497856325395053infineon-irl80hs120-ds-v01_02-en.pdffileid5546d46259d9a4bf015a4b3.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 6A 6-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
145+98.17 грн
147+96.74 грн
185+76.69 грн
250+67.98 грн
500+55.61 грн
1000+40.35 грн
Мінімальне замовлення: 145 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL80HS120 IRL80HS120 Infineon Technologies 4497856325395053infineon-irl80hs120-ds-v01_02-en.pdffileid5546d46259d9a4bf015a4b3.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 6A 6-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+109.05 грн
10+98.17 грн
25+96.74 грн
100+73.95 грн
250+62.95 грн
500+53.39 грн
1000+40.35 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL80HS120 IRL80HS120 Infineon Technologies Infineon-IRL80HS120-DS-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a4b3b1df71191 Description: MOSFET N-CH 80V 12.5A 6PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 11.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 10µA
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2) (DFN2020)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+115.77 грн
10+70.48 грн
100+47.00 грн
500+34.64 грн
1000+31.59 грн
2000+29.03 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL80HS120 IRL80HS120 INFINEON Infineon-IRL80HS120-DS-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a4b3b1df71191 Description: INFINEON - IRL80HS120 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 12.5 A, 0.025 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 11.5W
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL80HS120 IRL80HS120 INFINEON Infineon-IRL80HS120-DS-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a4b3b1df71191 Description: INFINEON - IRL80HS120 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 12.5 A, 0.025 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 11.5W
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL80HS120 4497856325395053infineon-irl80hs120-ds-v01_02-en.pdffileid5546d46259d9a4bf015a4b3.pdf
IRL80HS120
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 80V 6A 6-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
183+77.66 грн
208+68.28 грн
236+59.99 грн
247+55.42 грн
500+48.41 грн
1000+44.10 грн
2000+41.94 грн
Мінімальне замовлення: 183 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL80HS120 4497856325395053infineon-irl80hs120-ds-v01_02-en.pdffileid5546d46259d9a4bf015a4b3.pdf
IRL80HS120
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 80V 6A 6-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
145+98.17 грн
147+96.74 грн
185+76.69 грн
250+67.98 грн
500+55.61 грн
1000+40.35 грн
Мінімальне замовлення: 145 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL80HS120 4497856325395053infineon-irl80hs120-ds-v01_02-en.pdffileid5546d46259d9a4bf015a4b3.pdf
IRL80HS120
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 80V 6A 6-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+109.05 грн
10+98.17 грн
25+96.74 грн
100+73.95 грн
250+62.95 грн
500+53.39 грн
1000+40.35 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL80HS120 Infineon-IRL80HS120-DS-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a4b3b1df71191
IRL80HS120
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 12.5A 6PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 11.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 10µA
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2) (DFN2020)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+115.77 грн
10+70.48 грн
100+47.00 грн
500+34.64 грн
1000+31.59 грн
2000+29.03 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL80HS120 Infineon-IRL80HS120-DS-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a4b3b1df71191
IRL80HS120
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRL80HS120 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 12.5 A, 0.025 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 11.5W
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL80HS120 Infineon-IRL80HS120-DS-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a4b3b1df71191
IRL80HS120
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRL80HS120 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 12.5 A, 0.025 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 11.5W
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.