IRLB8314PBF Infineon Technologies
на замовлення 997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 23.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRLB8314PBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRLB8314PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 171 A, 0.0024 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 171A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRLB8314PBF за ціною від 21.17 грн до 117.37 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRLB8314PBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 30V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 18543 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRLB8314PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 137153 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRLB8314PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 18557 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRLB8314PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; Idm: 664A; 125W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 120A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.4mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 664A |
на замовлення 968 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRLB8314PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 171A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 171A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 68A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5050 pF @ 15 V |
на замовлення 1070 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRLB8314PBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH <= 40V |
на замовлення 988 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRLB8314PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; Idm: 664A; 125W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 120A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.4mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 664A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 968 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRLB8314PBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLB8314PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 171 A, 0.0024 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 171A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 3789 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRLB8314PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1626 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| IRLB8314PBF | Виробник : Infineon Technologies |
N-кан. MOSFET 30V, 184А, 125W, TO-220-3 |
на замовлення 75 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
|
IRLB8314PBF Код товару: 145201
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||||
|
|
IRLB8314PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |