Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRLL014NTRPBF
IRLL014NTRPBF

IRLL014NTRPBF Infineon Technologies

infineon-irll014n-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+11.89 грн
5000+9.98 грн
7500+9.88 грн
12500+8.91 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRLL014NTRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRLL014NTRPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET, n-Kanal, 55 V, 2 A, 0.14 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRLL014NTRPBF за ціною від 8.08 грн до 57.09 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRLL014NTRPBF IRLL014NTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irll014n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 42500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+12.32 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL014NTRPBF IRLL014NTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irll014n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+12.80 грн
5000+10.75 грн
7500+10.64 грн
12500+9.59 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL014NTRPBF IRLL014NTRPBF Виробник : Infineon Technologies irll014npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664368425cf Description: MOSFET N-CH 55V 2A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 25 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+14.34 грн
5000+11.30 грн
7500+11.23 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL014NTRPBF IRLL014NTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irll014n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 77500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+15.11 грн
5000+11.13 грн
7500+11.03 грн
12500+8.83 грн
17500+8.08 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL014NTRPBF IRLL014NTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irll014n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 77500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+17.78 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL014NTRPBF IRLL014NTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irll014n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
580+21.17 грн
1000+19.42 грн
Мінімальне замовлення: 580
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL014NTRPBF IRLL014NTRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012813459-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLL014NTRPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET, n-Kanal, 55 V, 2 A, 0.14 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 7475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+29.45 грн
500+24.95 грн
1000+20.60 грн
5000+16.93 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL014NTRPBF IRLL014NTRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227AD7F1FDCDF1A303005056AB0C4F&compId=irll014npbf.pdf?ci_sign=1d1f9f334532dd3711cbf8c73e9f89d36ccd8d49 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 2A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 2A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 560 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+37.78 грн
17+24.71 грн
50+19.85 грн
78+12.12 грн
212+11.48 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL014NTRPBF IRLL014NTRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRLL014N_DataSheet_v01_01_EN-3363683.pdf MOSFETs MOSFT 55V 2A 140mOhm 9.5nC LogLvl
на замовлення 86920 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+42.59 грн
15+23.68 грн
100+19.21 грн
250+19.13 грн
500+18.06 грн
1000+16.91 грн
2500+10.94 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL014NTRPBF IRLL014NTRPBF
Код товару: 75405
Додати до обраних Обраний товар

irll014npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664368425cf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL014NTRPBF IRLL014NTRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227AD7F1FDCDF1A303005056AB0C4F&compId=irll014npbf.pdf?ci_sign=1d1f9f334532dd3711cbf8c73e9f89d36ccd8d49 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 2A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 2A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 560 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+45.33 грн
10+30.80 грн
50+23.82 грн
78+14.54 грн
212+13.78 грн
2500+13.20 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL014NTRPBF IRLL014NTRPBF Виробник : Infineon Technologies irll014npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664368425cf Description: MOSFET N-CH 55V 2A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 25 V
на замовлення 9106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+49.67 грн
13+26.23 грн
100+23.76 грн
500+19.40 грн
1000+16.88 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL014NTRPBF IRLL014NTRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012813459-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLL014NTRPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET, n-Kanal, 55 V, 2 A, 0.14 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 7475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+57.09 грн
28+31.25 грн
100+29.45 грн
500+24.95 грн
1000+20.60 грн
5000+16.93 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL014NTRPBF IRLL014NTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irll014n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL014NTRPBF Виробник : INTERNATIONAL RECTIFIER irll014npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664368425cf n-Ch, 55V, 0.14, SOT223, Pb-Free
на замовлення 183 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
8+25.58 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL014NTRPBF Виробник : IR irll014npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664368425cf Транз. Пол. ММ N-HEXFET logik SOT223 Udss=55V; Id=2A; Pdmax=2,1W; Rds=0,14 Ohm
на замовлення 1091 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
7+46.70 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL014NTRPBF irll014npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664368425cf IRLL014NTRPBF Транзисторы MOS FET Small Signal
на замовлення 4526 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.