IRLB8743PBF JSMICRO
Код товару: 190955
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: JSMICRO
Корпус: TO-220AB
Напруга сток-витік Uds, В: 30 В
Струм стоку Idd, А: 110 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 2,9 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 6201/171
Монтаж: THT
Відгуки про товар
Написати відгук
Можливі заміни IRLB8743PBF JSMICRO
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
LB8743 Код товару: 199949
Додати до обраних
Обраний товар
|
JSMSEMI |
Транзистори > Польові N-канальніКорпус: TO-220AB Напруга сток-витік Uds, В: 30 В Струм стоку Idd, А: 110 А Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 2,9 мОм Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 6201/171 Монтаж: THT |
у наявності: 41 шт
|
|
| LB8743 Код товару: 199949
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: JSMSEMI
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Напруга сток-витік Uds, В: 30 В
Струм стоку Idd, А: 110 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 2,9 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 6201/171
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Напруга сток-витік Uds, В: 30 В
Струм стоку Idd, А: 110 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 2,9 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 6201/171
Монтаж: THT
у наявності: 41 шт
- 26 шт - склад
- 15 шт - РАДІОМАГ-Київ
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 44.00 грн |
| 10+ | 39.80 грн |
Інші пропозиції IRLB8743PBF за ціною від 38.39 грн до 146.25 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRLB8743PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRLB8743PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRLB8743PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 150A; 140W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 150A Power dissipation: 140W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.2mΩ Mounting: THT Gate charge: 36nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level |
на замовлення 887 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRLB8743PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 7850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRLB8743PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRLB8743PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 6150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRLB8743PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 13 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRLB8743PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 6150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRLB8743PBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 78A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5110 pF @ 15 V |
на замовлення 2467 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRLB8743PBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLB8743PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 3200 µohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V Verlustleistung: 140W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm |
на замовлення 8972 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
IRLB8743PBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 30V 78A 3.2mOhm 36nC Qg |
на замовлення 5335 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
IRLB8743PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 13 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 4 шт В кошику од. на суму грн. |
| IRLB8743PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 59.03 грн |
| IRLB8743PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 59.03 грн |
| IRLB8743PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 150A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 150A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 150A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 150A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 887 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 86.03 грн |
| 10+ | 52.87 грн |
| 50+ | 49.83 грн |
| 100+ | 47.44 грн |
| 500+ | 44.31 грн |
| IRLB8743PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 7850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 399+ | 88.12 грн |
| 500+ | 79.29 грн |
| 1000+ | 73.14 грн |
| IRLB8743PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 399+ | 88.12 грн |
| IRLB8743PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 6150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 150+ | 93.88 грн |
| 234+ | 60.23 грн |
| IRLB8743PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 95.99 грн |
| IRLB8743PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 6150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 117.58 грн |
| 10+ | 94.35 грн |
| 100+ | 60.54 грн |
| IRLB8743PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 78A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5110 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 78A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5110 pF @ 15 V
на замовлення 2467 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 146.25 грн |
| 10+ | 89.61 грн |
| 100+ | 60.64 грн |
| 500+ | 45.27 грн |
| 1000+ | 41.53 грн |
| 2000+ | 38.39 грн |
| IRLB8743PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLB8743PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 3200 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
Description: INFINEON - IRLB8743PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 3200 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
на замовлення 8972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRLB8743PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 30V 78A 3.2mOhm 36nC Qg
MOSFETs MOSFT 30V 78A 3.2mOhm 36nC Qg
на замовлення 5335 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IRLB8743PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
З цим товаром купують
| PBS-40 (CB39402V100, ZL262-40SG) (гнізда на плату, 1х40, 2,54мм) Код товару: 11339
15
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник: CviLux / Ninigi
Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Міжплатні з'єднувачі
Функціональний опис: гнізда однорядні на плату прямі, 40 контактів, крок 2,54мм, 3А, 250VAC, Gold Flash
Штирі або гнізда: гніздо (розетка)
Крок: 2,54 мм
К-сть рядів: однорядні
К-сть контактів: 40
УКТЗЕД: 8536 69 90 90
Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Міжплатні з'єднувачі
Функціональний опис: гнізда однорядні на плату прямі, 40 контактів, крок 2,54мм, 3А, 250VAC, Gold Flash
Штирі або гнізда: гніздо (розетка)
Крок: 2,54 мм
К-сть рядів: однорядні
К-сть контактів: 40
УКТЗЕД: 8536 69 90 90
товару немає в наявності
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 20.00 грн |
| 10+ | 10.50 грн |
| 330uF 16V ECR 8x12mm (ECR331M16B-Hitano) (електролітичний конденсатор) Код товару: 2931
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 330 мкФ
Номін. напруга: 16 В
Серія: ECR
Тип: загального призначення, підходять для автоматичної установки, мініатюрні, 85°C
Темп. діапазон: -40...+85°С
Габарити: 8x12 мм
Строк служби: 2000 годин
УКТЗЕД: 8532 22 00 00
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 330 мкФ
Номін. напруга: 16 В
Серія: ECR
Тип: загального призначення, підходять для автоматичної установки, мініатюрні, 85°C
Темп. діапазон: -40...+85°С
Габарити: 8x12 мм
Строк служби: 2000 годин
УКТЗЕД: 8532 22 00 00
товару немає в наявності
очікується: 10160 шт
- 160 шт - очікується
- 10000 шт - очікується
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 3.00 грн |
| 10+ | 2.40 грн |
| 100+ | 1.90 грн |
| 1000+ | 1.50 грн |
| 1pF 100V NP0 C(+/-0,25pF) D<=5mm (TCH2A010K-L515B) Код товару: 2016
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Керамічні конденсатори вивідні > Дискові керамічні конденсатори
Ємність: 1 пФ
Номінальна напруга: 100 В
ТКЄ (діелектрик): NP0
Точність: ±0,25pF C
Габарити: D<=5 мм
Part Number: TCH2A010C-L515B
Керамічні конденсатори вивідні > Дискові керамічні конденсатори
Ємність: 1 пФ
Номінальна напруга: 100 В
ТКЄ (діелектрик): NP0
Точність: ±0,25pF C
Габарити: D<=5 мм
Part Number: TCH2A010C-L515B
товару немає в наявності
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 2.00 грн |
| 100+ | 0.90 грн |
| 1000+ | 0.70 грн |
| 1 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-1KR-Hitano) (резистор SMD) Код товару: 1768
4
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0805
Номінал: 1 кОм
Точність: ±5% J
Pном, Вт: 0,125 Вт
Uроб, В: 150 В
Типорозмір: 0805
SMD резистори > 0805
Номінал: 1 кОм
Точність: ±5% J
Pном, Вт: 0,125 Вт
Uроб, В: 150 В
Типорозмір: 0805
у наявності: 50897 шт
- 44090 шт - склад
- 4007 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 200 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 2600 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 100000 шт
- 100000 шт - очікується
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 200+ | 0.12 грн |
| 1000+ | 0.09 грн |
| 10000+ | 0.07 грн |
| 15 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-15KR-Hitano) (резистор SMD) Код товару: 1717
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0805
Номінал: 15 кОм
Точність: ±5% J
Pном, Вт: 0,125 Вт
Uроб, В: 150 В
Типорозмір: 0805
SMD резистори > 0805
Номінал: 15 кОм
Точність: ±5% J
Pном, Вт: 0,125 Вт
Uроб, В: 150 В
Типорозмір: 0805
у наявності: 14900 шт
- 10100 шт - склад
- 4800 шт - РАДІОМАГ-Київ
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 200+ | 0.12 грн |
| 1000+ | 0.09 грн |
| 10000+ | 0.07 грн |











