IRLL014NPBF

IRLL014NPBF INFINEON


171908.pdf Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLL014NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 2 A, 0.14 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRLL014NPBF INFINEON

Description: INFINEON - IRLL014NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 2 A, 0.14 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.1W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).

Інші пропозиції IRLL014NPBF за ціною від 14.50 грн до 18.00 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRLL014NPBF IRLL014NPBF
Код товару: 36808
Додати до обраних Обраний товар

Виробник : IR irll014npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664368425cf Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 60 V
Idd,A: 2,7 A
Rds(on), Ohm: 0,2 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 400/8,4
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+18.00 грн
10+16.20 грн
100+14.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL014NPBF IRLL014NPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irll014n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL014NPBF IRLL014NPBF Виробник : Infineon Technologies irll014npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664368425cf Description: MOSFET N-CH 55V 2A SOT223
Packaging: Tube
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL014NPBF IRLL014NPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRLL014N_DataSheet_v01_01_EN-1732866.pdf MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 140mOhms 9.5nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL014NPBF IRLL014NPBF Виробник : Infineon (IRF) pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E8F5825AFF1A6F5005056AB5A8F&compId=irll014n.pdf?ci_sign=81e5b8465477fd181094b39f17e1ca58ac3541f1 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 2A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 2A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate-source voltage: ±16V
Gate charge: 9.5nC
On-state resistance: 0.14Ω
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.