Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRLHM620TRPBF
IRLHM620TRPBF

IRLHM620TRPBF Infineon Technologies

infineonirlhm620datasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 20V 26A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
844+16.65 грн
857+16.40 грн
871+16.15 грн
885+15.32 грн
899+13.96 грн
1000+13.17 грн
3000+12.96 грн
Мінімальне замовлення: 844 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRLHM620TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRLHM620TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 40 A, 2200 µohm, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 37W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV, Verlustleistung: 37W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: PQFN, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0015ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm.

Інші пропозиції IRLHM620TRPBF за ціною від 12.96 грн до 102.37 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRLHM620TRPBF IRLHM620TRPBF Infineon Technologies infineon-irlhm620-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 26A/40A PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 50µA
Supplier Device Package: PQFN (3x3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3620 pF @ 10 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+22.70 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHM620TRPBF IRLHM620TRPBF Infineon Technologies infineonirlhm620datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 26A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+25.80 грн
45+16.65 грн
46+15.81 грн
100+14.42 грн
250+13.62 грн
500+13.40 грн
1000+13.17 грн
3000+12.96 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHM620TRPBF IRLHM620TRPBF Infineon Technologies infineonirlhm620datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 26A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 7988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
474+29.69 грн
503+27.99 грн
Мінімальне замовлення: 474 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHM620TRPBF IRLHM620TRPBF Infineon Technologies infineonirlhm620datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 26A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 17157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
764+45.98 грн
1000+42.39 грн
10000+37.80 грн
Мінімальне замовлення: 764 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHM620TRPBF IRLHM620TRPBF Infineon Technologies infineonirlhm620datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 26A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 7450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
764+45.98 грн
1000+42.39 грн
Мінімальне замовлення: 764 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHM620TRPBF IRLHM620TRPBF Infineon Technologies infineonirlhm620datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 26A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 3751 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
764+45.98 грн
1000+42.39 грн
Мінімальне замовлення: 764 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHM620TRPBF IRLHM620TRPBF Infineon Technologies infineon-irlhm620-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 26A/40A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 50µA
Supplier Device Package: PQFN (3x3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3620 pF @ 10 V
на замовлення 7096 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+102.37 грн
10+62.04 грн
100+41.13 грн
500+30.18 грн
1000+27.47 грн
2000+25.19 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHM620TRPBF IRLHM620TRPBF INFINEON INFN-S-A0012813243-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLHM620TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 40 A, 2200 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 37W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
на замовлення 3228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHM620TRPBF IRLHM620TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRLHM620_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs 20V 1 N-CH HEXFET 2.5mOhms 52nC
на замовлення 3641 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHM620TRPBF IRLHM620TRPBF INFINEON INFN-S-A0012813243-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLHM620TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 40 A, 2200 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 37W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 37W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0015ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
на замовлення 3228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHM620TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRLHM620.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 40 А, Rds = 2,5 мОм, Р, Вт = 37, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: DPAK-3 Очікується: 1500 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 4000 шт
на замовлення 609 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
4000+19.38 грн
Мінімальне замовлення: 609 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHM620TRPBF infineon-irlhm620-datasheet-en.pdf
IRLHM620TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 20V 26A/40A PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 50µA
Supplier Device Package: PQFN (3x3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3620 pF @ 10 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+22.70 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHM620TRPBF infineonirlhm620datasheetv0101en.pdf
IRLHM620TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 20V 26A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
30+25.80 грн
45+16.65 грн
46+15.81 грн
100+14.42 грн
250+13.62 грн
500+13.40 грн
1000+13.17 грн
3000+12.96 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHM620TRPBF infineonirlhm620datasheetv0101en.pdf
IRLHM620TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 20V 26A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 7988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
474+29.69 грн
503+27.99 грн
Мінімальне замовлення: 474 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHM620TRPBF infineonirlhm620datasheetv0101en.pdf
IRLHM620TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 20V 26A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 17157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
764+45.98 грн
1000+42.39 грн
10000+37.80 грн
Мінімальне замовлення: 764 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHM620TRPBF infineonirlhm620datasheetv0101en.pdf
IRLHM620TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 20V 26A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 7450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
764+45.98 грн
1000+42.39 грн
Мінімальне замовлення: 764 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHM620TRPBF infineonirlhm620datasheetv0101en.pdf
IRLHM620TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 20V 26A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 3751 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
764+45.98 грн
1000+42.39 грн
Мінімальне замовлення: 764 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHM620TRPBF infineon-irlhm620-datasheet-en.pdf
IRLHM620TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 20V 26A/40A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 50µA
Supplier Device Package: PQFN (3x3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3620 pF @ 10 V
на замовлення 7096 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+102.37 грн
10+62.04 грн
100+41.13 грн
500+30.18 грн
1000+27.47 грн
2000+25.19 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHM620TRPBF INFN-S-A0012813243-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLHM620TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLHM620TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 40 A, 2200 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 37W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
на замовлення 3228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHM620TRPBF Infineon_IRLHM620_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRLHM620TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 20V 1 N-CH HEXFET 2.5mOhms 52nC
на замовлення 3641 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHM620TRPBF INFN-S-A0012813243-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLHM620TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLHM620TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 40 A, 2200 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 37W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 37W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0015ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
на замовлення 3228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHM620TRPBF Infineon_IRLHM620.pdf
Виробник: Infineon Technologies
N-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 40 А, Rds = 2,5 мОм, Р, Вт = 37, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: DPAK-3 Очікується: 1500 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 4000 шт
на замовлення 609 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+19.38 грн
Мінімальне замовлення: 609 шт
В кошику  од. на суму  грн.