Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRLB3813PBF
IRLB3813PBF

IRLB3813PBF

irlb3813pbf-datasheet.pdf
Код товару: 113437
Виробник: IR
Uds,V: 30 V
Idd,A: 190 A
Rds(on), Ohm: 1,95 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 8420/57
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
у наявності 107 шт:
65 шт - склад
7 шт - РАДІОМАГ-Київ
7 шт - РАДІОМАГ-Львів
3 шт - РАДІОМАГ-Одеса
25 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+55.00 грн
10+49.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRLB3813PBF за ціною від 41.51 грн до 132.05 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRLB3813PBF IRLB3813PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlb3813-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 9819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+42.33 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3813PBF IRLB3813PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlb3813-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 9810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
270+45.27 грн
Мінімальне замовлення: 270
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3813PBF IRLB3813PBF Виробник : Infineon Technologies 125378770676729.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 15079 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+48.49 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3813PBF IRLB3813PBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E8F58257EF1A6F5005056AB5A8F&compId=irlb3813pbf.pdf?ci_sign=b8af6369f50e2b78444ab244deef2c85b9ccbb1a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 260A; 230W; TO220AB
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 260A
On-state resistance: 1.95mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 230W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 57nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220AB
на замовлення 799 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+101.92 грн
10+90.43 грн
12+78.17 грн
32+73.57 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3813PBF IRLB3813PBF Виробник : Infineon Technologies irlb3813pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356603cfe258b Description: MOSFET N-CH 30V 260A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8420 pF @ 15 V
на замовлення 11908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+114.60 грн
50+65.46 грн
100+63.64 грн
500+51.21 грн
1000+47.10 грн
2000+43.65 грн
5000+41.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3813PBF IRLB3813PBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E8F58257EF1A6F5005056AB5A8F&compId=irlb3813pbf.pdf?ci_sign=b8af6369f50e2b78444ab244deef2c85b9ccbb1a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 260A; 230W; TO220AB
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 260A
On-state resistance: 1.95mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 230W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 57nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220AB
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 799 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+127.01 грн
10+108.51 грн
12+93.80 грн
32+88.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3813PBF IRLB3813PBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRLB3813_DataSheet_v01_01_EN-3363572.pdf MOSFETs MOSFT 30V 190A 1.95mOhm 57nC Qg
на замовлення 3352 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+127.89 грн
10+78.68 грн
100+64.74 грн
500+56.65 грн
1000+52.09 грн
2000+48.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3813PBF IRLB3813PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlb3813-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
94+131.12 грн
100+125.26 грн
250+120.23 грн
Мінімальне замовлення: 94
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3813PBF IRLB3813PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlb3813-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
94+131.12 грн
100+125.26 грн
250+120.23 грн
500+111.75 грн
1000+100.10 грн
Мінімальне замовлення: 94
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3813PBF IRLB3813PBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012905122-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLB3813PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 260 A, 0.0016 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+132.05 грн
11+78.24 грн
100+72.96 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3813PBF IRLB3813PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlb3813-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3813PBF IRLB3813PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlb3813-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

PC817A
Код товару: 18418
Додати до обраних Обраний товар

pc817a.pdf
PC817A
Виробник: Sharp
Мікросхеми > Оптрони (оптопари)
Корпус: DIP-4
Тип: Транзистор
Uізол,kV: 5 kV
Iвх/Iвых,mA: 50/50 mA
Uвых,V: 35 V
Ton/Toff,µs: 18/18 µs
Роб.темп.,°С: -30…+100°C
у наявності: 6754 шт
6571 шт - склад
59 шт - РАДІОМАГ-Київ
95 шт - РАДІОМАГ-Львів
20 шт - РАДІОМАГ-Харків
9 шт - РАДІОМАГ-Одеса
Кількість Ціна
3+4.50 грн
10+4.10 грн
100+3.70 грн
1000+3.30 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905PBF
Код товару: 22366
Додати до обраних Обраний товар

irf4905pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e329b1197e
IRF4905PBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Id,A: 74 A
Rds(on),Om: 0,02 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3400/180
Монтаж: THT
у наявності: 2059 шт
1963 шт - склад
28 шт - РАДІОМАГ-Київ
32 шт - РАДІОМАГ-Львів
4 шт - РАДІОМАГ-Харків
18 шт - РАДІОМАГ-Одеса
14 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+48.50 грн
10+43.60 грн
100+39.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1,3 Ohm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-1R3-Hitano) (резистор SMD)
Код товару: 2110
Додати до обраних Обраний товар

rc_series_20150401_1.pdf
1,3 Ohm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-1R3-Hitano) (резистор SMD)
Виробник: Hitano
SMD резистори > 1206
Номінал: 1,3 Ohm
Точність: ±5% J
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 200 V
Типорозмір: 1206
у наявності: 29333 шт
16373 шт - склад
3890 шт - РАДІОМАГ-Львів
3080 шт - РАДІОМАГ-Харків
3990 шт - РАДІОМАГ-Одеса
2000 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
100+0.20 грн
1000+0.15 грн
10000+0.12 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
470 Ohm 5% 0,25W вив. (CF1/4W-470R )
Код товару: 1681
Додати до обраних Обраний товар

cf_resistor-datasheet.pdf
470 Ohm 5% 0,25W вив. (CF1/4W-470R )
Виробник: SR PASSIVES
Вивідні резистори > 0,25W
Номінал: 470 Ohm
Точність: ±5%
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 250 V
Габарити: 6х2,3 mm; Dвів = 0,4 mm
Тип: вугільно-плівкові
у наявності: 5792 шт
4423 шт - склад
535 шт - РАДІОМАГ-Київ
355 шт - РАДІОМАГ-Львів
339 шт - РАДІОМАГ-Харків
140 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
20+0.70 грн
100+0.55 грн
1000+0.40 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
47 Ohm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-47R-Hitano) (резистор SMD)
Код товару: 1236
Додати до обраних Обраний товар

rc_series_20150401_1.pdf
47 Ohm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-47R-Hitano) (резистор SMD)
Виробник: Hitano
SMD резистори > 1206
Номінал: 47 Ohm
Точність: ±5% J
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 200 V
Типорозмір: 1206
у наявності: 11030 шт
4400 шт - РАДІОМАГ-Київ
3013 шт - РАДІОМАГ-Львів
217 шт - РАДІОМАГ-Харків
700 шт - РАДІОМАГ-Одеса
2700 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
100+0.20 грн
1000+0.15 грн
10000+0.12 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.