Інші пропозиції IRLHS2242TRPBF за ціною від 9.52 грн до 44.17 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRLHS2242TRPBF | Infineon Technologies |
 Description: MOSFET P-CH 20V 7.2A/15A 6PQFNPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 8.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 9.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2) (DFN2020) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 877 pF @ 10 V |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRLHS2242TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 20V 7.2A 6-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 92000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRLHS2242TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 20V 7.2A 6-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 92000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRLHS2242TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 20V 7.2A 6-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 14368 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRLHS2242TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 20V 7.2A/15A 6PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 8.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 9.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2) (DFN2020) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 877 pF @ 10 V |
на замовлення 5142 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRLHS2242TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 20V 7.2A 6-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
 |
IRLHS2242TRPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs 20V 1 P-CH HEXFET 31mOhms 12nC |
на замовлення 52979 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
 |
IRLHS2242TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLHS2242TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 7.2 A, 0.031 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV euEccn: NLR Verlustleistung: 2.1W Bauform - Transistor: DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 3507 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRLHS2242TRPBF |
IRLHS2242TRPBF Транзисторы HEXFET |
на замовлення 103 шт: термін постачання 4 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IRLHS2242TRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 20V 7.2A/15A 6PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 8.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 9.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2) (DFN2020)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 877 pF @ 10 V
Description: MOSFET P-CH 20V 7.2A/15A 6PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 8.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 9.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2) (DFN2020)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 877 pF @ 10 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 9.69 грн |
| IRLHS2242TRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 20V 7.2A 6-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 7.2A 6-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 92000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 11.42 грн |
| 8000+ | 9.52 грн |
| IRLHS2242TRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 20V 7.2A 6-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 7.2A 6-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 92000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 11.56 грн |
| 8000+ | 9.64 грн |
| IRLHS2242TRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 20V 7.2A 6-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 7.2A 6-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 14368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 656+ | 21.59 грн |
| IRLHS2242TRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 20V 7.2A/15A 6PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 8.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 9.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2) (DFN2020)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 877 pF @ 10 V
Description: MOSFET P-CH 20V 7.2A/15A 6PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 8.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 9.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2) (DFN2020)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 877 pF @ 10 V
на замовлення 5142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 44.17 грн |
| 12+ | 26.04 грн |
| 100+ | 16.68 грн |
| 500+ | 11.87 грн |
| 1000+ | 10.65 грн |
| 2000+ | 9.62 грн |
| IRLHS2242TRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 20V 7.2A 6-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 7.2A 6-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRLHS2242TRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 20V 1 P-CH HEXFET 31mOhms 12nC
MOSFETs 20V 1 P-CH HEXFET 31mOhms 12nC
на замовлення 52979 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IRLHS2242TRPBF |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLHS2242TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 7.2 A, 0.031 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRLHS2242TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 7.2 A, 0.031 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3507 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRLHS2242TRPBF |
|
IRLHS2242TRPBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 103 шт:
термін постачання 4 дні (днів)