Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRLB3813PBF
IRLB3813PBF

IRLB3813PBF

irlb3813pbf-datasheet.pdf
Код товару: 113437
Виробник: IR
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 30 V
Idd,A: 190 A
Rds(on), Ohm: 1,95 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 8420/57
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
у наявності 5 шт:
5 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується 100 шт:
100 шт - очікується 17.04.2026
Кількість Ціна
1+55.00 грн
10+49.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRLB3813PBF за ціною від 39.57 грн до 251.39 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRLB3813PBF IRLB3813PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlb3813datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
168+77.27 грн
180+72.09 грн
182+71.48 грн
200+67.26 грн
1000+58.19 грн
Мінімальне замовлення: 168
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3813PBF IRLB3813PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlb3813datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 19609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
148+88.09 грн
Мінімальне замовлення: 148
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3813PBF IRLB3813PBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irlb3813pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 260A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 260A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 443 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+94.16 грн
10+80.00 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3813PBF IRLB3813PBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irlb3813pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 260A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 260A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 443 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
3+117.34 грн
10+95.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3813PBF IRLB3813PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlb3813datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
94+139.39 грн
97+134.08 грн
101+129.53 грн
250+121.11 грн
500+109.09 грн
1000+102.17 грн
Мінімальне замовлення: 94
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3813PBF IRLB3813PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlb3813datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
94+139.39 грн
97+134.08 грн
101+129.53 грн
250+121.11 грн
Мінімальне замовлення: 94
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3813PBF IRLB3813PBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012905122-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLB3813PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 260 A, 1950 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1950µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 669 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+142.95 грн
10+84.80 грн
100+78.50 грн
500+59.02 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3813PBF IRLB3813PBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRLB3813_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 30V 190A 1.95mOhm 57nC Qg
на замовлення 2598 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+152.64 грн
10+77.38 грн
100+60.71 грн
500+48.25 грн
1000+45.83 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3813PBF IRLB3813PBF Виробник : Infineon Technologies irlb3813pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356603cfe258b Description: MOSFET N-CH 30V 260A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8420 pF @ 15 V
на замовлення 10355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+154.20 грн
50+72.36 грн
100+64.98 грн
500+48.81 грн
1000+44.90 грн
2000+41.61 грн
5000+39.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3813PBF IRLB3813PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlb3813datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 19609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+251.39 грн
50+122.62 грн
100+110.11 грн
500+84.99 грн
1000+72.38 грн
2000+64.40 грн
5000+62.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3813PBF IRLB3813PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlb3813datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3813PBF IRLB3813PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlb3813datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3813PBF Виробник : Vishay / Siliconix irlb3813pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356603cfe258b MOSFETs Discrete Semiconductor Products - MOSFET N-CH 30V 260A TO-220 - MOSFETs - Single
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

PC817A
Код товару: 18418
Додати до обраних Обраний товар

pc817a.pdf
PC817A
Виробник: Sharp
Мікросхеми > Оптрони (оптопари)
Корпус: DIP-4
Тип: Транзистор
Uізол,kV: 5 kV
Iвх/Iвых,mA: 50/50 mA
Uвых,V: 35 V
Ton/Toff,µs: 18/18 µs
Роб.темп.,°С: -30…+100°C
у наявності: 4482 шт
4059 шт - склад
388 шт - РАДІОМАГ-Київ
35 шт - РАДІОМАГ-Львів
Кількість Ціна
5+4.50 грн
10+4.10 грн
100+3.70 грн
1000+3.30 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905PBF
Код товару: 22366
Додати до обраних Обраний товар

irf4905pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e329b1197e
IRF4905PBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Id,A: 74 A
Rds(on),Om: 0,02 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3400/180
Монтаж: THT
у наявності: 1233 шт
1173 шт - склад
28 шт - РАДІОМАГ-Київ
10 шт - РАДІОМАГ-Львів
9 шт - РАДІОМАГ-Харків
13 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+48.50 грн
10+43.60 грн
100+39.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
470 Ohm 5% 0,25W вив. (CF1/4W-470R )
Код товару: 1681
Додати до обраних Обраний товар

cf_resistor-datasheet.pdf
470 Ohm 5% 0,25W вив. (CF1/4W-470R )
Виробник: SR PASSIVES
Вивідні резистори > 0,25W
Номінал: 470 Ohm
Точність: ±5%
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 250 V
Габарити: 6х2,3 mm; Dвів = 0,4 mm
Тип: вугільно-плівкові
у наявності: 37 шт
25 шт - РАДІОМАГ-Київ
2 шт - РАДІОМАГ-Харків
10 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
30+0.70 грн
100+0.55 грн
1000+0.40 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
10 Ohm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-10R-Hitano) (резистор SMD)
Код товару: 1526
Додати до обраних Обраний товар

RC_series.pdf
10 Ohm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-10R-Hitano) (резистор SMD)
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0805
Номінал: 10 Ohm
Точність: ±1% F
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
у наявності: 12220 шт
7672 шт - склад
2248 шт - РАДІОМАГ-Київ
400 шт - РАДІОМАГ-Львів
1900 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 30000 шт
30000 шт - очікується
Кількість Ціна
100+0.30 грн
1000+0.22 грн
10000+0.16 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
47uF 63V EXR 8x12mm (low imp.) (EXR470M63B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)
Код товару: 1443
Додати до обраних Обраний товар

EXR_080421.pdf
47uF 63V EXR 8x12mm (low imp.) (EXR470M63B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 47 µF
Номін.напруга: 63 V
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 8х12mm
Строк життя: 3000 годин
у наявності: 1243 шт
1027 шт - склад
105 шт - РАДІОМАГ-Київ
90 шт - РАДІОМАГ-Львів
21 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 10000 шт
10000 шт - очікується
Кількість Ціна
8+2.50 грн
10+2.10 грн
100+1.80 грн
1000+1.50 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.