IRL80HS120 Infineon Technologies


Infineon-IRL80HS120-DS-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a4b3b1df71191
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 12.5A 6PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 11.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 10µA
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2) (DFN2020)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V
на замовлення 16000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4000+23.77 грн
8000+21.57 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRL80HS120 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 12.5A 6PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 11.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 10µA, Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2) (DFN2020), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRL80HS120 за ціною від 23.68 грн до 96.74 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IRL80HS120 IRL80HS120 Infineon Technologies Infineon_IRL80HS120_DataSheet_v03_01_EN-3363571.pdf MOSFETs N
на замовлення 9508 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+42.84 грн
10+41.74 грн
100+30.24 грн
500+26.92 грн
1000+25.23 грн
2000+24.18 грн
4000+23.68 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL80HS120 IRL80HS120 Infineon Technologies Infineon-IRL80HS120-DS-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a4b3b1df71191 Description: MOSFET N-CH 80V 12.5A 6PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 11.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 10µA
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2) (DFN2020)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V
на замовлення 16807 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+96.74 грн
10+58.79 грн
100+39.05 грн
500+28.68 грн
1000+26.12 грн
2000+24.78 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL80HS120 Infineon_IRL80HS120_DataSheet_v03_01_EN-3363571.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N
на замовлення 9508 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
8+42.84 грн
10+41.74 грн
100+30.24 грн
500+26.92 грн
1000+25.23 грн
2000+24.18 грн
4000+23.68 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL80HS120 Infineon-IRL80HS120-DS-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a4b3b1df71191
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 12.5A 6PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 11.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 10µA
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2) (DFN2020)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V
на замовлення 16807 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+96.74 грн
10+58.79 грн
100+39.05 грн
500+28.68 грн
1000+26.12 грн
2000+24.78 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.