Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRLH5030TRPBF
IRLH5030TRPBF

IRLH5030TRPBF Infineon Technologies

irlh5030pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356635f1a2599
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 13A/100A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5185 pF @ 50 V
на замовлення 4540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+238.43 грн
10+149.35 грн
100+103.71 грн
500+79.04 грн
1000+77.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRLH5030TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRLH5030TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 9000 µohm, QFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 3.6W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: QFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm.

Інші пропозиції IRLH5030TRPBF за ціною від 119.04 грн до 301.51 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRLH5030TRPBF IRLH5030TRPBF Infineon Technologies infineon-irlh5030-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 13A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+301.51 грн
10+269.14 грн
25+249.59 грн
50+222.08 грн
100+188.66 грн
250+163.54 грн
500+146.21 грн
1000+119.04 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLH5030TRPBF IRLH5030TRPBF Infineon Technologies infineon-irlh5030-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 13A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
48+301.51 грн
53+269.14 грн
57+249.59 грн
62+222.08 грн
100+188.66 грн
250+163.54 грн
500+146.21 грн
1000+119.04 грн
Мінімальне замовлення: 48 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLH5030TRPBF IRLH5030TRPBF Infineon Technologies Infineon-IRLH5030-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs 100V 1 N-CH HEXFET 9mOhms 44nC
на замовлення 3268 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLH5030TRPBF IRLH5030TRPBF INFINEON INFN-S-A0012813638-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLH5030TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 9000 µohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 3.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
на замовлення 241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLH5030TRPBF IRLH5030TRPBF INFINEON INFN-S-A0012813638-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLH5030TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 9000 µohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 3.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
на замовлення 241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLH5030TRPBF infineon-irlh5030-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLH5030TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 13A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+301.51 грн
10+269.14 грн
25+249.59 грн
50+222.08 грн
100+188.66 грн
250+163.54 грн
500+146.21 грн
1000+119.04 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLH5030TRPBF infineon-irlh5030-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLH5030TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 13A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
48+301.51 грн
53+269.14 грн
57+249.59 грн
62+222.08 грн
100+188.66 грн
250+163.54 грн
500+146.21 грн
1000+119.04 грн
Мінімальне замовлення: 48 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLH5030TRPBF Infineon-IRLH5030-DataSheet-v01_01-EN.pdf
IRLH5030TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 100V 1 N-CH HEXFET 9mOhms 44nC
на замовлення 3268 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLH5030TRPBF INFN-S-A0012813638-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLH5030TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLH5030TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 9000 µohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 3.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
на замовлення 241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLH5030TRPBF INFN-S-A0012813638-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLH5030TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLH5030TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 9000 µohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 3.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
на замовлення 241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.