Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRLB3036PBF
IRLB3036PBF

IRLB3036PBF

irlb3036pbf-datasheet.pdf
Код товару: 58855
1 Додати до обраних Обраний товар

Виробник: IR
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 60 V
Idd,A: 195 A
Rds(on), Ohm: 1,9 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 11210/91
Монтаж: THT
товару немає в наявності
КількістьЦіна
1+91.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRLB3036PBF за ціною від 95.09 грн до 398.22 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IRLB3036PBF IRLB3036PBF Infineon Technologies irlb3036pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+159.61 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3036PBF IRLB3036PBF Infineon Technologies irlb3036pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+159.61 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3036PBF IRLB3036PBF INFINEON TECHNOLOGIES irlb3036pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 380W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 270A
Power dissipation: 380W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
Gate charge: 91nC
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+172.31 грн
10+147.93 грн
20+132.80 грн
50+118.51 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3036PBF IRLB3036PBF Infineon Technologies irlb3036pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+203.18 грн
10+167.79 грн
100+145.51 грн
500+128.54 грн
1000+115.54 грн
2000+106.46 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3036PBF IRLB3036PBF Infineon Technologies irlb3036pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
70+204.74 грн
84+169.10 грн
100+146.64 грн
500+129.53 грн
1000+116.44 грн
2000+107.28 грн
Мінімальне замовлення: 70 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3036PBF IRLB3036PBF Infineon Technologies infineon-irlb3036-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 195A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 165A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11210 pF @ 50 V
на замовлення 4720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+299.30 грн
10+190.40 грн
100+134.70 грн
500+104.09 грн
1000+96.92 грн
2000+95.09 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3036PBF IRLB3036PBF Infineon Technologies Infineon_IRLB3036_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 60V 370A 2.4mOhm 91nC Log Lvl
на замовлення 605 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+332.38 грн
10+216.01 грн
100+133.37 грн
500+109.63 грн
1000+106.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3036PBF IRLB3036PBF INFINEON 3732235.pdf Description: INFINEON - IRLB3036PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 165 A, 2400 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 165A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+334.82 грн
10+220.77 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3036PBF IRLB3036PBF Infineon Technologies irlb3036pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+368.67 грн
59+243.76 грн
100+187.86 грн
500+156.33 грн
1000+138.04 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3036PBF IRLB3036PBF Infineon Technologies irlb3036pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 844 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+398.22 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3036PBF IRLB3036PBF Infineon Technologies irlb3036pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3036PBF irlb3036pbf.pdf
IRLB3036PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1000+159.61 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3036PBF irlb3036pbf.pdf
IRLB3036PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1000+159.61 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3036PBF irlb3036pbf.pdf
IRLB3036PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 380W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 270A
Power dissipation: 380W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
Gate charge: 91nC
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+172.31 грн
10+147.93 грн
20+132.80 грн
50+118.51 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3036PBF irlb3036pbf.pdf
IRLB3036PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+203.18 грн
10+167.79 грн
100+145.51 грн
500+128.54 грн
1000+115.54 грн
2000+106.46 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3036PBF irlb3036pbf.pdf
IRLB3036PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
70+204.74 грн
84+169.10 грн
100+146.64 грн
500+129.53 грн
1000+116.44 грн
2000+107.28 грн
Мінімальне замовлення: 70 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3036PBF infineon-irlb3036-datasheet-en.pdf
IRLB3036PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 195A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 165A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11210 pF @ 50 V
на замовлення 4720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+299.30 грн
10+190.40 грн
100+134.70 грн
500+104.09 грн
1000+96.92 грн
2000+95.09 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3036PBF Infineon_IRLB3036_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRLB3036PBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 60V 370A 2.4mOhm 91nC Log Lvl
на замовлення 605 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+332.38 грн
10+216.01 грн
100+133.37 грн
500+109.63 грн
1000+106.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3036PBF 3732235.pdf
IRLB3036PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLB3036PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 165 A, 2400 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 165A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+334.82 грн
10+220.77 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3036PBF irlb3036pbf.pdf
IRLB3036PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
39+368.67 грн
59+243.76 грн
100+187.86 грн
500+156.33 грн
1000+138.04 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3036PBF irlb3036pbf.pdf
IRLB3036PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 844 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
36+398.22 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3036PBF irlb3036pbf.pdf
IRLB3036PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.