IRLB8748PBF
Код товару: 100095
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: IR
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 30 V
Idd,A: 78 A
Rds(on), Ohm: 4,8 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 2139pF/15V
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 34.00 грн |
| 10+ | 30.60 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRLB8748PBF за ціною від 23.06 грн до 143.38 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRLB8748PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 92A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRLB8748PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 92A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRLB8748PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 92A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 6347 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRLB8748PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 92A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 12759 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRLB8748PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 92A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 12747 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRLB8748PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 92A; 75W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 92A Power dissipation: 75W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.8mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level Technology: HEXFET® Gate charge: 15nC |
на замовлення 223 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRLB8748PBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 92A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 92A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2139 pF @ 15 V |
на замовлення 2475 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRLB8748PBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLB8748PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 4800 µohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 75W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1402 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRLB8748PBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 30V 78A 4.8mOhm 15nC Qg |
на замовлення 1183 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| IRLB8748PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 92A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 30V 92A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 732+ | 48.43 грн |
| 1000+ | 44.66 грн |
| IRLB8748PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 92A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 30V 92A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 732+ | 48.43 грн |
| 1000+ | 44.66 грн |
| IRLB8748PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 92A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 30V 92A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 6347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 243+ | 58.52 грн |
| 245+ | 57.94 грн |
| 269+ | 52.88 грн |
| 500+ | 40.93 грн |
| 1000+ | 34.75 грн |
| 2000+ | 30.78 грн |
| 5000+ | 30.72 грн |
| IRLB8748PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 92A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 30V 92A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 12759 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 61.86 грн |
| 50+ | 61.25 грн |
| 100+ | 55.28 грн |
| 500+ | 41.93 грн |
| 1000+ | 35.34 грн |
| 2000+ | 31.14 грн |
| 5000+ | 31.07 грн |
| 10000+ | 29.03 грн |
| IRLB8748PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 92A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 30V 92A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 12747 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 228+ | 62.34 грн |
| 230+ | 61.72 грн |
| 255+ | 55.71 грн |
| 500+ | 42.25 грн |
| 1000+ | 35.61 грн |
| 2000+ | 31.38 грн |
| 5000+ | 31.31 грн |
| 10000+ | 29.26 грн |
| IRLB8748PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 92A; 75W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 92A
Power dissipation: 75W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.8mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
Gate charge: 15nC
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 92A; 75W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 92A
Power dissipation: 75W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.8mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
Gate charge: 15nC
на замовлення 223 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 89.61 грн |
| 8+ | 53.12 грн |
| 10+ | 48.33 грн |
| 25+ | 42.87 грн |
| 50+ | 39.17 грн |
| 100+ | 35.81 грн |
| 200+ | 32.70 грн |
| IRLB8748PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 92A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 92A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2139 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 92A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 92A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2139 pF @ 15 V
на замовлення 2475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 92.70 грн |
| 50+ | 42.20 грн |
| 100+ | 37.55 грн |
| 500+ | 27.59 грн |
| 1000+ | 25.13 грн |
| 2000+ | 23.06 грн |
| IRLB8748PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLB8748PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 4800 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IRLB8748PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 4800 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1402 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 109.16 грн |
| 16+ | 51.49 грн |
| 100+ | 45.87 грн |
| 500+ | 33.36 грн |
| 1000+ | 27.93 грн |
| IRLB8748PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 30V 78A 4.8mOhm 15nC Qg
MOSFETs MOSFT 30V 78A 4.8mOhm 15nC Qg
на замовлення 1183 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 143.38 грн |
| 10+ | 86.73 грн |
| 100+ | 50.07 грн |
| 500+ | 39.38 грн |
| 1000+ | 33.66 грн |
| 2000+ | 30.51 грн |
| 5000+ | 27.09 грн |
З цим товаром купують
| 1 kOhm 5% 0,25W вивів. (CR025SJTB-1K-Hitano) Код товару: 11106
2
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Вивідні резистори > 0,25W
Номінал: 1 kOhm
Точність: ±5%
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 250 V
Габарити: 3,2х1,6 mm; Dвів = 0,45 mm
Тип: вугільно-плівкові
Вивідні резистори > 0,25W
Номінал: 1 kOhm
Точність: ±5%
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 250 V
Габарити: 3,2х1,6 mm; Dвів = 0,45 mm
Тип: вугільно-плівкові
товару немає в наявності
очікується: 40000 шт
- 40000 шт - очікується 10.08.2026
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 30+ | 0.70 грн |
| 100+ | 0.55 грн |
| 1000+ | 0.40 грн |
| 470uF 25V EXR 10x16mm (low imp.) (EXR471M25B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний) Код товару: 3481
5
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 470 µF
Номін.напруга: 25 V
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 10х16mm
Строк життя: 5000 годин
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 470 µF
Номін.напруга: 25 V
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 10х16mm
Строк життя: 5000 годин
у наявності: 8182 шт
- 7534 шт - склад
- 263 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 157 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 228 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 5.00 грн |
| 10+ | 4.50 грн |
| 100+ | 4.10 грн |
| 1000+ | 3.70 грн |
| 10000+ | 3.30 грн |
| 10uF 50V ECR 5x11mm (ECR100M50B-Hitano) (електролітичний конденсатор) Код товару: 3129
2
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 10 µF
Номін.напруга: 50 V
Серія: ECR
Тип: загального призначення підходять для автоматичної установки мініатюрні з температурою 85С
Темп.діап.: -40...+85°C
Габарити: 5х11mm
Строк життя: 2000 годин
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 10 µF
Номін.напруга: 50 V
Серія: ECR
Тип: загального призначення підходять для автоматичної установки мініатюрні з температурою 85С
Темп.діап.: -40...+85°C
Габарити: 5х11mm
Строк життя: 2000 годин
у наявності: 19725 шт
- 19295 шт - склад
- 225 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 205 шт - РАДІОМАГ-Харків
очікується: 400 шт
- 400 шт - очікується
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 1.50 грн |
| 20+ | 1.00 грн |
| 100+ | 0.60 грн |
| 1000+ | 0.40 грн |
| 4700uF 25V ECR 16x32mm (ECR472M25B-Hitano) (електролітичний конденсатор) Код товару: 3026
2
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 4700 µF
Номін.напруга: 25 V
Серія: ECR
Тип: загального призначення підходять для автоматичної установки мініатюрні з температурою 85С
Темп.діап.: -40...+85°C
Габарити: 16х32mm
Строк життя: 2000 годин
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 4700 µF
Номін.напруга: 25 V
Серія: ECR
Тип: загального призначення підходять для автоматичної установки мініатюрні з температурою 85С
Темп.діап.: -40...+85°C
Габарити: 16х32mm
Строк життя: 2000 годин
у наявності: 49 шт
- 6 шт - склад
- 16 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 14 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 13 шт - РАДІОМАГ-Харків
очікується: 400 шт
- 400 шт - очікується 29.10.2026
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 17.00 грн |
| 10+ | 15.20 грн |
| 100+ | 13.50 грн |
| 470uF 16V EXR 10x12,5mm (low imp.) (EXR471M16B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний) Код товару: 1318
2
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 470 µF
Номін.напруга: 16 V
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 10х12,5mm
Строк життя: 5000 годин
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 470 µF
Номін.напруга: 16 V
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 10х12,5mm
Строк життя: 5000 годин
у наявності: 7 шт
- 7 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 10000 шт
- 10000 шт - очікується 10.08.2026
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 4.00 грн |
| 10+ | 3.50 грн |
| 100+ | 3.10 грн |
| 1000+ | 2.60 грн |











