Технічний опис IRL8113S IR
Description: MOSFET N-CH 30V 105A D2PAK, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: D2PAK, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 110W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 21A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Packaging: Tube.
Інші пропозиції IRL8113S за ціною від 21.50 грн до 23.50 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRL8113S Код товару: 99528
Додати до обраних
Обраний товар
|
IR |
 Транзистори > Польові N-канальніКорпус: D2PAK (TO-263) Uds,V: 30 V Idd,A: 74 A Rds(on), Ohm: 6 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 2840/23 Примітка: Керування логічним рівнем Монтаж: SMD |
товару немає в наявності
|
|
||||
 |
IRL8113S | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 105A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 21A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tube |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. |
| IRL8113S Код товару: 99528
Додати до обраних
Обраний товар
|
|
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 30 V
Idd,A: 74 A
Rds(on), Ohm: 6 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 2840/23
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 30 V
Idd,A: 74 A
Rds(on), Ohm: 6 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 2840/23
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 23.50 грн |
| 10+ | 21.50 грн |
| IRL8113S |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 105A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 21A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
Description: MOSFET N-CH 30V 105A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 21A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику
од. на суму грн.