Інші пропозиції IRLB8314PBF за ціною від 26.84 грн до 201.54 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRLB8314PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 10944 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRLB8314PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 10962 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRLB8314PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRLB8314PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRLB8314PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1526 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRLB8314PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1526 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRLB8314PBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 171A TO220-3Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5050 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 100µA Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 68A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 171A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube |
на замовлення 897 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRLB8314PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; Idm: 664A; 125W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 120A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.4mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 664A |
на замовлення 36 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRLB8314PBF | Infineon |
N-кан. MOSFET 30V, 184А, 125W, TO-220-3 Транзистори |
на замовлення 75 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRLB8314PBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLB8314PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 171 A, 2400 µohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 171A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2754 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
IRLB8314PBF | Infineon Technologies |
MOSFETs IR FET UP TO 60V |
на замовлення 3067 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IRLB8314PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 30V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 10944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 358+ | 39.55 грн |
| 362+ | 39.16 грн |
| 371+ | 38.21 грн |
| 500+ | 36.06 грн |
| 1000+ | 31.17 грн |
| 2000+ | 28.98 грн |
| 5000+ | 27.11 грн |
| 10000+ | 26.84 грн |
| IRLB8314PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 30V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 10962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 19+ | 39.76 грн |
| 50+ | 39.38 грн |
| 100+ | 38.41 грн |
| 500+ | 36.27 грн |
| 1000+ | 31.35 грн |
| 2000+ | 29.14 грн |
| 5000+ | 27.26 грн |
| 10000+ | 26.99 грн |
| IRLB8314PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 30V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 50.12 грн |
| 2000+ | 46.18 грн |
| 5000+ | 39.37 грн |
| IRLB8314PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 30V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 50.12 грн |
| 2000+ | 46.18 грн |
| 5000+ | 39.37 грн |
| IRLB8314PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 30V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 11+ | 68.75 грн |
| 50+ | 68.06 грн |
| 100+ | 62.20 грн |
| 500+ | 56.64 грн |
| 1000+ | 43.96 грн |
| IRLB8314PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 30V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 206+ | 68.75 грн |
| 208+ | 68.06 грн |
| 228+ | 62.20 грн |
| 500+ | 56.64 грн |
| 1000+ | 43.96 грн |
| IRLB8314PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 171A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5050 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 68A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 171A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Description: MOSFET N-CH 30V 171A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5050 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 68A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 171A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 100.74 грн |
| 50+ | 45.79 грн |
| 100+ | 40.80 грн |
| 500+ | 30.06 грн |
| IRLB8314PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; Idm: 664A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 120A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 664A
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; Idm: 664A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 120A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 664A
на замовлення 36 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 104.47 грн |
| 10+ | 47.01 грн |
| IRLB8314PBF |
![]() |
Виробник: Infineon
N-кан. MOSFET 30V, 184А, 125W, TO-220-3 Транзистори
N-кан. MOSFET 30V, 184А, 125W, TO-220-3 Транзистори
на замовлення 75 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 201.54 грн |
| IRLB8314PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLB8314PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 171 A, 2400 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 171A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IRLB8314PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 171 A, 2400 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 171A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2754 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRLB8314PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IR FET UP TO 60V
MOSFETs IR FET UP TO 60V
на замовлення 3067 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)








