Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRLHM630TRPBF

IRLHM630TRPBF Infineon Technologies

Name: IRLHM630TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: 44386620-5
Price: 35464.00 UAH
Availability: InStock

Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 9948 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
650+	54.56 грн
1000+	50.32 грн

Мінімальне замовлення: 650 шт

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IRLHM630TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRLHM630TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 21 A, 3200 µohm, QFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 21A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.7W, Bauform - Transistor: QFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRLHM630TRPBF за ціною від 36.25 грн до 129.66 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна без ПДВ

IRLHM630TRPBF

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 175500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

650+	54.56 грн
1000+	50.32 грн
10000+	44.87 грн
100000+	36.25 грн

Мінімальне замовлення: 650 шт

В кошику од. на суму грн.

IRLHM630TRPBF

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

183+	77.46 грн
250+	74.36 грн
500+	71.68 грн
1000+	66.86 грн
2500+	60.08 грн

Мінімальне замовлення: 183 шт

В кошику од. на суму грн.

IRLHM630TRPBF

Infineon Technologies

irlhm630pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535663951725a5

Description: MOSFET N-CH 30V 21A/40A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 50µA
Supplier Device Package: PQFN (3x3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3170 pF @ 25 V

на замовлення 12 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	114.94 грн
10+	70.08 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

IRLHM630TRPBF

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 1799 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	128.88 грн
10+	89.07 грн

Мінімальне замовлення: 6 шт

В кошику од. на суму грн.

IRLHM630TRPBF

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 1799 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

110+	129.66 грн
159+	89.60 грн

Мінімальне замовлення: 110 шт

В кошику од. на суму грн.

IRLHM630TRPBF

Infineon Technologies

Infineon_IRLHM630_DataSheet_v01_01_EN-3166573.pdf

MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 3.5mOhms 41nC

на замовлення 674 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IRLHM630TRPBF

INFINEON

Description: INFINEON - IRLHM630TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 21 A, 3200 µohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.7W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 5695 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IRLHM630TRPBF

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IRLHM630TRPBF

International Rectifier HiRel Products

IRLHM630TRPBF

на замовлення 32000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

650+	54.56 грн
1000+	50.32 грн
10000+	44.87 грн

Мінімальне замовлення: 650 шт

В кошику од. на суму грн.

IRLHM630TRPBF

Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 175500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
650+	54.56 грн
1000+	50.32 грн
10000+	44.87 грн
100000+	36.25 грн

Мінімальне замовлення: 650 шт

В кошику од. на суму грн.

IRLHM630TRPBF

Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
183+	77.46 грн
250+	74.36 грн
500+	71.68 грн
1000+	66.86 грн
2500+	60.08 грн

Мінімальне замовлення: 183 шт

В кошику од. на суму грн.

IRLHM630TRPBF

Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 21A/40A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 50µA
Supplier Device Package: PQFN (3x3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3170 pF @ 25 V

на замовлення 12 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3+	114.94 грн
10+	70.08 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

IRLHM630TRPBF

Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 1799 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
6+	128.88 грн
10+	89.07 грн

Мінімальне замовлення: 6 шт

В кошику од. на суму грн.

IRLHM630TRPBF

Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 1799 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
110+	129.66 грн
159+	89.60 грн

Мінімальне замовлення: 110 шт

В кошику од. на суму грн.

IRLHM630TRPBF

Виробник: Infineon Technologies
MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 3.5mOhms 41nC

на замовлення 674 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IRLHM630TRPBF

Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLHM630TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 21 A, 3200 µohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.7W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 5695 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IRLHM630TRPBF

Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IRLHM630TRPBF

Виробник: International Rectifier HiRel Products
IRLHM630TRPBF

на замовлення 32000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
650+	54.56 грн
1000+	50.32 грн
10000+	44.87 грн

Мінімальне замовлення: 650 шт

В кошику од. на суму грн.