Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRLHM620TRPBF

IRLHM620TRPBF Infineon Technologies

Name: IRLHM620TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: 468678-7
Price: 87000 UAH
Availability: InStock

infineon-irlhm620-datasheet-v01_01-en.pdf

Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 20V 26A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
4000+	21.75 грн

Мінімальне замовлення: 4000

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IRLHM620TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRLHM620TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 40 A, 0.0015 ohm, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 37W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 37W, Bauform - Transistor: PQFN, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0015ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції IRLHM620TRPBF за ціною від 20.98 грн до 101.27 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

IRLHM620TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

irlhm620pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356638be325a3

Description: MOSFET N-CH 20V 26A/40A PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 50µA
Supplier Device Package: PQFN (3x3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3620 pF @ 10 V

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
4000+	23.78 грн
8000+	22.00 грн

Мінімальне замовлення: 4000

В кошику од. на суму грн.

IRLHM620TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 20V 26A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 5797 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
462+	26.36 грн

Мінімальне замовлення: 462

В кошику од. на суму грн.

IRLHM620TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 20V 26A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 5797 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
23+	26.97 грн
25+	26.55 грн
100+	25.20 грн
250+	22.97 грн
500+	21.69 грн
1000+	21.33 грн
3000+	20.98 грн

Мінімальне замовлення: 23

В кошику од. на суму грн.

IRLHM620TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 20V 26A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
4000+	33.06 грн

Мінімальне замовлення: 4000

В кошику од. на суму грн.

IRLHM620TRPBF

Виробник : INFINEON

INFN-S-A0012813243-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: INFINEON - IRLHM620TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 40 A, 0.0015 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 37W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: PQFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0015ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 5541 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
100+	34.74 грн
500+	27.98 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IRLHM620TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 20V 26A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 7988 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
341+	35.70 грн
372+	32.77 грн
383+	31.85 грн
500+	29.54 грн
1000+	26.35 грн
4000+	22.26 грн

Мінімальне замовлення: 341

В кошику од. на суму грн.

IRLHM620TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 20V 26A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
4000+	40.02 грн

Мінімальне замовлення: 4000

В кошику од. на суму грн.

IRLHM620TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 20V 26A/40A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 50µA
Supplier Device Package: PQFN (3x3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3620 pF @ 10 V

на замовлення 10686 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
4+	86.53 грн
10+	44.26 грн
100+	32.97 грн
500+	27.66 грн
1000+	25.18 грн
2000+	24.80 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IRLHM620TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Infineon_IRLHM620_DataSheet_v01_01_EN-3363392.pdf

MOSFETs 20V 1 N-CH HEXFET 2.5mOhms 52nC

на замовлення 2681 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
4+	100.18 грн
10+	46.84 грн
25+	40.59 грн
100+	31.41 грн
250+	31.34 грн
500+	28.33 грн
1000+	26.27 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IRLHM620TRPBF

Виробник : INFINEON

Description: INFINEON - IRLHM620TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 40 A, 0.0015 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 5439 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
9+	101.27 грн
14+	59.03 грн
100+	41.41 грн
500+	32.18 грн
1000+	27.17 грн
5000+	24.49 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

IRLHM620TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 20V 26A 8-Pin PQFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRLHM620TRPBF

Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E22277530C4B63F1A303005056AB0C4F&compId=irlhm620pbf.pdf?ci_sign=c886920d7c2600102cb1c0b26f09f61fd0a26f02

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 40A; 2.7W; PQFN3.3X3.3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 40A
Power dissipation: 2.7W
Case: PQFN3.3X3.3
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 4000 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRLHM620TRPBF

Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.