Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRLL024NTRPBF
IRLL024NTRPBF

IRLL024NTRPBF

irll024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664451725d3
Код товару: 92254
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
КількістьЦіна
1+20.00 грн
10+9.40 грн
100+7.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRLL024NTRPBF

  • MOSFET
  • Transistor Polarity:N Channel
  • Continuous Drain Current, Id:4.4A
  • Drain Source Voltage, Vds:55V
  • On Resistance, Rds(on):100mohm
  • Rds(on) Test Voltage, Vgs:16V
  • Threshold Voltage, Vgs Typ:2V
  • Power Dissipation, Pd:2.1W

Інші пропозиції IRLL024NTRPBF за ціною від 13.97 грн до 93.41 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRLL024NTRPBF IRLL024NTRPBF Infineon Technologies irll024npbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+18.39 грн
5000+18.20 грн
7500+18.03 грн
12500+16.47 грн
17500+15.16 грн
25000+14.40 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024NTRPBF IRLL024NTRPBF Infineon Technologies irll024npbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+18.39 грн
5000+18.20 грн
7500+18.03 грн
12500+16.47 грн
17500+15.16 грн
25000+14.40 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024NTRPBF IRLL024NTRPBF Infineon Technologies irll024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664451725d3 description Description: MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 52500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+21.34 грн
5000+18.90 грн
7500+18.06 грн
12500+16.06 грн
17500+15.54 грн
25000+15.03 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024NTRPBF IRLL024NTRPBF Infineon Technologies irll024npbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 180000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+21.88 грн
5000+21.67 грн
7500+21.45 грн
12500+18.74 грн
17500+17.18 грн
25000+16.33 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024NTRPBF IRLL024NTRPBF Infineon Technologies irll024npbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 180000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+21.96 грн
5000+21.73 грн
7500+21.52 грн
12500+18.80 грн
17500+17.23 грн
25000+16.38 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024NTRPBF IRLL024NTRPBF Infineon Technologies irll024npbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1323+26.68 грн
Мінімальне замовлення: 1323 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024NTRPBF IRLL024NTRPBF Infineon Technologies irll024npbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 49180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1323+26.68 грн
10000+23.79 грн
Мінімальне замовлення: 1323 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024NTRPBF IRLL024NTRPBF Infineon Technologies irll024npbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.09 грн
10000+24.74 грн
15000+23.02 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024NTRPBF IRLL024NTRPBF INFINEON INFN-S-A0007570100-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRLL024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 3.1 A, 0.065 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
на замовлення 17449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+32.98 грн
500+23.62 грн
1000+19.69 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024NTRPBF IRLL024NTRPBF Infineon Technologies irll024npbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 10963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
311+45.50 грн
410+34.43 грн
500+28.28 грн
1000+25.15 грн
2500+18.09 грн
5000+17.18 грн
7500+17.02 грн
Мінімальне замовлення: 311 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024NTRPBF IRLL024NTRPBF Infineon Technologies irll024npbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
256+55.22 грн
359+39.41 грн
500+31.39 грн
1000+27.61 грн
2500+19.30 грн
Мінімальне замовлення: 256 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024NTRPBF IRLL024NTRPBF Infineon Technologies irll024npbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 10963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+59.18 грн
17+45.50 грн
100+34.43 грн
500+27.27 грн
1000+23.28 грн
2500+17.36 грн
5000+17.18 грн
7500+17.02 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024NTRPBF IRLL024NTRPBF Infineon Technologies irll024npbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1513 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
233+60.75 грн
234+60.50 грн
250+60.26 грн
500+57.87 грн
1000+53.37 грн
Мінімальне замовлення: 233 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024NTRPBF IRLL024NTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irll024n.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 4.4A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10.4nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 7395 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+70.20 грн
10+44.10 грн
50+31.66 грн
100+27.43 грн
500+19.89 грн
1000+17.44 грн
2500+14.64 грн
5000+13.97 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024NTRPBF IRLL024NTRPBF INFINEON INFN-S-A0007570100-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRLL024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 3.1 A, 0.065 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
на замовлення 17449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+70.40 грн
50+46.60 грн
100+32.98 грн
500+23.62 грн
1000+19.69 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024NTRPBF IRLL024NTRPBF Infineon Technologies Infineon_IRLL024N_DS_v01_02_EN.pdf description MOSFETs MOSFT 55V 4.4A 65mOhm 10.4nC LogLvl
на замовлення 12687 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+81.14 грн
10+47.07 грн
100+28.20 грн
500+21.73 грн
1000+19.62 грн
2500+16.46 грн
5000+14.91 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024NTRPBF IRLL024NTRPBF Infineon Technologies irll024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664451725d3 description Description: MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 54062 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+84.65 грн
10+51.04 грн
100+33.31 грн
500+24.09 грн
1000+21.78 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024NTRPBF IRLL024NTRPBF Infineon Technologies irll024npbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1513 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+93.41 грн
13+61.37 грн
25+60.75 грн
100+58.34 грн
250+53.80 грн
500+51.44 грн
1000+51.23 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024NTRPBF IRLL024NTRPBF Infineon Technologies irll024npbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 465 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024NTRPBF description irll024npbf.pdf
IRLL024NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+18.39 грн
5000+18.20 грн
7500+18.03 грн
12500+16.47 грн
17500+15.16 грн
25000+14.40 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024NTRPBF description irll024npbf.pdf
IRLL024NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+18.39 грн
5000+18.20 грн
7500+18.03 грн
12500+16.47 грн
17500+15.16 грн
25000+14.40 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024NTRPBF description irll024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664451725d3
IRLL024NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 52500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+21.34 грн
5000+18.90 грн
7500+18.06 грн
12500+16.06 грн
17500+15.54 грн
25000+15.03 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024NTRPBF description irll024npbf.pdf
IRLL024NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 180000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+21.88 грн
5000+21.67 грн
7500+21.45 грн
12500+18.74 грн
17500+17.18 грн
25000+16.33 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024NTRPBF description irll024npbf.pdf
IRLL024NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 180000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+21.96 грн
5000+21.73 грн
7500+21.52 грн
12500+18.80 грн
17500+17.23 грн
25000+16.38 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024NTRPBF description irll024npbf.pdf
IRLL024NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1323+26.68 грн
Мінімальне замовлення: 1323 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024NTRPBF description irll024npbf.pdf
IRLL024NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 49180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1323+26.68 грн
10000+23.79 грн
Мінімальне замовлення: 1323 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024NTRPBF description irll024npbf.pdf
IRLL024NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+27.09 грн
10000+24.74 грн
15000+23.02 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024NTRPBF description INFN-S-A0007570100-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLL024NTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLL024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 3.1 A, 0.065 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
на замовлення 17449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+32.98 грн
500+23.62 грн
1000+19.69 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024NTRPBF description irll024npbf.pdf
IRLL024NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 10963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
311+45.50 грн
410+34.43 грн
500+28.28 грн
1000+25.15 грн
2500+18.09 грн
5000+17.18 грн
7500+17.02 грн
Мінімальне замовлення: 311 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024NTRPBF description irll024npbf.pdf
IRLL024NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
256+55.22 грн
359+39.41 грн
500+31.39 грн
1000+27.61 грн
2500+19.30 грн
Мінімальне замовлення: 256 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024NTRPBF description irll024npbf.pdf
IRLL024NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 10963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
13+59.18 грн
17+45.50 грн
100+34.43 грн
500+27.27 грн
1000+23.28 грн
2500+17.36 грн
5000+17.18 грн
7500+17.02 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024NTRPBF description irll024npbf.pdf
IRLL024NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1513 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
233+60.75 грн
234+60.50 грн
250+60.26 грн
500+57.87 грн
1000+53.37 грн
Мінімальне замовлення: 233 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024NTRPBF description irll024n.pdf
IRLL024NTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 4.4A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10.4nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 7395 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
7+70.20 грн
10+44.10 грн
50+31.66 грн
100+27.43 грн
500+19.89 грн
1000+17.44 грн
2500+14.64 грн
5000+13.97 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024NTRPBF description INFN-S-A0007570100-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLL024NTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLL024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 3.1 A, 0.065 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
на замовлення 17449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
12+70.40 грн
50+46.60 грн
100+32.98 грн
500+23.62 грн
1000+19.69 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024NTRPBF description Infineon_IRLL024N_DS_v01_02_EN.pdf
IRLL024NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 55V 4.4A 65mOhm 10.4nC LogLvl
на замовлення 12687 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
5+81.14 грн
10+47.07 грн
100+28.20 грн
500+21.73 грн
1000+19.62 грн
2500+16.46 грн
5000+14.91 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024NTRPBF description irll024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664451725d3
IRLL024NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 54062 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+84.65 грн
10+51.04 грн
100+33.31 грн
500+24.09 грн
1000+21.78 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024NTRPBF description irll024npbf.pdf
IRLL024NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1513 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
9+93.41 грн
13+61.37 грн
25+60.75 грн
100+58.34 грн
250+53.80 грн
500+51.44 грн
1000+51.23 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024NTRPBF description irll024npbf.pdf
IRLL024NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 465 шт
В кошику  од. на суму  грн.