IRLB3036PBF
Код товару: 58855
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: IR
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 60 V
Idd,A: 195 A
Rds(on), Ohm: 1,9 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 11210/91
Монтаж: THT
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRLB3036PBF за ціною від 94.70 грн до 392.03 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRLB3036PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLB3036PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1158 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLB3036PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 3550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLB3036PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 3546 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLB3036PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 195A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 165A, 10V Power Dissipation (Max): 380W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11210 pF @ 50 V |
на замовлення 4720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLB3036PBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 60V 370A 2.4mOhm 91nC Log Lvl |
на замовлення 605 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLB3036PBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLB3036PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 165 A, 2400 µohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 165A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 380W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 87 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLB3036PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1173 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLB3036PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 844 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLB3036PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
|
IRLB3036PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| IRLB3036PBF | Виробник : International Rectifier |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A TO-220AB Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| IRLB3036PBF | Виробник : International Rectifier/Infineon |
N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 195 А, Ptot, Вт = 380, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 11210 @ 50, Qg, нКл = 140 @ 4,5 В, Rds = 2,4 мОм @ 165 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: TO-кількість в упаковці: 50 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
|
IRLB3036PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 380W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 270A Power dissipation: 380W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 2.4mΩ Mounting: THT Gate charge: 91nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level |
товару немає в наявності |




