Продукція > INFINEON > IRLHS6276TRPBF
IRLHS6276TRPBF

IRLHS6276TRPBF INFINEON

INFN-S-A0012814024-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLHS6276TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.033 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.033ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 6.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 6.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+50.29 грн
23+37.15 грн
100+27.78 грн
500+20.28 грн
1000+14.63 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRLHS6276TRPBF INFINEON

Description: INFINEON - IRLHS6276TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.033 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.033ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 6.6W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: DFN2020, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 6.6W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRLHS6276TRPBF за ціною від 12.98 грн до 63.70 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRLHS6276TRPBF IRLHS6276TRPBF Виробник : Infineon Technologies irlhs6276pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535663ae1f25ab Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA
Supplier Device Package: 6-PQFN Dual (2x2)
Part Status: Active
на замовлення 3265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+57.29 грн
10+34.27 грн
100+22.16 грн
500+15.89 грн
1000+13.89 грн
2000+12.98 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHS6276TRPBF IRLHS6276TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRLHS6276_DataSheet_v01_01_EN-3363398.pdf MOSFETs 20V DUAL N-CH LOGIC LEVEL HEXFET
на замовлення 19900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+63.70 грн
10+40.40 грн
100+23.05 грн
500+17.75 грн
1000+14.40 грн
4000+14.32 грн
8000+14.25 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHS6276TRPBF IRLHS6276TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlhs6276-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 4.5A 6-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHS6276TRPBF IRLHS6276TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E22277C3379CC2F1A303005056AB0C4F&compId=irlhs6276pbf.pdf?ci_sign=208aca56a5000cd5159155d6e3fbbc58f9c0642b Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 12A; 4.5W; PQFN2X2
Case: PQFN2X2
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 12A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 4.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHS6276TRPBF IRLHS6276TRPBF Виробник : Infineon Technologies irlhs6276pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535663ae1f25ab Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA
Supplier Device Package: 6-PQFN Dual (2x2)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHS6276TRPBF IRLHS6276TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E22277C3379CC2F1A303005056AB0C4F&compId=irlhs6276pbf.pdf?ci_sign=208aca56a5000cd5159155d6e3fbbc58f9c0642b Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 12A; 4.5W; PQFN2X2
Case: PQFN2X2
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 12A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 4.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.