Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRLL014NTRPBF

IRLL014NTRPBF

irll014npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664368425cf
Код товару: 75405
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRLL014NTRPBF

  • MOSFET
  • Transistor Polarity:N Channel
  • Continuous Drain Current, Id:2A
  • Drain Source Voltage, Vds:55V
  • On Resistance, Rds(on):0.14ohm
  • Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V
  • Threshold Voltage, Vgs Typ:2V
  • Power Dissipation, Pd:2.1W

Інші пропозиції IRLL014NTRPBF за ціною від 11.54 грн до 68.19 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRLL014NTRPBF IRLL014NTRPBF Infineon Technologies irll014npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664368425cf description Description: MOSFET N-CH 55V 2A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 25 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+16.61 грн
5000+14.65 грн
7500+13.97 грн
12500+12.39 грн
17500+11.96 грн
25000+11.54 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL014NTRPBF IRLL014NTRPBF Infineon Technologies irll014npbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 290000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+18.30 грн
5000+16.24 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL014NTRPBF IRLL014NTRPBF Infineon Technologies irll014npbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 290000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+18.35 грн
5000+16.27 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL014NTRPBF IRLL014NTRPBF Infineon Technologies irll014npbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4658 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+23.61 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL014NTRPBF IRLL014NTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irll014npbf.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 2A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 2A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 4465 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+49.11 грн
13+33.58 грн
25+27.44 грн
100+20.40 грн
500+15.42 грн
1000+13.76 грн
2500+12.19 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL014NTRPBF IRLL014NTRPBF Infineon Technologies irll014npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664368425cf description Description: MOSFET N-CH 55V 2A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 25 V
на замовлення 30489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.19 грн
10+40.82 грн
100+26.37 грн
500+18.92 грн
1000+17.04 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL014NTRPBF IRLL014NTRPBF Infineon Technologies Infineon_IRLL014N_DataSheet_v01_01_EN.pdf description MOSFETs MOSFT 55V 2A 140mOhm 9.5nC LogLvl
на замовлення 16491 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL014NTRPBF IRLL014NTRPBF INFINEON INFN-S-A0012813459-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRLL014NTRPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET, n-Kanal, 55 V, 2 A, 0.14 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 1W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
на замовлення 8026 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL014NTRPBF IRLL014NTRPBF INFINEON INFN-S-A0012813459-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRLL014NTRPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET, n-Kanal, 55 V, 2 A, 0.14 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 1W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
на замовлення 8026 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL014NTRPBF INTERNATIONAL RECTIFIER irll014npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664368425cf description n-Ch, 55V, 0.14, SOT223, Pb-Free
на замовлення 183 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
13+27.40 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL014NTRPBF irll014npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664368425cf description IRLL014NTRPBF Транзисторы MOS FET Small Signal
на замовлення 4526 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL014NTRPBF description irll014npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664368425cf
IRLL014NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 2A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 25 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+16.61 грн
5000+14.65 грн
7500+13.97 грн
12500+12.39 грн
17500+11.96 грн
25000+11.54 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL014NTRPBF description irll014npbf.pdf
IRLL014NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 290000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+18.30 грн
5000+16.24 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL014NTRPBF description irll014npbf.pdf
IRLL014NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 290000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+18.35 грн
5000+16.27 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL014NTRPBF description irll014npbf.pdf
IRLL014NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4658 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
600+23.61 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL014NTRPBF description irll014npbf.pdf
IRLL014NTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 2A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 2A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 4465 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+49.11 грн
13+33.58 грн
25+27.44 грн
100+20.40 грн
500+15.42 грн
1000+13.76 грн
2500+12.19 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL014NTRPBF description irll014npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664368425cf
IRLL014NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 2A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 25 V
на замовлення 30489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+68.19 грн
10+40.82 грн
100+26.37 грн
500+18.92 грн
1000+17.04 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL014NTRPBF description Infineon_IRLL014N_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRLL014NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 55V 2A 140mOhm 9.5nC LogLvl
на замовлення 16491 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL014NTRPBF description INFN-S-A0012813459-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLL014NTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLL014NTRPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET, n-Kanal, 55 V, 2 A, 0.14 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 1W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
на замовлення 8026 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL014NTRPBF description INFN-S-A0012813459-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLL014NTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLL014NTRPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET, n-Kanal, 55 V, 2 A, 0.14 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 1W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
на замовлення 8026 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL014NTRPBF description irll014npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664368425cf
Виробник: INTERNATIONAL RECTIFIER
n-Ch, 55V, 0.14, SOT223, Pb-Free
на замовлення 183 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+27.40 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL014NTRPBF description irll014npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664368425cf
IRLL014NTRPBF Транзисторы MOS FET Small Signal
на замовлення 4526 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.