Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRLL014NTRPBF
IRLL014NTRPBF

IRLL014NTRPBF

irll014npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664368425cf
Код товару: 75405
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRLL014NTRPBF

  • MOSFET
  • Transistor Polarity:N Channel
  • Continuous Drain Current, Id:2A
  • Drain Source Voltage, Vds:55V
  • On Resistance, Rds(on):0.14ohm
  • Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V
  • Threshold Voltage, Vgs Typ:2V
  • Power Dissipation, Pd:2.1W

Інші пропозиції IRLL014NTRPBF за ціною від 11.32 грн до 69.62 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRLL014NTRPBF IRLL014NTRPBF Infineon Technologies irll014npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664368425cf description Description: MOSFET N-CH 55V 2A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 25 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+16.95 грн
5000+14.96 грн
7500+14.26 грн
12500+12.65 грн
17500+12.21 грн
25000+11.79 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL014NTRPBF IRLL014NTRPBF Infineon Technologies irll014npbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 320000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+18.50 грн
5000+15.74 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL014NTRPBF IRLL014NTRPBF Infineon Technologies irll014npbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 320000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+18.51 грн
5000+15.75 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL014NTRPBF IRLL014NTRPBF INFINEON INFN-S-A0012813459-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRLL014NTRPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET, n-Kanal, 55 V, 2 A, 0.14 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 11101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+27.73 грн
500+19.73 грн
1000+16.39 грн
5000+12.24 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL014NTRPBF IRLL014NTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irll014npbf.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 2A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 2A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
на замовлення 4723 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
11+41.93 грн
15+29.54 грн
25+24.72 грн
100+19.39 грн
250+17.44 грн
500+16.00 грн
1000+14.64 грн
2500+13.37 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL014NTRPBF IRLL014NTRPBF Infineon Technologies irll014npbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4658 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
230+61.61 грн
334+42.35 грн
453+31.18 грн
576+23.63 грн
1000+19.13 грн
2500+15.94 грн
Мінімальне замовлення: 230
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL014NTRPBF IRLL014NTRPBF Infineon Technologies Infineon_IRLL014N_DataSheet_v01_01_EN.pdf description MOSFETs MOSFT 55V 2A 140mOhm 9.5nC LogLvl
на замовлення 25871 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+62.11 грн
10+38.01 грн
100+21.38 грн
500+16.32 грн
1000+14.77 грн
2500+12.94 грн
5000+11.32 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL014NTRPBF IRLL014NTRPBF INFINEON irll014npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664368425cf description Description: INFINEON - IRLL014NTRPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET, n-Kanal, 55 V, 2 A, 0.14 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 11061 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+69.25 грн
20+42.25 грн
100+27.73 грн
500+19.73 грн
1000+16.39 грн
5000+12.24 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL014NTRPBF IRLL014NTRPBF Infineon Technologies irll014npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664368425cf description Description: MOSFET N-CH 55V 2A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 25 V
на замовлення 30489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.62 грн
10+41.67 грн
100+26.92 грн
500+19.32 грн
1000+17.40 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL014NTRPBF INTERNATIONAL RECTIFIER irll014npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664368425cf description n-Ch, 55V, 0.14, SOT223, Pb-Free
на замовлення 183 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
13+27.40 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL014NTRPBF irll014npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664368425cf description IRLL014NTRPBF Транзисторы MOS FET Small Signal
на замовлення 4526 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL014NTRPBF description irll014npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664368425cf
IRLL014NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 2A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 25 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+16.95 грн
5000+14.96 грн
7500+14.26 грн
12500+12.65 грн
17500+12.21 грн
25000+11.79 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL014NTRPBF description irll014npbf.pdf
IRLL014NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 320000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+18.50 грн
5000+15.74 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL014NTRPBF description irll014npbf.pdf
IRLL014NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 320000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+18.51 грн
5000+15.75 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL014NTRPBF description INFN-S-A0012813459-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLL014NTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLL014NTRPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET, n-Kanal, 55 V, 2 A, 0.14 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 11101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+27.73 грн
500+19.73 грн
1000+16.39 грн
5000+12.24 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL014NTRPBF description irll014npbf.pdf
IRLL014NTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 2A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 2A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
на замовлення 4723 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+41.93 грн
15+29.54 грн
25+24.72 грн
100+19.39 грн
250+17.44 грн
500+16.00 грн
1000+14.64 грн
2500+13.37 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL014NTRPBF description irll014npbf.pdf
IRLL014NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4658 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
230+61.61 грн
334+42.35 грн
453+31.18 грн
576+23.63 грн
1000+19.13 грн
2500+15.94 грн
Мінімальне замовлення: 230
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL014NTRPBF description Infineon_IRLL014N_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRLL014NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 55V 2A 140mOhm 9.5nC LogLvl
на замовлення 25871 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+62.11 грн
10+38.01 грн
100+21.38 грн
500+16.32 грн
1000+14.77 грн
2500+12.94 грн
5000+11.32 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL014NTRPBF description irll014npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664368425cf
IRLL014NTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLL014NTRPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET, n-Kanal, 55 V, 2 A, 0.14 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 11061 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+69.25 грн
20+42.25 грн
100+27.73 грн
500+19.73 грн
1000+16.39 грн
5000+12.24 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL014NTRPBF description irll014npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664368425cf
IRLL014NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 2A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 25 V
на замовлення 30489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+69.62 грн
10+41.67 грн
100+26.92 грн
500+19.32 грн
1000+17.40 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL014NTRPBF description irll014npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664368425cf
Виробник: INTERNATIONAL RECTIFIER
n-Ch, 55V, 0.14, SOT223, Pb-Free
на замовлення 183 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
13+27.40 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL014NTRPBF description irll014npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664368425cf
IRLL014NTRPBF Транзисторы MOS FET Small Signal
на замовлення 4526 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.