Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRLHS6342TRPBF
IRLHS6342TRPBF

IRLHS6342TRPBF Infineon Technologies

infineon-irlhs6342-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 8.7A 6-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+10.21 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRLHS6342TRPBF Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 8.7A/19A 6PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta), 19A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 8.5A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA, Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2), Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1019 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRLHS6342TRPBF за ціною від 12.95 грн до 68.49 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRLHS6342TRPBF IRLHS6342TRPBF Виробник : Infineon Technologies irlhs6342pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535663b52625ad Description: MOSFET N-CH 30V 8.7A/19A 6PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta), 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 8.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1019 pF @ 25 V
на замовлення 124000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+14.34 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHS6342TRPBF IRLHS6342TRPBF Виробник : Infineon Technologies irlhs6342pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535663b52625ad Description: MOSFET N-CH 30V 8.7A/19A 6PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta), 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 8.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1019 pF @ 25 V
на замовлення 129316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+31.04 грн
13+25.44 грн
100+17.64 грн
500+13.83 грн
1000+12.95 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHS6342TRPBF IRLHS6342TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRLHS6342_DataSheet_v01_01_EN-3363422.pdf MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 15.5mOhms 11nC
на замовлення 6235 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+68.49 грн
10+43.06 грн
100+24.79 грн
500+19.42 грн
1000+17.66 грн
2000+16.77 грн
4000+14.13 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHS6342TRPBF Виробник : Infineon irlhs6342pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535663b52625ad
на замовлення 400000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHS6342TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irlhs6342pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535663b52625ad IRLHS6342TRPBF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.