Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRLL024NTRPBF
IRLL024NTRPBF

IRLL024NTRPBF Infineon Technologies

infineon-irll024n-ds-v01_02-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+12.48 грн
5000+12.08 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRLL024NTRPBF Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT223, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.1A, 10V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-223, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): ±16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.6 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25.

Інші пропозиції IRLL024NTRPBF за ціною від 7.60 грн до 75.33 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRLL024NTRPBF IRLL024NTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irll024n-ds-v01_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+14.28 грн
5000+13.67 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024NTRPBF IRLL024NTRPBF Виробник : Infineon Technologies irll024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664451725d3 Description: MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 92500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+14.94 грн
5000+13.77 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024NTRPBF IRLL024NTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irll024n-ds-v01_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 220000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+15.58 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024NTRPBF IRLL024NTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irll024n-ds-v01_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1326+22.96 грн
Мінімальне замовлення: 1326
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024NTRPBF IRLL024NTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irll024n-ds-v01_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 5680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1326+22.96 грн
Мінімальне замовлення: 1326
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024NTRPBF IRLL024NTRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0007570100-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLL024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 3.1 A, 0.065 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 21501 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+31.78 грн
500+22.78 грн
1000+18.91 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024NTRPBF IRLL024NTRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E8F5825B6F1A6F5005056AB5A8F&compId=irll024n.pdf?ci_sign=a7f9a48b2cd1b39663d6bdd21504bf6984076499 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 4.4A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10.4nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 3643 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+57.63 грн
11+37.77 грн
48+18.81 грн
132+17.81 грн
1000+17.28 грн
2500+17.12 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024NTRPBF IRLL024NTRPBF Виробник : Infineon Technologies irll024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664451725d3 Description: MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 92873 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+63.51 грн
10+38.91 грн
100+27.15 грн
500+19.85 грн
1000+17.95 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024NTRPBF IRLL024NTRPBF
Код товару: 92254
Додати до обраних Обраний товар

irll024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664451725d3 Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+12.50 грн
10+9.40 грн
100+7.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024NTRPBF IRLL024NTRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRLL024N_DS_v01_02_EN-3363573.pdf MOSFETs MOSFT 55V 4.4A 65mOhm 10.4nC LogLvl
на замовлення 6401 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+65.07 грн
10+44.23 грн
25+35.59 грн
100+28.18 грн
500+21.94 грн
1000+19.89 грн
2500+14.60 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024NTRPBF IRLL024NTRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E8F5825B6F1A6F5005056AB5A8F&compId=irll024n.pdf?ci_sign=a7f9a48b2cd1b39663d6bdd21504bf6984076499 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 4.4A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10.4nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3643 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+69.16 грн
10+47.06 грн
48+22.57 грн
132+21.38 грн
1000+20.73 грн
2500+20.55 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024NTRPBF IRLL024NTRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0007570100-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLL024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 3.1 A, 0.065 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 21501 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+75.33 грн
50+41.74 грн
100+31.78 грн
500+22.78 грн
1000+18.91 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024NTRPBF IRLL024NTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irll024n-ds-v01_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024NTRPBF IRLL024NTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irll024n-ds-v01_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024NTRPBF IRLL024NTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irll024n-ds-v01_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024NTRPBF IRLL024NTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irll024n-ds-v01_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.