Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRLB3813PBF
IRLB3813PBF

IRLB3813PBF

irlb3813pbf-datasheet.pdf
Код товару: 113437
Додати до обраних Обраний товар

Виробник: IR
Корпус: TO-220AB
Напруга сток-витік Uds, В: 30 В
Струм стоку Idd, А: 190 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 1,95 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 8420/57
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
у наявності: 100 шт
  • 100 шт - склад
КількістьЦіна без ПДВ
1+55.00 грн
10+49.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRLB3813PBF за ціною від 44.94 грн до 196.28 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRLB3813PBF IRLB3813PBF Infineon Technologies infineonirlb3813datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+71.69 грн
2000+70.97 грн
5000+70.26 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3813PBF IRLB3813PBF Infineon Technologies infineonirlb3813datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+71.69 грн
2000+70.97 грн
5000+70.26 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3813PBF IRLB3813PBF INFINEON TECHNOLOGIES irlb3813pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 260A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 260A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 212 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+86.48 грн
10+72.48 грн
50+56.83 грн
100+54.36 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3813PBF IRLB3813PBF Infineon Technologies infineonirlb3813datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+101.51 грн
50+100.50 грн
100+92.61 грн
500+72.41 грн
1000+63.99 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3813PBF IRLB3813PBF Infineon Technologies infineonirlb3813datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
139+101.51 грн
140+100.50 грн
152+92.61 грн
500+72.41 грн
1000+63.99 грн
Мінімальне замовлення: 139 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3813PBF IRLB3813PBF Infineon Technologies infineonirlb3813datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 105100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
133+106.42 грн
134+105.34 грн
146+96.25 грн
500+74.00 грн
1000+65.19 грн
2000+61.96 грн
5000+61.34 грн
10000+60.73 грн
Мінімальне замовлення: 133 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3813PBF IRLB3813PBF Infineon Technologies infineonirlb3813datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 105109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+107.01 грн
50+105.93 грн
100+96.79 грн
500+74.42 грн
1000+65.56 грн
2000+62.31 грн
5000+61.69 грн
10000+61.07 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3813PBF IRLB3813PBF Infineon Technologies infineonirlb3813datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
93+152.42 грн
100+145.60 грн
250+139.76 грн
500+129.91 грн
1000+116.36 грн
Мінімальне замовлення: 93 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3813PBF IRLB3813PBF Infineon Technologies infineonirlb3813datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
93+152.42 грн
100+145.60 грн
Мінімальне замовлення: 93 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3813PBF IRLB3813PBF Infineon Technologies irlb3813pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356603cfe258b Description: MOSFET N-CH 30V 260A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8420 pF @ 15 V
на замовлення 11150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+196.28 грн
50+92.21 грн
100+82.80 грн
500+62.19 грн
1000+57.21 грн
2000+53.02 грн
5000+47.69 грн
10000+44.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3813PBF IRLB3813PBF INFINEON 3743212.pdf Description: INFINEON - IRLB3813PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 260 A, 1950 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 230W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1950µohm
на замовлення 2787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3813PBF IRLB3813PBF Infineon Technologies infineonirlb3813datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3813PBF IRLB3813PBF Infineon Technologies Infineon_IRLB3813_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 30V 190A 1.95mOhm 57nC Qg
на замовлення 5827 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3813PBF infineonirlb3813datasheetv0101en.pdf
IRLB3813PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+71.69 грн
2000+70.97 грн
5000+70.26 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3813PBF infineonirlb3813datasheetv0101en.pdf
IRLB3813PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+71.69 грн
2000+70.97 грн
5000+70.26 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3813PBF irlb3813pbf.pdf
IRLB3813PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 260A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 260A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 212 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+86.48 грн
10+72.48 грн
50+56.83 грн
100+54.36 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3813PBF infineonirlb3813datasheetv0101en.pdf
IRLB3813PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+101.51 грн
50+100.50 грн
100+92.61 грн
500+72.41 грн
1000+63.99 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3813PBF infineonirlb3813datasheetv0101en.pdf
IRLB3813PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
139+101.51 грн
140+100.50 грн
152+92.61 грн
500+72.41 грн
1000+63.99 грн
Мінімальне замовлення: 139 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3813PBF infineonirlb3813datasheetv0101en.pdf
IRLB3813PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 105100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
133+106.42 грн
134+105.34 грн
146+96.25 грн
500+74.00 грн
1000+65.19 грн
2000+61.96 грн
5000+61.34 грн
10000+60.73 грн
Мінімальне замовлення: 133 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3813PBF infineonirlb3813datasheetv0101en.pdf
IRLB3813PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 105109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+107.01 грн
50+105.93 грн
100+96.79 грн
500+74.42 грн
1000+65.56 грн
2000+62.31 грн
5000+61.69 грн
10000+61.07 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3813PBF infineonirlb3813datasheetv0101en.pdf
IRLB3813PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
93+152.42 грн
100+145.60 грн
250+139.76 грн
500+129.91 грн
1000+116.36 грн
Мінімальне замовлення: 93 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3813PBF infineonirlb3813datasheetv0101en.pdf
IRLB3813PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
93+152.42 грн
100+145.60 грн
Мінімальне замовлення: 93 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3813PBF irlb3813pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356603cfe258b
IRLB3813PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 260A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8420 pF @ 15 V
на замовлення 11150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+196.28 грн
50+92.21 грн
100+82.80 грн
500+62.19 грн
1000+57.21 грн
2000+53.02 грн
5000+47.69 грн
10000+44.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3813PBF 3743212.pdf
IRLB3813PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLB3813PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 260 A, 1950 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 230W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1950µohm
на замовлення 2787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3813PBF infineonirlb3813datasheetv0101en.pdf
IRLB3813PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3813PBF Infineon_IRLB3813_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRLB3813PBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 30V 190A 1.95mOhm 57nC Qg
на замовлення 5827 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

16pF 50V NP0 5% 0805 4k/reel (C0805N160J500NT-Hitano) (конденсатор керамічний SMD)
Код товару: 2266
Додати до обраних Обраний товар
NPO.pdf
16pF 50V NP0 5% 0805 4k/reel (C0805N160J500NT-Hitano) (конденсатор керамічний SMD)
Виробник: Hitano
Керамічні SMD конденсатори > 0805
Ємність: 16 пФ
Номін. напруга: 50 В
Діелектрик: NP0
Точність: ±5% J
Типорозмір: 0805
УКТЗЕД: 8532 24 00 00
у наявності: 3850 шт
  • 3850 шт - склад
КількістьЦіна без ПДВ
30+0.80 грн
100+0.70 грн
1000+0.50 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC557B
Код товару: 1826
2 Додати до обраних Обраний товар
BC556,BC557.pdf
BC557B
Виробник: NXP
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-92
Гранична частота fT, МГц: 100 МГц
Напруга Uке, В: 45 В
Напруга Uкб, В: 50 В
Струм Iк, А: 0,1 А
Коефіцієнт підсилення h21, max: 475
УКТЗЕД: 8541 21 00 90
у наявності: 62 шт
  • 12 шт - склад
  • 50 шт - РАДІОМАГ-Київ
КількістьЦіна без ПДВ
10+2.00 грн
15+1.40 грн
100+1.10 грн
1000+0.90 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
470 Ohm 5% 0,25W вив. (CF1/4W-470R )
Код товару: 1681
Додати до обраних Обраний товар
cf_resistor-datasheet.pdf
470 Ohm 5% 0,25W вив. (CF1/4W-470R )
Виробник: SR PASSIVES
Вивідні резистори > 0,25W
Номінал: 470 Ом
Точність: ±5%
Номінальна потужність, Вт: 0,25 Вт
Робоча напруга, В: 250 В
Габарити: 6x2,3 mm; Dвив=0,4 mm
Тип: вугільно-плівкові
у наявності: 6777 шт
  • 6550 шт - склад
  • 15 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 40 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 102 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 70 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
30+0.70 грн
100+0.55 грн
1000+0.40 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
10 Ohm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-10R-Hitano) (резистор SMD)
Код товару: 1526
Додати до обраних Обраний товар
RC_series.pdf
10 Ohm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-10R-Hitano) (резистор SMD)
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0805
Номінал: 10 Ом
Точність: ±1% F
Pном, Вт: 0,125 Вт
Uроб, В: 150 В
Типорозмір: 0805
у наявності: 6820 шт
  • 3372 шт - склад
  • 1848 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 100 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 1500 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 30000 шт
  • 30000 шт - очікується 29.10.2026
КількістьЦіна без ПДВ
100+0.30 грн
1000+0.22 грн
10000+0.16 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
47uF 63V EXR 8x12mm (low imp.) (EXR470M63B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)
Код товару: 1443
Додати до обраних Обраний товар
EXR_080421.pdf
47uF 63V EXR 8x12mm (low imp.) (EXR470M63B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 47 мкФ
Номін. напруга: 63 В
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп. діапазон: -40...+105°С
Габарити: 8x12 мм
Строк служби: 3000 годин
УКТЗЕД: 8532 22 00 00
у наявності: 178 шт
  • 71 шт - склад
  • 60 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 47 шт - РАДІОМАГ-Львів
очікується: 10000 шт
  • 10000 шт - очікується 10.08.2026
КількістьЦіна без ПДВ
8+2.50 грн
10+2.10 грн
100+1.80 грн
1000+1.50 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.