IRLHS6342TRPBF Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 8.7A/19A 6PQFN
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 8.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta), 19A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1019 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRLHS6342TRPBF Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 8.7A/19A 6PQFN, Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 8.5A, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta), 19A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 6-PowerVDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1019 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±12V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Part Status: Not For New Designs, Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA.
Інші пропозиції IRLHS6342TRPBF за ціною від 12.91 грн до 65.62 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRLHS6342TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 8.7A/19A 6PQFNInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1019 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 8.5A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta), 19A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-PowerVDFN Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 129316 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLHS6342TRPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 15.5mOhms 11nC |
на замовлення 6235 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IRLHS6342TRPBF | Infineon |
|
на замовлення 400000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IRLHS6342TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 8.7A/19A 6PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1019 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 8.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta), 19A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET N-CH 30V 8.7A/19A 6PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1019 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 8.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta), 19A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 129316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 30.92 грн |
| 13+ | 25.35 грн |
| 100+ | 17.58 грн |
| 500+ | 13.78 грн |
| 1000+ | 12.91 грн |
| IRLHS6342TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 15.5mOhms 11nC
MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 15.5mOhms 11nC
на замовлення 6235 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 65.62 грн |
| 10+ | 41.26 грн |
| 100+ | 23.75 грн |
| 500+ | 18.61 грн |
| 1000+ | 16.92 грн |
| 2000+ | 16.07 грн |
| 4000+ | 13.53 грн |
| IRLHS6342TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon
на замовлення 400000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)



