
IRLHS2242TRPBF Infineon Technologies
на замовлення 92000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
4000+ | 6.68 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRLHS2242TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRLHS2242TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 7.2 A, 0.025 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.1W, Bauform - Transistor: DFN2020, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRLHS2242TRPBF за ціною від 6.04 грн до 46.55 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRLHS2242TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRLHS2242TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 8.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 9.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2) (DFN2020) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 877 pF @ 10 V |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRLHS2242TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRLHS2242TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 15950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRLHS2242TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRLHS2242TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2479 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRLHS2242TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2479 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRLHS2242TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 29446 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRLHS2242TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 8.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 9.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2) (DFN2020) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 877 pF @ 10 V |
на замовлення 19156 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRLHS2242TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -7.2A; 2.1W; PQFN3.3X3.3 Case: PQFN3.3X3.3 Mounting: SMD Kind of package: reel Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: logic level Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: -20V Drain current: -7.2A Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 2.1W |
на замовлення 3890 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRLHS2242TRPBF Код товару: 113594
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRLHS2242TRPBF | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV euEccn: NLR Verlustleistung: 2.1W Bauform - Transistor: DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1115 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRLHS2242TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -7.2A; 2.1W; PQFN3.3X3.3 Case: PQFN3.3X3.3 Mounting: SMD Kind of package: reel Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: logic level Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: -20V Drain current: -7.2A Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 2.1W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3890 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
IRLHS2242TRPBF |
![]() |
на замовлення 103 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
![]() |
IRLHS2242TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
IRLHS2242TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |