Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRLL024NTRPBF

IRLL024NTRPBF

irll024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664451725d3
Код товару: 92254
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
КількістьЦіна без ПДВ
2+12.50 грн
10+9.40 грн
100+7.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRLL024NTRPBF

  • MOSFET
  • Transistor Polarity:N Channel
  • Continuous Drain Current, Id:4.4A
  • Drain Source Voltage, Vds:55V
  • On Resistance, Rds(on):100mohm
  • Rds(on) Test Voltage, Vgs:16V
  • Threshold Voltage, Vgs Typ:2V
  • Power Dissipation, Pd:2.1W

Інші пропозиції IRLL024NTRPBF за ціною від 15.54 грн до 95.87 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRLL024NTRPBF IRLL024NTRPBF Infineon Technologies irll024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664451725d3 description Description: MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+18.85 грн
7500+15.97 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024NTRPBF IRLL024NTRPBF Infineon Technologies irll024npbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.65 грн
7500+20.00 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024NTRPBF IRLL024NTRPBF Infineon Technologies irll024npbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.65 грн
7500+20.00 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024NTRPBF IRLL024NTRPBF Infineon Technologies irll024npbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1245+28.48 грн
Мінімальне замовлення: 1245 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024NTRPBF IRLL024NTRPBF Infineon Technologies irll024npbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 31156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1245+28.48 грн
10000+25.40 грн
Мінімальне замовлення: 1245 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024NTRPBF IRLL024NTRPBF Infineon Technologies irll024npbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 10963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
404+35.12 грн
453+31.33 грн
496+28.63 грн
614+22.27 грн
2500+17.36 грн
7500+15.61 грн
Мінімальне замовлення: 404 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024NTRPBF IRLL024NTRPBF Infineon Technologies irll024npbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 10963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+42.62 грн
22+35.12 грн
50+31.33 грн
100+27.61 грн
500+20.62 грн
2500+16.67 грн
7500+15.61 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024NTRPBF IRLL024NTRPBF Infineon Technologies irll024npbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
297+47.84 грн
307+46.24 грн
318+44.64 грн
500+41.51 грн
Мінімальне замовлення: 297 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024NTRPBF IRLL024NTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irll024n.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 4.4A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10.4nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 5270 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+72.49 грн
8+54.18 грн
10+45.95 грн
50+29.42 грн
100+24.68 грн
500+18.28 грн
1000+16.79 грн
2500+15.54 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024NTRPBF IRLL024NTRPBF Infineon Technologies irll024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664451725d3 description Description: MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 81668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+74.56 грн
10+44.80 грн
50+33.10 грн
100+27.51 грн
500+21.24 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024NTRPBF IRLL024NTRPBF Infineon Technologies irll024npbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+86.00 грн
14+58.07 грн
50+47.46 грн
100+39.49 грн
500+26.43 грн
2500+20.02 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024NTRPBF IRLL024NTRPBF Infineon Technologies irll024npbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
165+86.00 грн
245+58.07 грн
299+47.46 грн
347+39.49 грн
500+26.43 грн
2500+20.02 грн
Мінімальне замовлення: 165 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024NTRPBF IRLL024NTRPBF Infineon Technologies irll024npbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+95.87 грн
13+60.12 грн
25+47.84 грн
100+44.59 грн
250+39.86 грн
500+36.90 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024NTRPBF IRLL024NTRPBF Infineon Technologies infineon_irll024n_ds_en.pdf description MOSFETs MOSFT 55V 4.4A 65mOhm 10.4nC LogLvl
на замовлення 15241 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024NTRPBF IRLL024NTRPBF INFINEON INFN-S-A0007570100-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRLL024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 3.1 A, 0.065 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
на замовлення 26309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024NTRPBF IRLL024NTRPBF INFINEON INFN-S-A0007570100-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRLL024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 3.1 A, 0.065 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
на замовлення 26309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024NTRPBF description irll024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664451725d3
IRLL024NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+18.85 грн
7500+15.97 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024NTRPBF description irll024npbf.pdf
IRLL024NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+20.65 грн
7500+20.00 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024NTRPBF description irll024npbf.pdf
IRLL024NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+20.65 грн
7500+20.00 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024NTRPBF description irll024npbf.pdf
IRLL024NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1245+28.48 грн
Мінімальне замовлення: 1245 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024NTRPBF description irll024npbf.pdf
IRLL024NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 31156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1245+28.48 грн
10000+25.40 грн
Мінімальне замовлення: 1245 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024NTRPBF description irll024npbf.pdf
IRLL024NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 10963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
404+35.12 грн
453+31.33 грн
496+28.63 грн
614+22.27 грн
2500+17.36 грн
7500+15.61 грн
Мінімальне замовлення: 404 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024NTRPBF description irll024npbf.pdf
IRLL024NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 10963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
18+42.62 грн
22+35.12 грн
50+31.33 грн
100+27.61 грн
500+20.62 грн
2500+16.67 грн
7500+15.61 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024NTRPBF description irll024npbf.pdf
IRLL024NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
297+47.84 грн
307+46.24 грн
318+44.64 грн
500+41.51 грн
Мінімальне замовлення: 297 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024NTRPBF description irll024n.pdf
IRLL024NTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 4.4A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10.4nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 5270 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+72.49 грн
8+54.18 грн
10+45.95 грн
50+29.42 грн
100+24.68 грн
500+18.28 грн
1000+16.79 грн
2500+15.54 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024NTRPBF description irll024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664451725d3
IRLL024NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 81668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+74.56 грн
10+44.80 грн
50+33.10 грн
100+27.51 грн
500+21.24 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024NTRPBF description irll024npbf.pdf
IRLL024NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+86.00 грн
14+58.07 грн
50+47.46 грн
100+39.49 грн
500+26.43 грн
2500+20.02 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024NTRPBF description irll024npbf.pdf
IRLL024NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
165+86.00 грн
245+58.07 грн
299+47.46 грн
347+39.49 грн
500+26.43 грн
2500+20.02 грн
Мінімальне замовлення: 165 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024NTRPBF description irll024npbf.pdf
IRLL024NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+95.87 грн
13+60.12 грн
25+47.84 грн
100+44.59 грн
250+39.86 грн
500+36.90 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024NTRPBF description infineon_irll024n_ds_en.pdf
IRLL024NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 55V 4.4A 65mOhm 10.4nC LogLvl
на замовлення 15241 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024NTRPBF description INFN-S-A0007570100-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLL024NTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLL024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 3.1 A, 0.065 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
на замовлення 26309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024NTRPBF description INFN-S-A0007570100-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLL024NTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLL024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 3.1 A, 0.065 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
на замовлення 26309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.