IRLHM620TRPBF

IRLHM620TRPBF Infineon Technologies


infineonirlhm620datasheetv0101en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 20V 26A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5717 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
844+15.12 грн
857+14.89 грн
871+14.67 грн
885+13.91 грн
899+12.68 грн
1000+11.96 грн
3000+11.77 грн
Мінімальне замовлення: 844
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRLHM620TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRLHM620TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 40 A, 0.0022 ohm, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 37W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 37W, Bauform - Transistor: PQFN, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0015ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRLHM620TRPBF за ціною від 12.61 грн до 105.62 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRLHM620TRPBF IRLHM620TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlhm620-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 26A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+23.33 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHM620TRPBF IRLHM620TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlhm620datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 26A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+25.11 грн
45+16.20 грн
46+15.39 грн
100+14.03 грн
250+13.25 грн
500+13.04 грн
1000+12.82 грн
3000+12.61 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHM620TRPBF IRLHM620TRPBF Виробник : Infineon Technologies irlhm620pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356638be325a3 Description: MOSFET N-CH 20V 26A/40A PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 50µA
Supplier Device Package: PQFN (3x3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3620 pF @ 10 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+25.51 грн
8000+23.60 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHM620TRPBF IRLHM620TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlhm620datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 26A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 7988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
474+26.97 грн
503+25.42 грн
Мінімальне замовлення: 474
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHM620TRPBF IRLHM620TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012813243-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLHM620TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 40 A, 0.0022 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 37W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: PQFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0015ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4038 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+37.89 грн
500+31.74 грн
1000+27.18 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHM620TRPBF IRLHM620TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlhm620datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 26A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 3751 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
764+41.76 грн
1000+38.50 грн
Мінімальне замовлення: 764
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHM620TRPBF IRLHM620TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlhm620datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 26A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 17157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
764+41.76 грн
1000+38.50 грн
10000+34.33 грн
Мінімальне замовлення: 764
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHM620TRPBF IRLHM620TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlhm620datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 26A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 7450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
764+41.76 грн
1000+38.50 грн
Мінімальне замовлення: 764
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHM620TRPBF IRLHM620TRPBF Виробник : Infineon Technologies irlhm620pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356638be325a3 Description: MOSFET N-CH 20V 26A/40A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 50µA
Supplier Device Package: PQFN (3x3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3620 pF @ 10 V
на замовлення 10686 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+93.68 грн
10+42.97 грн
100+33.10 грн
500+29.32 грн
1000+27.01 грн
2000+26.61 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHM620TRPBF IRLHM620TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012813243-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLHM620TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 40 A, 0.0022 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4038 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+103.33 грн
18+49.19 грн
100+37.89 грн
500+31.74 грн
1000+27.18 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHM620TRPBF IRLHM620TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon-IRLHM620-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs 20V 1 N-CH HEXFET 2.5mOhms 52nC
на замовлення 6476 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+105.62 грн
10+45.36 грн
100+29.60 грн
500+28.50 грн
1000+26.29 грн
2000+24.96 грн
4000+22.59 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHM620TRPBF IRLHM620TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlhm620datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 26A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.