Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRLB3036PBFXKMA1
IRLB3036PBFXKMA1

IRLB3036PBFXKMA1 Infineon Technologies

irlb3036pbf.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+116.94 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRLB3036PBFXKMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRLB3036PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 270 A, 2400 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 270A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 380W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm.

Інші пропозиції IRLB3036PBFXKMA1 за ціною від 116.94 грн до 130.26 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRLB3036PBFXKMA1 IRLB3036PBFXKMA1 Infineon Technologies irlb3036pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+116.94 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3036PBFXKMA1 IRLB3036PBFXKMA1 Infineon Technologies irlb3036pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 552 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
110+128.73 грн
Мінімальне замовлення: 110 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3036PBFXKMA1 IRLB3036PBFXKMA1 Infineon Technologies irlb3036pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+130.26 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3036PBFXKMA1 IRLB3036PBFXKMA1 INFINEON 3732235.pdf Description: INFINEON - IRLB3036PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 270 A, 2400 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 380W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
на замовлення 668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3036PBFXKMA1 irlb3036pbf.pdf
IRLB3036PBFXKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+116.94 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3036PBFXKMA1 irlb3036pbf.pdf
IRLB3036PBFXKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 552 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
110+128.73 грн
Мінімальне замовлення: 110 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3036PBFXKMA1 irlb3036pbf.pdf
IRLB3036PBFXKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+130.26 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3036PBFXKMA1 3732235.pdf
IRLB3036PBFXKMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLB3036PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 270 A, 2400 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 380W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
на замовлення 668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.