IRLB8314PBF

IRLB8314PBF Infineon Technologies


116714363039863irlb8314pbf.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 233 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+20.85 грн
Мінімальне замовлення: 15
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRLB8314PBF Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 171A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 171A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 68A, 10V, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 100µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5050 pF @ 15 V.

Інші пропозиції IRLB8314PBF за ціною від 24.14 грн до 83.31 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRLB8314PBF IRLB8314PBF Виробник : Infineon Technologies 116714363039863irlb8314pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16+36.49 грн
17+ 33.59 грн
100+ 30.1 грн
Мінімальне замовлення: 16
IRLB8314PBF IRLB8314PBF Виробник : Infineon Technologies irlb8314pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356604d6f258f Description: MOSFET N-CH 30V 171A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 171A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 68A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5050 pF @ 15 V
на замовлення 668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+65.64 грн
50+ 51.05 грн
100+ 40.46 грн
500+ 32.18 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRLB8314PBF IRLB8314PBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irlb8314pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356604d6f258f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; Idm: 664A; 125W; TO220AB
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 120A
On-state resistance: 2.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 664A
Mounting: THT
Case: TO220AB
на замовлення 257 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+66.6 грн
10+ 48.1 грн
31+ 26.45 грн
83+ 25.01 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRLB8314PBF IRLB8314PBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRLB8314_DS_v02_00_EN-1732079.pdf MOSFET TRENCH <= 40V
на замовлення 2079 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+71.57 грн
10+ 57.88 грн
100+ 39.11 грн
500+ 33.18 грн
1000+ 29.62 грн
2000+ 27.64 грн
5000+ 24.14 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRLB8314PBF IRLB8314PBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irlb8314pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356604d6f258f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; Idm: 664A; 125W; TO220AB
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 120A
On-state resistance: 2.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 664A
Mounting: THT
Case: TO220AB
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 257 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+79.91 грн
10+ 59.94 грн
31+ 31.74 грн
83+ 30.01 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRLB8314PBF IRLB8314PBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0002837836-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLB8314PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 130 A, 0.0019 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Anzahl der Pins: 3Pins
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4627 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+81.39 грн
12+ 63.56 грн
100+ 45.65 грн
500+ 35.93 грн
1000+ 27.65 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRLB8314PBF IRLB8314PBF Виробник : Infineon Technologies 116714363039863irlb8314pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
138+83.31 грн
144+ 79.61 грн
171+ 66.98 грн
200+ 58.49 грн
500+ 50.34 грн
1000+ 36.58 грн
2000+ 34.75 грн
Мінімальне замовлення: 138
IRLB8314PBF IRLB8314PBF Виробник : Infineon Technologies 116714363039863irlb8314pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRLB8314PBF Виробник : Infineon Technologies irlb8314pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356604d6f258f N-кан. MOSFET 30V, 184А, 125W, TO-220-3
на замовлення 75 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
IRLB8314PBF
Код товару: 145201
irlb8314pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356604d6f258f Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній