Інші пропозиції IRLI3705NPBF за ціною від 70.34 грн до 215.00 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRLI3705NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 55V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube |
на замовлення 17 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRLI3705NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET MOSFT 55V 47A 10mOhm 65.3nC LogLvl |
на замовлення 2201 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRLI3705NPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLI3705NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 47 A, 0.01 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 47A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 47W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Fuse Kits productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 1870 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRLI3705NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 55V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube |
на замовлення 17 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
| IRLI3705NPBF | Виробник : INTERNATIONAL RECTIFIER |
MOSFET N-CH 55V 52A TO220FP |
на замовлення 2 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IRLI3705NPBF | Виробник : International Rectifier |
TO220-ISO Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
 |
IRLI3705NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 52A TO220AB FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 28A, 10V Power Dissipation (Max): 58W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |