IRLB3813PBF

IRLB3813PBF


irlb3813pbf-datasheet.pdf
Код товару: 113437
Виробник: IR
Uds,V: 30 V
Idd,A: 190 A
Rds(on), Ohm: 1,95 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 8420/57
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
у наявності 57 шт:

28 шт - склад
14 шт - РАДІОМАГ-Київ
9 шт - РАДІОМАГ-Львів
6 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна без ПДВ
1+66 грн
10+ 60.5 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRLB3813PBF за ціною від 43.43 грн до 121.95 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRLB3813PBF IRLB3813PBF Виробник : Infineon Technologies 125378770676729.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 15279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+43.43 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRLB3813PBF IRLB3813PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlb3813-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
164+71.26 грн
180+ 65.11 грн
500+ 60.58 грн
Мінімальне замовлення: 164
IRLB3813PBF IRLB3813PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlb3813-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+73.29 грн
10+ 66.17 грн
100+ 60.46 грн
500+ 54.25 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRLB3813PBF IRLB3813PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlb3813-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
157+74.5 грн
162+ 72.08 грн
176+ 66.44 грн
200+ 62.28 грн
500+ 57.58 грн
1000+ 52.44 грн
Мінімальне замовлення: 157
IRLB3813PBF IRLB3813PBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irlb3813pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 260A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 260A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+91.28 грн
10+ 80.98 грн
12+ 70 грн
32+ 66.57 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRLB3813PBF IRLB3813PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlb3813-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 15279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+92.04 грн
10+ 78.59 грн
100+ 68.85 грн
500+ 59.98 грн
1000+ 50.43 грн
2000+ 47.05 грн
5000+ 45.54 грн
10000+ 44.32 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRLB3813PBF IRLB3813PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlb3813-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 15279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
119+98.83 грн
139+ 84.39 грн
158+ 73.94 грн
500+ 64.41 грн
1000+ 54.15 грн
2000+ 50.52 грн
5000+ 48.9 грн
10000+ 47.6 грн
Мінімальне замовлення: 119
IRLB3813PBF IRLB3813PBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irlb3813pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 260A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 260A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 41 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+113.75 грн
10+ 97.18 грн
12+ 84 грн
32+ 79.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRLB3813PBF IRLB3813PBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRLB3813_DataSheet_v01_01_EN-3363572.pdf MOSFET MOSFT 30V 190A 1.95mOhm 57nC Qg
на замовлення 3957 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+114.53 грн
10+ 92.44 грн
100+ 67.2 грн
250+ 66.54 грн
500+ 58.44 грн
1000+ 52.38 грн
2000+ 49.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRLB3813PBF IRLB3813PBF Виробник : Infineon Technologies irlb3813pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356603cfe258b Description: MOSFET N-CH 30V 260A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8420 pF @ 15 V
на замовлення 5293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+118.31 грн
50+ 91.83 грн
100+ 75.55 грн
500+ 59.99 грн
1000+ 50.9 грн
2000+ 48.36 грн
5000+ 45.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRLB3813PBF IRLB3813PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlb3813-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
97+121.04 грн
101+ 115.63 грн
250+ 110.99 грн
Мінімальне замовлення: 97
IRLB3813PBF IRLB3813PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlb3813-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
97+121.04 грн
101+ 115.63 грн
250+ 110.99 грн
500+ 103.16 грн
1000+ 92.41 грн
Мінімальне замовлення: 97
IRLB3813PBF IRLB3813PBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012905122-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLB3813PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 260 A, 0.0016 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+121.95 грн
10+ 94.6 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRLB3813PBF IRLB3813PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlb3813-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній

З цим товаром купують

2,2 Ohm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-2R2-Hitano) (резистор SMD)
Код товару: 2133
rc_series_20150401_1.pdf
2,2 Ohm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-2R2-Hitano) (резистор SMD)
Виробник: Hitano
SMD резистори > 1206
Номінал: 2,2 Ohm
Точність: ±5% J
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 200 V
Типорозмір: 1206
у наявності: 3345 шт
очікується: 10000 шт
Кількість Ціна без ПДВ
100+0.2 грн
1000+ 0.15 грн
10000+ 0.12 грн
Мінімальне замовлення: 100
1 Ohm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-1R-Hitano) (резистор SMD)
Код товару: 3314
RC_series.pdf
1 Ohm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-1R-Hitano) (резистор SMD)
Виробник: Hitano
SMD резистори > 1206
Номінал: 1 Ohm
Точність: ±5% J
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 200 V
Типорозмір: 1206
у наявності: 13364 шт
очікується: 25000 шт
Кількість Ціна без ПДВ
100+0.2 грн
1000+ 0.15 грн
10000+ 0.12 грн
Мінімальне замовлення: 100
3,6 Ohm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-3R6-Hitano) (резистор SMD)
Код товару: 11293
rc_series_20150401_1.pdf
3,6 Ohm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-3R6-Hitano) (резистор SMD)
Виробник: Hitano
SMD резистори > 1206
Номінал: 3,6 Ohm
Точність: ±5% J
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 200 V
Типорозмір: 1206
у наявності: 5125 шт
Кількість Ціна без ПДВ
100+0.2 грн
1000+ 0.15 грн
Мінімальне замовлення: 100
BC817-40 (транзистор біполярний NPN)
Код товару: 17873
BC817-40.pdf
BC817-40 (транзистор біполярний NPN)
Виробник: NXP
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-23
fT: 100 MHz
Uceo,V: 45 V
Ucbo,V: 50 V
Ic,A: 0,5 A
h21: 600
Монтаж: SMD
у наявності: 17944 шт
Кількість Ціна без ПДВ
4+1.5 грн
10+ 0.9 грн
100+ 0.8 грн
1000+ 0.6 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRLB8748PBF
Код товару: 100095
irlb8748pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535660665b2595
IRLB8748PBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 30 V
Idd,A: 78 A
Rds(on), Ohm: 4,8 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 2139pF/15V
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
у наявності: 110 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+34 грн
10+ 30.6 грн