Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRLHS6376TRPBF
IRLHS6376TRPBF

IRLHS6376TRPBF Infineon Technologies

infineon-irlhs6376-datasheet-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 30V 3.6A PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 3.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA
Supplier Device Package: 6-PQFN Dual (2x2)
Part Status: Active
на замовлення 58000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4000+16.50 грн
8000+14.64 грн
12000+14.00 грн
20000+12.47 грн
28000+12.07 грн
40000+11.68 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRLHS6376TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRLHS6376TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 3.6 A, 3.6 A, 0.048 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.6A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.048ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: DFN2020, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.048ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції IRLHS6376TRPBF за ціною від 11.00 грн до 71.36 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IRLHS6376TRPBF IRLHS6376TRPBF INFINEON INFN-S-A0012813547-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLHS6376TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 3.6 A, 3.6 A, 0.048 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.048ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.048ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 20089 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+32.56 грн
250+23.11 грн
1000+15.19 грн
2000+13.81 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHS6376TRPBF IRLHS6376TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRLHS6376_DataSheet_v01_01_EN-3363416.pdf MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 2.8nC
на замовлення 17901 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+52.38 грн
10+33.23 грн
100+20.30 грн
500+16.14 грн
1000+13.25 грн
4000+11.98 грн
24000+11.00 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHS6376TRPBF IRLHS6376TRPBF INFINEON INFN-S-A0012813547-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLHS6376TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 3.6 A, 3.6 A, 0.048 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.048ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.048ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 20089 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+55.83 грн
50+32.56 грн
250+23.11 грн
1000+15.19 грн
2000+13.81 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHS6376TRPBF IRLHS6376TRPBF Infineon Technologies infineon-irlhs6376-datasheet-en.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 3.6A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 3.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA
Supplier Device Package: 6-PQFN Dual (2x2)
Part Status: Active
на замовлення 59863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+71.36 грн
10+42.84 грн
100+27.76 грн
500+19.94 грн
1000+17.97 грн
2000+16.31 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHS6376TRPBF INFN-S-A0012813547-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLHS6376TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLHS6376TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 3.6 A, 3.6 A, 0.048 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.048ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.048ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 20089 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+32.56 грн
250+23.11 грн
1000+15.19 грн
2000+13.81 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHS6376TRPBF Infineon_IRLHS6376_DataSheet_v01_01_EN-3363416.pdf
IRLHS6376TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 2.8nC
на замовлення 17901 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
7+52.38 грн
10+33.23 грн
100+20.30 грн
500+16.14 грн
1000+13.25 грн
4000+11.98 грн
24000+11.00 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHS6376TRPBF INFN-S-A0012813547-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLHS6376TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLHS6376TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 3.6 A, 3.6 A, 0.048 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.048ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.048ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 20089 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
15+55.83 грн
50+32.56 грн
250+23.11 грн
1000+15.19 грн
2000+13.81 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHS6376TRPBF infineon-irlhs6376-datasheet-en.pdf
IRLHS6376TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 30V 3.6A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 3.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA
Supplier Device Package: 6-PQFN Dual (2x2)
Part Status: Active
на замовлення 59863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+71.36 грн
10+42.84 грн
100+27.76 грн
500+19.94 грн
1000+17.97 грн
2000+16.31 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.