Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRLB8314PBF

IRLB8314PBF

irlb8314pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356604d6f258f
Код товару: 145201
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRLB8314PBF за ціною від 35.98 грн до 202.75 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRLB8314PBF IRLB8314PBF Infineon Technologies infineonirlb8314dsv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 10046 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+43.49 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB8314PBF IRLB8314PBF Infineon Technologies infineonirlb8314dsv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 10044 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
324+43.80 грн
Мінімальне замовлення: 324 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB8314PBF IRLB8314PBF Infineon Technologies infineonirlb8314dsv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+50.65 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB8314PBF IRLB8314PBF Infineon Technologies infineonirlb8314dsv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+50.65 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB8314PBF IRLB8314PBF INFINEON TECHNOLOGIES irlb8314pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356604d6f258f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; Idm: 664A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 664A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 430 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+101.12 грн
10+59.41 грн
50+40.14 грн
100+38.06 грн
250+35.98 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB8314PBF IRLB8314PBF Infineon Technologies infineonirlb8314dsv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+124.74 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB8314PBF IRLB8314PBF Infineon Technologies infineonirlb8314dsv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
113+126.40 грн
Мінімальне замовлення: 113 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB8314PBF IRLB8314PBF Infineon Technologies irlb8314pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356604d6f258f Description: MOSFET N-CH 30V 171A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 171A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 68A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5050 pF @ 15 V
на замовлення 1171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+163.09 грн
10+100.66 грн
50+76.31 грн
100+64.26 грн
500+51.35 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB8314PBF IRLB8314PBF Infineon irlb8314pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356604d6f258f N-кан. MOSFET 30V, 184А, 125W, TO-220-3 Транзистори
на замовлення 75 шт:
термін постачання 4-5 дні (днів)
4+202.75 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB8314PBF IRLB8314PBF Infineon Technologies infineon_irlb8314_ds_en.pdf MOSFETs IR FET UP TO 60V
на замовлення 5541 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB8314PBF IRLB8314PBF INFINEON 3029338.pdf Description: INFINEON - IRLB8314PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 171 A, 2400 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 171A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
на замовлення 2543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB8314PBF infineonirlb8314dsv0200en.pdf
IRLB8314PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 10046 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
18+43.49 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB8314PBF infineonirlb8314dsv0200en.pdf
IRLB8314PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 10044 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
324+43.80 грн
Мінімальне замовлення: 324 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB8314PBF infineonirlb8314dsv0200en.pdf
IRLB8314PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+50.65 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB8314PBF infineonirlb8314dsv0200en.pdf
IRLB8314PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+50.65 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB8314PBF irlb8314pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356604d6f258f
IRLB8314PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; Idm: 664A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 664A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 430 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+101.12 грн
10+59.41 грн
50+40.14 грн
100+38.06 грн
250+35.98 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB8314PBF infineonirlb8314dsv0200en.pdf
IRLB8314PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+124.74 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB8314PBF infineonirlb8314dsv0200en.pdf
IRLB8314PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
113+126.40 грн
Мінімальне замовлення: 113 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB8314PBF irlb8314pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356604d6f258f
IRLB8314PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 171A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 171A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 68A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5050 pF @ 15 V
на замовлення 1171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+163.09 грн
10+100.66 грн
50+76.31 грн
100+64.26 грн
500+51.35 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB8314PBF irlb8314pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356604d6f258f
IRLB8314PBF
Виробник: Infineon
N-кан. MOSFET 30V, 184А, 125W, TO-220-3 Транзистори
на замовлення 75 шт:
термін постачання 4-5 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+202.75 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB8314PBF infineon_irlb8314_ds_en.pdf
IRLB8314PBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IR FET UP TO 60V
на замовлення 5541 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB8314PBF 3029338.pdf
IRLB8314PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLB8314PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 171 A, 2400 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 171A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
на замовлення 2543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.