Технічний опис IRLI540NPBF Infineon
Description: MOSFET N-CH 100V 23A TO220AB FP, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 12A, 10V, Power Dissipation (Max): 54W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): ±16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRLI540NPBF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| IRLI540NPBF | International Rectifier |
 HEXFET® Power MOSFET TO-220 FULLPAK Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
| IRLI540NPBF | JSMSEMI |
MOSFET N-CH 100V 23A TO220AB FP Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
 |
IRLI540NPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 23A TO220AB FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 54W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
 |
IRLI540NPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 100V 20A 44mOhm 49.3nC LogLvl |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| IRLI540NPBF |
|
Виробник: International Rectifier
HEXFET® Power MOSFET TO-220 FULLPAK Транзистори
HEXFET® Power MOSFET TO-220 FULLPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRLI540NPBF |
|
Виробник: JSMSEMI
MOSFET N-CH 100V 23A TO220AB FP Транзистори
MOSFET N-CH 100V 23A TO220AB FP Транзистори
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRLI540NPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 23A TO220AB FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 100V 23A TO220AB FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRLI540NPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 20A 44mOhm 49.3nC LogLvl
MOSFETs MOSFT 100V 20A 44mOhm 49.3nC LogLvl
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.