Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRLL014NTRPBF
IRLL014NTRPBF

IRLL014NTRPBF Infineon Technologies

infineon-irll014n-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 42500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+12.15 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRLL014NTRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRLL014NTRPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET, n-Kanal, 55 V, 2 A, 0.14 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRLL014NTRPBF за ціною від 9.66 грн до 48.02 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRLL014NTRPBF IRLL014NTRPBF Виробник : Infineon Technologies irll014npbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+12.59 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL014NTRPBF IRLL014NTRPBF Виробник : Infineon Technologies irll014npbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+13.49 грн
5000+12.06 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL014NTRPBF IRLL014NTRPBF Виробник : Infineon Technologies irll014npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664368425cf Description: MOSFET N-CH 55V 2A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 25 V
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+13.75 грн
5000+10.96 грн
7500+10.78 грн
12500+9.81 грн
17500+9.66 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL014NTRPBF IRLL014NTRPBF Виробник : Infineon Technologies irll014npbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 230000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+14.62 грн
5000+13.07 грн
10000+12.84 грн
25000+12.16 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL014NTRPBF IRLL014NTRPBF Виробник : Infineon Technologies irll014npbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 230000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+15.66 грн
5000+14.00 грн
10000+13.75 грн
25000+13.02 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL014NTRPBF IRLL014NTRPBF Виробник : Infineon Technologies irll014npbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
677+18.30 грн
Мінімальне замовлення: 677
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL014NTRPBF IRLL014NTRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012813459-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLL014NTRPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET, n-Kanal, 55 V, 2 A, 0.14 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+25.66 грн
500+19.82 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL014NTRPBF IRLL014NTRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227AD7F1FDCDF1A303005056AB0C4F&compId=irll014npbf.pdf?ci_sign=1d1f9f334532dd3711cbf8c73e9f89d36ccd8d49 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 2A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 2A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 2465 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+34.72 грн
18+22.02 грн
100+16.99 грн
250+15.18 грн
500+13.92 грн
1000+12.74 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL014NTRPBF IRLL014NTRPBF Виробник : Infineon Technologies irll014npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664368425cf Description: MOSFET N-CH 55V 2A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 25 V
на замовлення 22961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+40.83 грн
14+22.57 грн
100+20.95 грн
500+16.00 грн
1000+14.41 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL014NTRPBF IRLL014NTRPBF
Код товару: 75405
Додати до обраних Обраний товар

irll014npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664368425cf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL014NTRPBF IRLL014NTRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227AD7F1FDCDF1A303005056AB0C4F&compId=irll014npbf.pdf?ci_sign=1d1f9f334532dd3711cbf8c73e9f89d36ccd8d49 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 2A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 2A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2465 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+41.66 грн
11+27.44 грн
100+20.38 грн
250+18.21 грн
500+16.70 грн
1000+15.29 грн
2500+13.49 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL014NTRPBF IRLL014NTRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon-IRLL014N-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs MOSFT 55V 2A 140mOhm 9.5nC LogLvl
на замовлення 16549 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+45.44 грн
14+25.52 грн
100+19.70 грн
500+16.46 грн
1000+14.80 грн
2500+12.76 грн
5000+10.34 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL014NTRPBF IRLL014NTRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012813459-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLL014NTRPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET, n-Kanal, 55 V, 2 A, 0.14 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+48.02 грн
31+27.61 грн
100+25.66 грн
500+19.82 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL014NTRPBF IRLL014NTRPBF Виробник : Infineon Technologies irll014npbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL014NTRPBF Виробник : INTERNATIONAL RECTIFIER irll014npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664368425cf n-Ch, 55V, 0.14, SOT223, Pb-Free
на замовлення 183 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
8+25.58 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL014NTRPBF Виробник : International Rectifier Corporation irll014npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664368425cf (MFET,N-CH,55V,2.0A,0.14 OM,SOT-223)
на замовлення 2105 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL014NTRPBF irll014npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664368425cf IRLL014NTRPBF Транзисторы MOS FET Small Signal
на замовлення 4526 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.