IRLHS6242TRPBF Infineon Technologies
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4000+ | 8.81 грн |
| 8000+ | 8.72 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRLHS6242TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRLHS6242TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 22 A, 0.0094 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 22A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 2 - 1 Jahr, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 9.6W, Bauform - Transistor: DFN2020, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0094ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IRLHS6242TRPBF за ціною від 9.15 грн до 44.54 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRLHS6242TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 20V 10A 6-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRLHS6242TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 20V 10A 6-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRLHS6242TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 20V 10A/12A 6PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 8.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.98W (Ta), 9.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2) (DFN2020) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 10 V |
на замовлення 88000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRLHS6242TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLHS6242TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 22 A, 0.0094 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 22A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 2 - 1 Jahr usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV euEccn: NLR Verlustleistung: 9.6W Bauform - Transistor: DFN2020 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0094ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRLHS6242TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 20V 10A/12A 6PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 8.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.98W (Ta), 9.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2) (DFN2020) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 10 V |
на замовлення 90278 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRLHS6242TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 20V 10A 6-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 974 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRLHS6242TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 20V 10A 6-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRLHS6242TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLHS6242TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 22 A, 0.0094 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 22A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 2 - 1 Jahr usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV euEccn: NLR Verlustleistung: 9.6W Bauform - Transistor: DFN2020 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0094ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRLHS6242TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs 20V 1 N-CH HEXFET 11.7mOhms 14nC |
на замовлення 9419 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRLHS6242TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 20V 10A 6-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
|
|
IRLHS6242TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 20V 10A 6-Pin PQFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| IRLHS6242TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
IRLHS6242TRPBF SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |