Технічний опис IRLL014NTRPBF
- MOSFET
- Transistor Polarity:N Channel
- Continuous Drain Current, Id:2A
- Drain Source Voltage, Vds:55V
- On Resistance, Rds(on):0.14ohm
- Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V
- Threshold Voltage, Vgs Typ:2V
- Power Dissipation, Pd:2.1W
Інші пропозиції IRLL014NTRPBF за ціною від 9.83 грн до 68.01 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRLL014NTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 55V 2A SOT223Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 25 V |
на замовлення 26500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
IRLL014NTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 270000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IRLL014NTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 270000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
IRLL014NTRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLL014NTRPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET, n-Kanal, 55 V, 2 A, 0.14 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 16093 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
IRLL014NTRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 2A; 2.1W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 2A Power dissipation: 2.1W Case: SOT223 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Features of semiconductor devices: logic level |
на замовлення 8081 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IRLL014NTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 2A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 25 V |
на замовлення 26568 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
IRLL014NTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 55V 2A 140mOhm 9.5nC LogLvl |
на замовлення 36340 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IRLL014NTRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLL014NTRPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET, n-Kanal, 55 V, 2 A, 0.14 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 11291 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IRLL014NTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||||
| IRLL014NTRPBF | Виробник : INTERNATIONAL RECTIFIER |
n-Ch, 55V, 0.14, SOT223, Pb-Free |
на замовлення 183 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
| IRLL014NTRPBF |
IRLL014NTRPBF Транзисторы MOS FET Small Signal |
на замовлення 4526 шт: термін постачання 4 дні (днів) |
|||||||||||||||||||||||
|
|
IRLL014NTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
| IRLL014NTRPBF | Виробник : International Rectifier/Infineon |
N-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 2 A, Ptot, Вт = 1, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 230 @ 25, Qg, нКл = 14 @ 10 В, Rds = 140 мОм @ 2 A, 10 В, Tексп, °C = -65...+175, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |