Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRLHM630TRPBF
IRLHM630TRPBF

IRLHM630TRPBF Infineon Technologies

infineon-irlhm630-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+27.84 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRLHM630TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRLHM630TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 21 A, 3200 µohm, QFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 21A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.7W, Bauform - Transistor: QFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRLHM630TRPBF за ціною від 23.25 грн до 120.93 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRLHM630TRPBF IRLHM630TRPBF Виробник : INFINEON irlhm630pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535663951725a5 Description: INFINEON - IRLHM630TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 21 A, 3200 µohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.7W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
31+28.91 грн
100+28.55 грн
500+26.26 грн
1000+23.79 грн
5000+23.25 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHM630TRPBF IRLHM630TRPBF Виробник : Infineon Technologies irlhm630pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535663951725a5 Description: MOSFET N-CH 30V 21A/40A PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 50µA
Supplier Device Package: PQFN (3x3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3170 pF @ 25 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+31.22 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHM630TRPBF IRLHM630TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlhm630-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
382+33.32 грн
Мінімальне замовлення: 382
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHM630TRPBF IRLHM630TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlhm630-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
650+48.89 грн
1000+45.09 грн
Мінімальне замовлення: 650
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHM630TRPBF IRLHM630TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlhm630-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
170+74.83 грн
178+71.48 грн
250+68.62 грн
500+63.78 грн
1000+57.12 грн
2500+53.22 грн
Мінімальне замовлення: 170
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHM630TRPBF IRLHM630TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRLHM630_DataSheet_v01_01_EN-3166573.pdf MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 3.5mOhms 41nC
на замовлення 674 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+91.30 грн
10+80.51 грн
100+54.55 грн
500+45.11 грн
1000+39.09 грн
4000+33.22 грн
8000+30.45 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHM630TRPBF IRLHM630TRPBF Виробник : Infineon Technologies irlhm630pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535663951725a5 Description: MOSFET N-CH 30V 21A/40A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 50µA
Supplier Device Package: PQFN (3x3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3170 pF @ 25 V
на замовлення 7349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+120.93 грн
10+73.83 грн
100+49.26 грн
500+36.33 грн
1000+33.14 грн
2000+30.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHM630TRPBF IRLHM630TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlhm630-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.