IRLB8314PBF


irlb8314pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356604d6f258f
Код товару: 145201
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRLB8314PBF за ціною від 26.84 грн до 201.54 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRLB8314PBF IRLB8314PBF Infineon Technologies infineonirlb8314dsv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 10944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
358+39.55 грн
362+39.16 грн
371+38.21 грн
500+36.06 грн
1000+31.17 грн
2000+28.98 грн
5000+27.11 грн
10000+26.84 грн
Мінімальне замовлення: 358 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB8314PBF IRLB8314PBF Infineon Technologies infineonirlb8314dsv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 10962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+39.76 грн
50+39.38 грн
100+38.41 грн
500+36.27 грн
1000+31.35 грн
2000+29.14 грн
5000+27.26 грн
10000+26.99 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB8314PBF IRLB8314PBF Infineon Technologies infineonirlb8314dsv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+50.12 грн
2000+46.18 грн
5000+39.37 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB8314PBF IRLB8314PBF Infineon Technologies infineonirlb8314dsv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+50.12 грн
2000+46.18 грн
5000+39.37 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB8314PBF IRLB8314PBF Infineon Technologies infineonirlb8314dsv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+68.75 грн
50+68.06 грн
100+62.20 грн
500+56.64 грн
1000+43.96 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB8314PBF IRLB8314PBF Infineon Technologies infineonirlb8314dsv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
206+68.75 грн
208+68.06 грн
228+62.20 грн
500+56.64 грн
1000+43.96 грн
Мінімальне замовлення: 206 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB8314PBF IRLB8314PBF Infineon Technologies irlb8314pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356604d6f258f Description: MOSFET N-CH 30V 171A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5050 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 68A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 171A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+100.74 грн
50+45.79 грн
100+40.80 грн
500+30.06 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB8314PBF IRLB8314PBF INFINEON TECHNOLOGIES irlb8314pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356604d6f258f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; Idm: 664A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 120A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 664A
на замовлення 36 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+104.47 грн
10+47.01 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB8314PBF IRLB8314PBF Infineon irlb8314pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356604d6f258f N-кан. MOSFET 30V, 184А, 125W, TO-220-3 Транзистори
на замовлення 75 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
2+201.54 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB8314PBF IRLB8314PBF INFINEON irlb8314pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356604d6f258f Description: INFINEON - IRLB8314PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 171 A, 2400 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 171A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2754 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB8314PBF IRLB8314PBF Infineon Technologies Infineon-IRLB8314-DS-v02_00-EN.pdf MOSFETs IR FET UP TO 60V
на замовлення 3067 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB8314PBF infineonirlb8314dsv0200en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 10944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
358+39.55 грн
362+39.16 грн
371+38.21 грн
500+36.06 грн
1000+31.17 грн
2000+28.98 грн
5000+27.11 грн
10000+26.84 грн
Мінімальне замовлення: 358 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB8314PBF infineonirlb8314dsv0200en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 10962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
19+39.76 грн
50+39.38 грн
100+38.41 грн
500+36.27 грн
1000+31.35 грн
2000+29.14 грн
5000+27.26 грн
10000+26.99 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB8314PBF infineonirlb8314dsv0200en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+50.12 грн
2000+46.18 грн
5000+39.37 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB8314PBF infineonirlb8314dsv0200en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+50.12 грн
2000+46.18 грн
5000+39.37 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB8314PBF infineonirlb8314dsv0200en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+68.75 грн
50+68.06 грн
100+62.20 грн
500+56.64 грн
1000+43.96 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB8314PBF infineonirlb8314dsv0200en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
206+68.75 грн
208+68.06 грн
228+62.20 грн
500+56.64 грн
1000+43.96 грн
Мінімальне замовлення: 206 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB8314PBF irlb8314pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356604d6f258f
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 171A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5050 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 68A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 171A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+100.74 грн
50+45.79 грн
100+40.80 грн
500+30.06 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB8314PBF irlb8314pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356604d6f258f
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; Idm: 664A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 120A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 664A
на замовлення 36 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+104.47 грн
10+47.01 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB8314PBF irlb8314pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356604d6f258f
Виробник: Infineon
N-кан. MOSFET 30V, 184А, 125W, TO-220-3 Транзистори
на замовлення 75 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+201.54 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB8314PBF irlb8314pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356604d6f258f
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLB8314PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 171 A, 2400 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 171A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2754 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB8314PBF Infineon-IRLB8314-DS-v02_00-EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IR FET UP TO 60V
на замовлення 3067 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.