Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRLHS6242TRPBF

IRLHS6242TRPBF Infineon Technologies

Name: IRLHS6242TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: 2605740-3
Price: 57480.00 UAH
Availability: InStock

irlhs6242pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535663a52d25a9

Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 20V 10A/12A 6PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 8.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.98W (Ta), 9.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2) (DFN2020)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 10 V

на замовлення 48000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
4000+	14.37 грн
8000+	12.72 грн
12000+	12.15 грн
20000+	10.80 грн
28000+	10.44 грн
40000+	10.10 грн

Мінімальне замовлення: 4000 шт

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IRLHS6242TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRLHS6242TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 22 A, 0.0117 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 22A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 2 - 1 Jahr, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 9.6W, Bauform - Transistor: DFN2020, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0117ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IRLHS6242TRPBF за ціною від 10.06 грн до 64.08 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

IRLHS6242TRPBF

INFINEON

INFN-S-A0012813544-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: INFINEON - IRLHS6242TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 22 A, 0.0117 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 9.6W
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0117ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 3125 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	31.59 грн
250+	24.20 грн
1000+	15.47 грн
2000+	12.87 грн

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

IRLHS6242TRPBF

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 20V 10A 6-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 71 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

24+	31.88 грн
45+	17.10 грн

Мінімальне замовлення: 24 шт

В кошику од. на суму грн.

IRLHS6242TRPBF

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 20V 10A 6-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 974 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

362+	39.03 грн
523+	27.03 грн
658+	21.48 грн

Мінімальне замовлення: 362 шт

В кошику од. на суму грн.

IRLHS6242TRPBF

INFINEON

Description: INFINEON - IRLHS6242TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 22 A, 0.0117 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 9.6W
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0117ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 3125 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	54.07 грн
50+	31.59 грн
250+	24.20 грн
1000+	15.47 грн
2000+	12.87 грн

Мінімальне замовлення: 16 шт

В кошику од. на суму грн.

IRLHS6242TRPBF

Infineon Technologies

MOSFETs 20V 1 N-CH HEXFET 11.7mOhms 14nC

на замовлення 3310 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	56.45 грн
10+	34.61 грн
100+	19.41 грн
500+	14.84 грн
1000+	13.29 грн
2000+	12.03 грн
4000+	10.06 грн

Мінімальне замовлення: 6 шт

В кошику од. на суму грн.

IRLHS6242TRPBF

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 20V 10A/12A 6PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 8.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.98W (Ta), 9.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2) (DFN2020)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 10 V

на замовлення 51112 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	64.08 грн
10+	37.94 грн
100+	24.46 грн
500+	17.48 грн
1000+	15.72 грн
2000+	14.24 грн

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

IRLHS6242TRPBF

Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLHS6242TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 22 A, 0.0117 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 9.6W
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0117ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 3125 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
100+	31.59 грн
250+	24.20 грн
1000+	15.47 грн
2000+	12.87 грн

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

IRLHS6242TRPBF

Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 20V 10A 6-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 71 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
24+	31.88 грн
45+	17.10 грн

Мінімальне замовлення: 24 шт

В кошику од. на суму грн.

IRLHS6242TRPBF

Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 20V 10A 6-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 974 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
362+	39.03 грн
523+	27.03 грн
658+	21.48 грн

Мінімальне замовлення: 362 шт

В кошику од. на суму грн.

IRLHS6242TRPBF

Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLHS6242TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 22 A, 0.0117 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 9.6W
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0117ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 3125 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
16+	54.07 грн
50+	31.59 грн
250+	24.20 грн
1000+	15.47 грн
2000+	12.87 грн

Мінімальне замовлення: 16 шт

В кошику од. на суму грн.

IRLHS6242TRPBF

Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 20V 1 N-CH HEXFET 11.7mOhms 14nC

на замовлення 3310 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
6+	56.45 грн
10+	34.61 грн
100+	19.41 грн
500+	14.84 грн
1000+	13.29 грн
2000+	12.03 грн
4000+	10.06 грн

Мінімальне замовлення: 6 шт

В кошику од. на суму грн.

IRLHS6242TRPBF

Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 20V 10A/12A 6PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 8.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.98W (Ta), 9.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2) (DFN2020)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 10 V

на замовлення 51112 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
5+	64.08 грн
10+	37.94 грн
100+	24.46 грн
500+	17.48 грн
1000+	15.72 грн
2000+	14.24 грн

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.