IRLHS6342TRPBF Infineon Technologies


irlhs6342pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535663b52625ad
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 8.7A/19A 6PQFN
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 8.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta), 19A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1019 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA
на замовлення 124000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4000+14.28 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRLHS6342TRPBF Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 8.7A/19A 6PQFN, Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 8.5A, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta), 19A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 6-PowerVDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1019 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±12V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Part Status: Not For New Designs, Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA.

Інші пропозиції IRLHS6342TRPBF за ціною від 12.91 грн до 65.62 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IRLHS6342TRPBF IRLHS6342TRPBF Infineon Technologies irlhs6342pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535663b52625ad Description: MOSFET N-CH 30V 8.7A/19A 6PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1019 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 8.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta), 19A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 129316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.92 грн
13+25.35 грн
100+17.58 грн
500+13.78 грн
1000+12.91 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHS6342TRPBF IRLHS6342TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRLHS6342_DataSheet_v01_01_EN-3363422.pdf MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 15.5mOhms 11nC
на замовлення 6235 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+65.62 грн
10+41.26 грн
100+23.75 грн
500+18.61 грн
1000+16.92 грн
2000+16.07 грн
4000+13.53 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHS6342TRPBF Infineon irlhs6342pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535663b52625ad
на замовлення 400000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHS6342TRPBF irlhs6342pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535663b52625ad
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 8.7A/19A 6PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1019 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 8.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta), 19A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 129316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
11+30.92 грн
13+25.35 грн
100+17.58 грн
500+13.78 грн
1000+12.91 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHS6342TRPBF Infineon_IRLHS6342_DataSheet_v01_01_EN-3363422.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 15.5mOhms 11nC
на замовлення 6235 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
6+65.62 грн
10+41.26 грн
100+23.75 грн
500+18.61 грн
1000+16.92 грн
2000+16.07 грн
4000+13.53 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHS6342TRPBF irlhs6342pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535663b52625ad
Виробник: Infineon
на замовлення 400000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.