Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRLHS6376TRPBF
IRLHS6376TRPBF

IRLHS6376TRPBF Infineon Technologies

infineon-irlhs6376-datasheet-v01_01-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 3.6A 6-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
642+22.00 грн
727+19.43 грн
734+19.24 грн
814+16.74 грн
1039+12.14 грн
Мінімальне замовлення: 642 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRLHS6376TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRLHS6376TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 3.6 A, 3.6 A, 0.048 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.6A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.048ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: DFN2020, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.048ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції IRLHS6376TRPBF за ціною від 11.65 грн до 61.71 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRLHS6376TRPBF IRLHS6376TRPBF Infineon Technologies infineon-irlhs6376-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 3.6A 6-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
589+23.99 грн
Мінімальне замовлення: 589 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHS6376TRPBF IRLHS6376TRPBF Infineon Technologies infineon-irlhs6376-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 3.6A 6-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+26.10 грн
33+22.82 грн
35+22.00 грн
100+18.73 грн
250+17.18 грн
500+14.88 грн
1000+11.65 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHS6376TRPBF IRLHS6376TRPBF Infineon Technologies infineon-irlhs6376-datasheet-en.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 3.6A PQFN
на замовлення 1610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.71 грн
10+36.95 грн
50+27.11 грн
100+22.44 грн
500+17.19 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHS6376TRPBF IRLHS6376TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRLHS6376_DataSheet_v01_01_EN-3363416.pdf MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 2.8nC
на замовлення 17901 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHS6376TRPBF IRLHS6376TRPBF INFINEON INFN-S-A0012813547-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLHS6376TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 3.6 A, 3.6 A, 0.048 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.048ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.048ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 20069 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHS6376TRPBF IRLHS6376TRPBF INFINEON INFN-S-A0012813547-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLHS6376TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 3.6 A, 3.6 A, 0.048 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.048ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.048ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 20069 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHS6376TRPBF infineon-irlhs6376-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLHS6376TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 3.6A 6-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
589+23.99 грн
Мінімальне замовлення: 589 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHS6376TRPBF infineon-irlhs6376-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLHS6376TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 3.6A 6-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
29+26.10 грн
33+22.82 грн
35+22.00 грн
100+18.73 грн
250+17.18 грн
500+14.88 грн
1000+11.65 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHS6376TRPBF infineon-irlhs6376-datasheet-en.pdf
IRLHS6376TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 30V 3.6A PQFN
на замовлення 1610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+61.71 грн
10+36.95 грн
50+27.11 грн
100+22.44 грн
500+17.19 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHS6376TRPBF Infineon_IRLHS6376_DataSheet_v01_01_EN-3363416.pdf
IRLHS6376TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 2.8nC
на замовлення 17901 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHS6376TRPBF INFN-S-A0012813547-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLHS6376TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLHS6376TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 3.6 A, 3.6 A, 0.048 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.048ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.048ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 20069 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHS6376TRPBF INFN-S-A0012813547-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLHS6376TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLHS6376TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 3.6 A, 3.6 A, 0.048 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.048ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.048ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 20069 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.