IRL8114PBF Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: IRL8114 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 15 V
на замовлення 8800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 247+ | 91.19 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRL8114PBF Infineon Technologies
Description: IRL8114 - 12V-300V N-CHANNEL POW, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 40A, 10V, Power Dissipation (Max): 115W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 15 V.
Інші пропозиції IRL8114PBF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IRL8114PBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET TRENCH <= 40V |
товару немає в наявності |