IRL8113PBF
Код товару: 72236
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: IR
Корпус: TO-220
Uds,V: 30 V
Idd,A: 74 A
Rds(on), Ohm: 6 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 2840/23
Примітка: Управління логічним рівнем
Монтаж: THT
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRL8113PBF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| IRL8113PBF | Виробник : Infineon |
|
на замовлення 3700 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
IRL8113PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 105A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 21A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |
|
 |
IRL8113PBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 30V 105A 23nC 6mOhm Qg log lvl |
товару немає в наявності |