Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRLHM620TRPBF

IRLHM620TRPBF Infineon Technologies

Name: IRLHM620TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: 3850588-5
Price: 13900.68 UAH
Availability: InStock

Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 20V 26A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5717 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
844+	16.47 грн
857+	16.22 грн
871+	15.97 грн
885+	15.15 грн
899+	13.80 грн
1000+	13.03 грн
3000+	12.81 грн

Мінімальне замовлення: 844

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IRLHM620TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRLHM620TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 40 A, 2200 µohm, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 37W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 37W, Bauform - Transistor: PQFN, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0015ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IRLHM620TRPBF за ціною від 12.81 грн до 124.38 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

IRLHM620TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 20V 26A/40A PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 50µA
Supplier Device Package: PQFN (3x3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3620 pF @ 10 V

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
4000+	22.97 грн

Мінімальне замовлення: 4000

В кошику од. на суму грн.

IRLHM620TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 20V 26A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5717 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
30+	25.51 грн
45+	16.47 грн
46+	15.64 грн
100+	14.26 грн
250+	13.46 грн
500+	13.25 грн
1000+	13.03 грн
3000+	12.81 грн

Мінімальне замовлення: 30

В кошику од. на суму грн.

IRLHM620TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 20V 26A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 7988 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
474+	29.36 грн
503+	27.67 грн

Мінімальне замовлення: 474

В кошику од. на суму грн.

IRLHM620TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 20V 26A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 3751 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
764+	45.46 грн
1000+	41.92 грн

Мінімальне замовлення: 764

В кошику од. на суму грн.

IRLHM620TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 20V 26A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 17157 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
764+	45.46 грн
1000+	41.92 грн
10000+	37.38 грн

Мінімальне замовлення: 764

В кошику од. на суму грн.

IRLHM620TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 20V 26A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 7450 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
764+	45.46 грн
1000+	41.92 грн

Мінімальне замовлення: 764

В кошику од. на суму грн.

IRLHM620TRPBF

Виробник : INFINEON

INFN-S-A0012813243-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: INFINEON - IRLHM620TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 40 A, 2200 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 37W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: PQFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0015ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 3228 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
100+	51.77 грн
500+	37.65 грн
1000+	31.50 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IRLHM620TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

MOSFETs 20V 1 N-CH HEXFET 2.5mOhms 52nC

на замовлення 3641 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
4+	101.76 грн
10+	63.13 грн
100+	36.48 грн
500+	28.59 грн
1000+	25.96 грн
2000+	23.95 грн
4000+	21.88 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IRLHM620TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 20V 26A/40A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 50µA
Supplier Device Package: PQFN (3x3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3620 pF @ 10 V

на замовлення 7096 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
4+	103.58 грн
10+	62.77 грн
100+	41.62 грн
500+	30.53 грн
1000+	27.79 грн
2000+	25.48 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IRLHM620TRPBF

Виробник : INFINEON

Description: INFINEON - IRLHM620TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 40 A, 2200 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 3228 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
7+	124.38 грн
11+	77.86 грн
100+	51.77 грн
500+	37.65 грн
1000+	31.50 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

IRLHM620TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

N-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 40 А, Rds = 2,5 мОм, Р, Вт = 37, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Група товару: Транзистори Корпус: DPAK-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 4000 шт

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 3 дні (днів)

Кількість	Ціна
4000+	18.95 грн

Мінімальне замовлення: 4000

В кошику од. на суму грн.

IRLHM620TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 20V 26A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRLHM620TRPBF

Виробник : Infineon

MOSFET N-CH 20V 26A/40A PQFN Група товару: Транзистори Од. вим: шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.