IRLB3813PBF
Код товару: 113437
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: IR
Корпус: TO-220AB
Напруга сток-витік Uds, В: 30 В
Струм стоку Idd, А: 190 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 1,95 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 8420/57
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 55.00 грн |
| 10+ | 49.50 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRLB3813PBF за ціною від 55.35 грн до 232.49 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRLB3813PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRLB3813PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRLB3813PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 260A; 230W; TO220AB Transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 260A Power dissipation: 230W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.95mΩ Mounting: THT Gate charge: 57nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level |
на замовлення 166 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRLB3813PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 105100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRLB3813PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRLB3813PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 243 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRLB3813PBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 260A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8420 pF @ 15 V |
на замовлення 9949 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRLB3813PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1441 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRLB3813PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1441 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRLB3813PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 105109 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRLB3813PBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 30V 190A 1.95mOhm 57nC Qg |
на замовлення 5178 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
IRLB3813PBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLB3813PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 260 A, 1950 µohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 260A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V Verlustleistung: 230W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1950µohm |
на замовлення 2645 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
IRLB3813PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IRLB3813PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 75.55 грн |
| 2000+ | 70.58 грн |
| IRLB3813PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 75.55 грн |
| 2000+ | 70.58 грн |
| IRLB3813PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 260A; 230W; TO220AB
Transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 260A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 260A; 230W; TO220AB
Transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 260A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 166 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 88.06 грн |
| 10+ | 73.80 грн |
| 50+ | 57.87 грн |
| 100+ | 55.35 грн |
| IRLB3813PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 105100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 121+ | 117.63 грн |
| 122+ | 116.46 грн |
| 133+ | 106.47 грн |
| 500+ | 70.42 грн |
| IRLB3813PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 93+ | 153.45 грн |
| 100+ | 146.58 грн |
| 250+ | 140.70 грн |
| 500+ | 130.78 грн |
| 1000+ | 117.14 грн |
| IRLB3813PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 93+ | 153.45 грн |
| 100+ | 146.58 грн |
| IRLB3813PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 260A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8420 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 260A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8420 pF @ 15 V
на замовлення 9949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 192.82 грн |
| 10+ | 119.63 грн |
| 50+ | 91.21 грн |
| 100+ | 77.00 грн |
| 500+ | 61.91 грн |
| IRLB3813PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 197.50 грн |
| 10+ | 110.96 грн |
| 50+ | 109.86 грн |
| 100+ | 97.79 грн |
| 500+ | 63.98 грн |
| IRLB3813PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 72+ | 197.84 грн |
| 128+ | 111.15 грн |
| 129+ | 110.05 грн |
| 140+ | 97.96 грн |
| 500+ | 64.09 грн |
| IRLB3813PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 105109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 232.49 грн |
| 10+ | 119.04 грн |
| 50+ | 117.85 грн |
| 100+ | 103.90 грн |
| 500+ | 65.98 грн |
| IRLB3813PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 30V 190A 1.95mOhm 57nC Qg
MOSFETs MOSFT 30V 190A 1.95mOhm 57nC Qg
на замовлення 5178 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IRLB3813PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLB3813PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 260 A, 1950 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 230W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1950µohm
Description: INFINEON - IRLB3813PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 260 A, 1950 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 230W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1950µohm
на замовлення 2645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRLB3813PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
З цим товаром купують
| 16pF 50V NP0 5% 0805 4k/reel (C0805N160J500NT-Hitano) (конденсатор керамічний SMD) Код товару: 2266
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Керамічні SMD конденсатори > 0805
Ємність: 16 пФ
Номін. напруга: 50 В
Діелектрик: NP0
Точність: ±5% J
Типорозмір: 0805
УКТЗЕД: 8532 24 00 00
Керамічні SMD конденсатори > 0805
Ємність: 16 пФ
Номін. напруга: 50 В
Діелектрик: NP0
Точність: ±5% J
Типорозмір: 0805
УКТЗЕД: 8532 24 00 00
у наявності: 3850 шт
- 3850 шт - склад
на замовлення: 2 шт
- 2 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 1.00 грн |
| 100+ | 0.80 грн |
| 1000+ | 0.60 грн |
| BC557B Код товару: 1826
2
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: NXP
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-92
Гранична частота fT, МГц: 100 МГц
Напруга Uке, В: 45 В
Напруга Uкб, В: 50 В
Струм Iк, А: 0,1 А
Коефіцієнт підсилення h21, max: 475
УКТЗЕД: 8541 21 00 90
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-92
Гранична частота fT, МГц: 100 МГц
Напруга Uке, В: 45 В
Напруга Uкб, В: 50 В
Струм Iк, А: 0,1 А
Коефіцієнт підсилення h21, max: 475
УКТЗЕД: 8541 21 00 90
товару немає в наявності
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 20.00 грн |
| 10+ | 2.00 грн |
| 100+ | 1.10 грн |
| 1000+ | 0.90 грн |
| 470 Ohm 5% 0,25W вив. (CF1/4W-470R ) Код товару: 1681
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: SR PASSIVES
Вивідні резистори > 0,25W
Номінал: 470 Ом
Точність: ±5%
Номінальна потужність, Вт: 0,25 Вт
Робоча напруга, В: 250 В
Габарити: 6x2,3 mm; Dвив=0,4 mm
Тип: вугільно-плівкові
Вивідні резистори > 0,25W
Номінал: 470 Ом
Точність: ±5%
Номінальна потужність, Вт: 0,25 Вт
Робоча напруга, В: 250 В
Габарити: 6x2,3 mm; Dвив=0,4 mm
Тип: вугільно-плівкові
у наявності: 5707 шт
- 5020 шт - склад
- 15 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 510 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 102 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 60 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 30+ | 0.70 грн |
| 100+ | 0.55 грн |
| 1000+ | 0.40 грн |
| 10 Ohm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-10R-Hitano) (резистор SMD) Код товару: 1526
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0805
Номінал: 10 Ом
Точність: ±1% F
Pном, Вт: 0,125 Вт
Uроб, В: 150 В
Типорозмір: 0805
SMD резистори > 0805
Номінал: 10 Ом
Точність: ±1% F
Pном, Вт: 0,125 Вт
Uроб, В: 150 В
Типорозмір: 0805
у наявності: 3600 шт
- 1852 шт - склад
- 548 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 100 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 1100 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 30000 шт
- 30000 шт - очікується 29.08.2026
на замовлення: 3474 шт
- 3474 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 0.30 грн |
| 1000+ | 0.22 грн |
| 10000+ | 0.16 грн |
| 47uF 63V EXR 8x12mm (low imp.) (EXR470M63B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний) Код товару: 1443
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 47 мкФ
Номін. напруга: 63 В
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп. діапазон: -40...+105°С
Габарити: 8x12 мм
Строк служби: 3000 годин
УКТЗЕД: 8532 22 00 00
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 47 мкФ
Номін. напруга: 63 В
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп. діапазон: -40...+105°С
Габарити: 8x12 мм
Строк служби: 3000 годин
УКТЗЕД: 8532 22 00 00
у наявності: 9502 шт
- 9300 шт - склад
- 202 шт - РАДІОМАГ-Київ
очікується: 500 шт
- 500 шт - очікується
на замовлення: 396 шт
- 396 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 2.50 грн |
| 10+ | 2.10 грн |
| 100+ | 1.80 грн |
| 1000+ | 1.50 грн |












