Інші пропозиції IRLB8314PBF за ціною від 20.12 грн до 198.45 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRLB8314PBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 30V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 17962 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRLB8314PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 17960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRLB8314PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRLB8314PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRLB8314PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1526 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRLB8314PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; Idm: 664A; 125W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 120A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.4mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 664A |
на замовлення 157 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRLB8314PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 171A TO220-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5050 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 100µA Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 68A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 171A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube |
на замовлення 897 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRLB8314PBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs IR FET UP TO 60V |
на замовлення 3332 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRLB8314PBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLB8314PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 171 A, 2400 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 171A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2754 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRLB8314PBF | Виробник : Infineon |
N-кан. MOSFET 30V, 184А, 125W, TO-220-3 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
на замовлення 75 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
|