IRLHM620TRPBF

IRLHM620TRPBF Infineon Technologies


infineon-irlhm620-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 20V 26A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+21.80 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRLHM620TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRLHM620TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 40 A, 0.0015 ohm, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 37W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 37W, Bauform - Transistor: PQFN, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0015ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції IRLHM620TRPBF за ціною від 21.03 грн до 112.44 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRLHM620TRPBF IRLHM620TRPBF Виробник : Infineon Technologies irlhm620pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356638be325a3 Description: MOSFET N-CH 20V 26A/40A PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 50µA
Supplier Device Package: PQFN (3x3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3620 pF @ 10 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+25.16 грн
8000+23.69 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHM620TRPBF IRLHM620TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlhm620-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 26A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 5797 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
462+26.42 грн
Мінімальне замовлення: 462
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHM620TRPBF IRLHM620TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlhm620-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 26A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 5797 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+27.04 грн
25+26.62 грн
100+25.27 грн
250+23.02 грн
500+21.75 грн
1000+21.38 грн
3000+21.03 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHM620TRPBF IRLHM620TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlhm620-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 26A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+33.14 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHM620TRPBF IRLHM620TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012813243-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLHM620TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 40 A, 0.0015 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 37W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: PQFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0015ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 5541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+34.83 грн
500+28.05 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHM620TRPBF IRLHM620TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlhm620-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 26A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 7988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
341+35.79 грн
372+32.85 грн
383+31.93 грн
500+29.61 грн
1000+26.41 грн
4000+22.31 грн
Мінімальне замовлення: 341
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHM620TRPBF IRLHM620TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlhm620-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 26A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+40.12 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHM620TRPBF IRLHM620TRPBF Виробник : Infineon Technologies irlhm620pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356638be325a3 Description: MOSFET N-CH 20V 26A/40A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 50µA
Supplier Device Package: PQFN (3x3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3620 pF @ 10 V
на замовлення 10604 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+89.93 грн
10+51.80 грн
100+37.57 грн
500+29.49 грн
1000+26.48 грн
2000+24.61 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHM620TRPBF IRLHM620TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012813243-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLHM620TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 40 A, 0.0015 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+101.51 грн
14+59.17 грн
100+41.51 грн
500+32.26 грн
1000+27.23 грн
5000+24.55 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHM620TRPBF IRLHM620TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRLHM620_DataSheet_v01_01_EN-3363392.pdf MOSFETs 20V 1 N-CH HEXFET 2.5mOhms 52nC
на замовлення 4719 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+112.44 грн
10+62.10 грн
100+38.11 грн
500+30.90 грн
1000+28.84 грн
2000+26.85 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHM620TRPBF IRLHM620TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlhm620-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 26A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHM620TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irlhm620pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356638be325a3 IRLHM620TRPBF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.