IRLHS6376TRPBF Infineon Technologies
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4000+ | 10.78 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRLHS6376TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRLHS6376TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 3.6 A, 3.6 A, 0.048 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.6A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.048ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: DFN2020, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.048ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRLHS6376TRPBF за ціною від 10.36 грн до 61.30 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRLHS6376TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET 2N-CH 30V 3.6A PQFNPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 3.4A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA Supplier Device Package: 6-PQFN Dual (2x2) Part Status: Active |
на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRLHS6376TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 3.6A 6-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 2436 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRLHS6376TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 3.6A 6-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 1900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRLHS6376TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 3.6A 6-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 2436 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRLHS6376TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLHS6376TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 3.6 A, 3.6 A, 0.048 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.6A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.048ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: DFN2020 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.048ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 22919 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRLHS6376TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLHS6376TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 3.6 A, 3.6 A, 0.048 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.6A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.048ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: DFN2020 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.048ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 22919 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRLHS6376TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 2.8nC |
на замовлення 17901 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRLHS6376TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 3.6A PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 3.4A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA Supplier Device Package: 6-PQFN Dual (2x2) Part Status: Active |
на замовлення 60191 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IRLHS6376TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
IRLHS6376TRPBF SMD N channel transistors |
на замовлення 1518 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
IRLHS6376TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 3.6A 6-Pin PQFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IRLHS6376TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 3.6A 6-Pin PQFN EP T/R |
товару немає в наявності |