Інші пропозиції IRLHM630TR2PBF
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRLHM630TR2PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
IRLHM630TR2PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-VQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 50µA Supplier Device Package: PQFN (3x3) Part Status: Obsolete Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3170 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|
![]() |
IRLHM630TR2PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |