Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRLL024NTRPBF
IRLL024NTRPBF

IRLL024NTRPBF Infineon Technologies

irll024npbf.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+16.82 грн
5000+16.55 грн
7500+16.26 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRLL024NTRPBF Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT223, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.1A, 10V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-223, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): ±16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.6 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25.

Інші пропозиції IRLL024NTRPBF за ціною від 7.60 грн до 87.71 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRLL024NTRPBF IRLL024NTRPBF Виробник : Infineon Technologies irll024npbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+18.02 грн
5000+17.74 грн
7500+17.42 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024NTRPBF IRLL024NTRPBF Виробник : Infineon Technologies irll024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664451725d3 Description: MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+18.19 грн
5000+16.11 грн
7500+15.40 грн
12500+13.70 грн
17500+13.25 грн
25000+12.81 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024NTRPBF IRLL024NTRPBF Виробник : Infineon Technologies irll024npbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 165000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+21.50 грн
5000+20.94 грн
7500+20.34 грн
12500+18.39 грн
17500+16.86 грн
25000+16.14 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024NTRPBF IRLL024NTRPBF Виробник : Infineon Technologies irll024npbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 49180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1323+24.40 грн
10000+21.76 грн
Мінімальне замовлення: 1323
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024NTRPBF IRLL024NTRPBF Виробник : Infineon Technologies irll024npbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1323+24.40 грн
Мінімальне замовлення: 1323
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024NTRPBF IRLL024NTRPBF Виробник : Infineon Technologies irll024npbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 165000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+25.45 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024NTRPBF IRLL024NTRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0007570100-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLL024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 3.1 A, 0.065 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 11925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+31.48 грн
500+23.26 грн
1000+19.38 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024NTRPBF IRLL024NTRPBF Виробник : Infineon Technologies irll024npbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 10963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
249+52.00 грн
375+34.44 грн
500+26.73 грн
1000+23.36 грн
2500+17.31 грн
5000+15.60 грн
7500+15.14 грн
Мінімальне замовлення: 249
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024NTRPBF IRLL024NTRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irll024n.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 4.4A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10.4nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 6587 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+63.27 грн
11+40.70 грн
50+28.87 грн
100+25.01 грн
500+18.55 грн
1000+16.62 грн
2500+14.52 грн
5000+13.26 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024NTRPBF IRLL024NTRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0007570100-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLL024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 3.1 A, 0.065 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 11925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+65.32 грн
50+41.32 грн
100+31.48 грн
500+23.26 грн
1000+19.38 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024NTRPBF IRLL024NTRPBF
Код товару: 92254
Додати до обраних Обраний товар

irll024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664451725d3 Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+20.00 грн
10+9.40 грн
100+7.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024NTRPBF IRLL024NTRPBF Виробник : Infineon Technologies irll024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664451725d3 Description: MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 61431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+72.16 грн
10+43.58 грн
100+28.39 грн
500+20.54 грн
1000+18.57 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024NTRPBF IRLL024NTRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRLL024N_DS_v01_02_EN.pdf MOSFETs MOSFT 55V 4.4A 65mOhm 10.4nC LogLvl
на замовлення 15755 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+73.45 грн
10+46.51 грн
100+26.98 грн
500+20.78 грн
1000+18.76 грн
2500+13.81 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024NTRPBF IRLL024NTRPBF Виробник : Infineon Technologies irll024npbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 10963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+86.70 грн
14+55.71 грн
100+36.90 грн
500+27.61 грн
1000+23.17 грн
2500+17.80 грн
5000+16.71 грн
7500+16.22 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024NTRPBF IRLL024NTRPBF Виробник : Infineon Technologies irll024npbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+87.71 грн
10+87.57 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024NTRPBF IRLL024NTRPBF Виробник : Infineon Technologies irll024npbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.