IRLHS2242TRPBF Infineon Technologies
на замовлення 92000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4000+ | 7.03 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRLHS2242TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRLHS2242TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 7.2 A, 0.031 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.1W, Bauform - Transistor: DFN2020, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRLHS2242TRPBF за ціною від 7.53 грн до 34.75 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRLHS2242TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET P-CH 20V 7.2A 6-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 15950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRLHS2242TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 20V 7.2A 6-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 2034 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRLHS2242TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 20V 7.2A/15A 6PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 8.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 9.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2) (DFN2020) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 877 pF @ 10 V |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRLHS2242TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 20V 7.2A 6-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRLHS2242TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 20V 7.2A 6-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRLHS2242TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 20V 7.2A 6-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRLHS2242TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 20V 7.2A 6-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 2034 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRLHS2242TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 20V 7.2A/15A 6PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 8.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 9.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2) (DFN2020) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 877 pF @ 10 V |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRLHS2242TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs 20V 1 P-CH HEXFET 31mOhms 12nC |
на замовлення 52979 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRLHS2242TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLHS2242TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 7.2 A, 0.031 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV euEccn: NLR Verlustleistung: 2.1W Bauform - Transistor: DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 905 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IRLHS2242TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
IRLHS2242TRPBF SMD P channel transistors |
на замовлення 3890 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IRLHS2242TRPBF |
IRLHS2242TRPBF Транзисторы HEXFET |
на замовлення 103 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
 |
IRLHS2242TRPBF Код товару: 113594
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові P-канальні |
товару немає в наявності
|
||||||||||||||||||
|
|
IRLHS2242TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 20V 7.2A 6-Pin PQFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IRLHS2242TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 20V 7.2A 6-Pin PQFN EP T/R |
товару немає в наявності |