
IRLB8743PBF Infineon Technologies
на замовлення 39050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
18+ | 33.87 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRLB8743PBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRLB8743PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0025 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 140W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Можливі заміни IRLB8743PBF Infineon Technologies
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
LB8743 Код товару: 199949
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : JSMSEMI |
![]() Корпус: TO-220AB Uds,V: 30 V Idd,A: 110 A Rds(on), Ohm: 2,9 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 6201/171 Монтаж: THT |
у наявності: 79 шт
79 шт - склад
|
|
Інші пропозиції IRLB8743PBF за ціною від 34.95 грн до 76.15 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRLB8743PBF Код товару: 124979
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : IR |
![]() Корпус: TO-220AB Uds,V: 30 V Idd,A: 78 A Rds(on), Ohm: 3,2 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 5110/36 Монтаж: THT |
товару немає в наявності
|
|
||||||||||||
![]() |
IRLB8743PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 795 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRLB8743PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 41300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRLB8743PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 39039 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRLB8743PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5110 pF @ 15 V |
на замовлення 1121 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRLB8743PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 12310 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRLB8743PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 150A; 140W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 150A Power dissipation: 140W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.2mΩ Mounting: THT Gate charge: 36nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level |
на замовлення 183 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRLB8743PBF | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 140W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1191 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRLB8743PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 150A; 140W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 150A Power dissipation: 140W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.2mΩ Mounting: THT Gate charge: 36nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 183 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRLB8743PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRLB8743PBF Код товару: 190955
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : JSMICRO |
![]() Корпус: TO-220AB Uds,V: 30 V Idd,A: 110 A Rds(on), Ohm: 2,9 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 6201/171 Монтаж: THT |
товару немає в наявності
|
|
||||||||||||
![]() |
IRLB8743PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |