Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRLB3813PBF
IRLB3813PBF

IRLB3813PBF

irlb3813pbf-datasheet.pdf
Код товару: 113437
Додати до обраних Обраний товар

Виробник: IR
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 30 V
Idd,A: 190 A
Rds(on), Ohm: 1,95 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 8420/57
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
у наявності: 100 шт
  • 100 шт - склад
КількістьЦіна
1+55.00 грн
10+49.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRLB3813PBF за ціною від 45.86 грн до 200.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IRLB3813PBF IRLB3813PBF INFINEON TECHNOLOGIES irlb3813pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 260A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 260A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 248 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+102.28 грн
6+77.33 грн
10+57.16 грн
50+55.47 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3813PBF IRLB3813PBF Infineon Technologies infineonirlb3813datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
138+102.83 грн
140+101.80 грн
152+93.80 грн
500+73.33 грн
1000+64.80 грн
Мінімальне замовлення: 138 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3813PBF IRLB3813PBF Infineon Technologies infineonirlb3813datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 76609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+106.87 грн
50+105.80 грн
100+96.67 грн
500+74.32 грн
1000+65.47 грн
2000+62.22 грн
5000+60.78 грн
10000+58.38 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3813PBF IRLB3813PBF Infineon Technologies infineonirlb3813datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 76609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
132+107.39 грн
134+106.32 грн
146+97.15 грн
500+74.69 грн
1000+65.79 грн
2000+62.52 грн
5000+61.08 грн
10000+58.68 грн
Мінімальне замовлення: 132 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3813PBF IRLB3813PBF Infineon Technologies infineonirlb3813datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
93+153.79 грн
100+146.91 грн
250+141.01 грн
500+131.07 грн
1000+117.40 грн
Мінімальне замовлення: 93 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3813PBF IRLB3813PBF Infineon Technologies infineonirlb3813datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
93+153.79 грн
100+146.91 грн
250+141.01 грн
Мінімальне замовлення: 93 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3813PBF IRLB3813PBF INFINEON 3743212.pdf Description: INFINEON - IRLB3813PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 260 A, 1950 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 230W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1950µohm
на замовлення 2787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+155.60 грн
10+98.57 грн
100+75.60 грн
500+58.32 грн
1000+50.14 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3813PBF IRLB3813PBF Infineon Technologies Infineon_IRLB3813_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 30V 190A 1.95mOhm 57nC Qg
на замовлення 1870 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+199.59 грн
10+126.07 грн
100+74.72 грн
500+63.05 грн
1000+56.14 грн
2000+53.07 грн
5000+50.42 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3813PBF IRLB3813PBF Infineon Technologies irlb3813pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356603cfe258b Description: MOSFET N-CH 30V 260A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8420 pF @ 15 V
на замовлення 11150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+200.32 грн
50+94.10 грн
100+84.50 грн
500+63.47 грн
1000+58.39 грн
2000+54.11 грн
5000+48.67 грн
10000+45.86 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3813PBF IRLB3813PBF Infineon Technologies infineonirlb3813datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3813PBF irlb3813pbf.pdf
IRLB3813PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 260A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 260A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 248 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
5+102.28 грн
6+77.33 грн
10+57.16 грн
50+55.47 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3813PBF infineonirlb3813datasheetv0101en.pdf
IRLB3813PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
138+102.83 грн
140+101.80 грн
152+93.80 грн
500+73.33 грн
1000+64.80 грн
Мінімальне замовлення: 138 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3813PBF infineonirlb3813datasheetv0101en.pdf
IRLB3813PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 76609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8+106.87 грн
50+105.80 грн
100+96.67 грн
500+74.32 грн
1000+65.47 грн
2000+62.22 грн
5000+60.78 грн
10000+58.38 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3813PBF infineonirlb3813datasheetv0101en.pdf
IRLB3813PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 76609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
132+107.39 грн
134+106.32 грн
146+97.15 грн
500+74.69 грн
1000+65.79 грн
2000+62.52 грн
5000+61.08 грн
10000+58.68 грн
Мінімальне замовлення: 132 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3813PBF infineonirlb3813datasheetv0101en.pdf
IRLB3813PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
93+153.79 грн
100+146.91 грн
250+141.01 грн
500+131.07 грн
1000+117.40 грн
Мінімальне замовлення: 93 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3813PBF infineonirlb3813datasheetv0101en.pdf
IRLB3813PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
93+153.79 грн
100+146.91 грн
250+141.01 грн
Мінімальне замовлення: 93 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3813PBF 3743212.pdf
IRLB3813PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLB3813PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 260 A, 1950 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 230W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1950µohm
на замовлення 2787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+155.60 грн
10+98.57 грн
100+75.60 грн
500+58.32 грн
1000+50.14 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3813PBF Infineon_IRLB3813_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRLB3813PBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 30V 190A 1.95mOhm 57nC Qg
на замовлення 1870 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+199.59 грн
10+126.07 грн
100+74.72 грн
500+63.05 грн
1000+56.14 грн
2000+53.07 грн
5000+50.42 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3813PBF irlb3813pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356603cfe258b
IRLB3813PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 260A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8420 pF @ 15 V
на замовлення 11150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+200.32 грн
50+94.10 грн
100+84.50 грн
500+63.47 грн
1000+58.39 грн
2000+54.11 грн
5000+48.67 грн
10000+45.86 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3813PBF infineonirlb3813datasheetv0101en.pdf
IRLB3813PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

PC817A
Код товару: 18418
10 Додати до обраних Обраний товар
pc817a.pdf
PC817A
Виробник: Sharp
Мікросхеми > Оптрони (оптопари)
Корпус: DIP-4
Тип: Транзистор
Uізол,kV: 5 kV
Iвх/Iвых,mA: 50/50 mA
Uвых,V: 35 V
Ton/Toff,µs: 18/18 µs
Роб.темп.,°С: -30…+100°C
у наявності: 9992 шт
  • 9302 шт - склад
  • 255 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 175 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 44 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 216 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна
4+5.00 грн
10+4.40 грн
100+3.90 грн
1000+3.40 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
16pF 50V NP0 5% 0805 4k/reel (C0805N160J500NT-Hitano) (конденсатор керамічний SMD)
Код товару: 2266
Додати до обраних Обраний товар
NPO.pdf
16pF 50V NP0 5% 0805 4k/reel (C0805N160J500NT-Hitano) (конденсатор керамічний SMD)
Виробник: Hitano
Керамічні SMD конденсатори > 0805
Ємність: 16 pF
Номін.напруга: 50 V
Діелектрик: NP0
Точність: ±5% J
Типорозмір: 0805
у наявності: 4000 шт
  • 4000 шт - склад
КількістьЦіна
30+0.80 грн
100+0.70 грн
1000+0.50 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC557B
Код товару: 1826
1 Додати до обраних Обраний товар
BC556,BC557.pdf
BC557B
Виробник: NXP
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-92
fT: 100 MHz
Uке, В: 45 V
Uкб, В: 50 V
Iк, А: 0,1 A
h21,max: 475
у наявності: 177 шт
  • 127 шт - склад
  • 50 шт - РАДІОМАГ-Київ
очікується: 2000 шт
  • 2000 шт - очікується 22.06.2026
КількістьЦіна
10+2.00 грн
15+1.40 грн
100+1.10 грн
1000+0.90 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
470 Ohm 5% 0,25W вив. (CF1/4W-470R )
Код товару: 1681
Додати до обраних Обраний товар
cf_resistor-datasheet.pdf
470 Ohm 5% 0,25W вив. (CF1/4W-470R )
Виробник: SR PASSIVES
Вивідні резистори > 0,25W
Номінал: 470 Ohm
Точність: ±5%
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 250 V
Габарити: 6х2,3 mm; Dвів = 0,4 mm
Тип: вугільно-плівкові
у наявності: 6937 шт
  • 6700 шт - склад
  • 15 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 40 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 102 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 80 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна
30+0.70 грн
100+0.55 грн
1000+0.40 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
10 Ohm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-10R-Hitano) (резистор SMD)
Код товару: 1526
Додати до обраних Обраний товар
RC_series.pdf
10 Ohm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-10R-Hitano) (резистор SMD)
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0805
Номінал: 10 Ohm
Точність: ±1% F
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
у наявності: 9020 шт
  • 5172 шт - склад
  • 2048 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 200 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 1600 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 30000 шт
  • 30000 шт - очікується 29.10.2026
КількістьЦіна
100+0.30 грн
1000+0.22 грн
10000+0.16 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.