Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRLL024NTRPBF

IRLL024NTRPBF

irll024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664451725d3
Код товару: 92254
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
КількістьЦіна без ПДВ
1+20.00 грн
10+9.40 грн
100+7.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRLL024NTRPBF

  • MOSFET
  • Transistor Polarity:N Channel
  • Continuous Drain Current, Id:4.4A
  • Drain Source Voltage, Vds:55V
  • On Resistance, Rds(on):100mohm
  • Rds(on) Test Voltage, Vgs:16V
  • Threshold Voltage, Vgs Typ:2V
  • Power Dissipation, Pd:2.1W

Інші пропозиції IRLL024NTRPBF за ціною від 13.68 грн до 95.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRLL024NTRPBF IRLL024NTRPBF Infineon Technologies irll024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664451725d3 description Description: MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.25 грн
5000+17.07 грн
7500+16.32 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024NTRPBF IRLL024NTRPBF Infineon Technologies irll024npbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+22.13 грн
5000+20.60 грн
7500+20.09 грн
12500+17.68 грн
17500+16.22 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024NTRPBF IRLL024NTRPBF Infineon Technologies irll024npbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+22.13 грн
5000+20.60 грн
7500+20.09 грн
12500+17.68 грн
17500+16.22 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024NTRPBF IRLL024NTRPBF Infineon Technologies irll024npbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 195000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+24.66 грн
5000+22.54 грн
7500+21.85 грн
12500+18.81 грн
17500+17.25 грн
25000+16.39 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024NTRPBF IRLL024NTRPBF Infineon Technologies irll024npbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 195000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.13 грн
5000+24.98 грн
7500+23.88 грн
12500+21.99 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024NTRPBF IRLL024NTRPBF Infineon Technologies irll024npbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 34080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1245+28.42 грн
10000+25.35 грн
Мінімальне замовлення: 1245 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024NTRPBF IRLL024NTRPBF Infineon Technologies irll024npbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1245+28.42 грн
Мінімальне замовлення: 1245 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024NTRPBF IRLL024NTRPBF Infineon Technologies irll024npbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 10963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
317+44.71 грн
420+33.75 грн
514+27.55 грн
1000+24.45 грн
2500+19.14 грн
5000+17.68 грн
7500+16.54 грн
Мінімальне замовлення: 317 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024NTRPBF IRLL024NTRPBF Infineon Technologies irll024npbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 10963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+59.84 грн
17+44.71 грн
100+33.75 грн
500+26.57 грн
1000+22.64 грн
2500+18.37 грн
5000+17.68 грн
7500+16.54 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024NTRPBF IRLL024NTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irll024n.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 4.4A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10.4nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 7266 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+68.75 грн
10+43.20 грн
50+31.01 грн
100+26.86 грн
500+19.48 грн
1000+17.08 грн
2500+14.34 грн
5000+13.68 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024NTRPBF IRLL024NTRPBF Infineon Technologies irll024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664451725d3 description Description: MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 8266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+75.94 грн
10+45.82 грн
100+29.95 грн
500+21.69 грн
1000+19.63 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024NTRPBF IRLL024NTRPBF Infineon Technologies irll024npbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+82.01 грн
14+55.50 грн
100+39.20 грн
500+29.78 грн
1000+25.05 грн
2500+19.91 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024NTRPBF IRLL024NTRPBF Infineon Technologies irll024npbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
172+82.51 грн
254+55.83 грн
359+39.43 грн
500+29.96 грн
1000+25.21 грн
2500+20.03 грн
Мінімальне замовлення: 172 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024NTRPBF IRLL024NTRPBF Infineon Technologies irll024npbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
169+83.92 грн
182+78.04 грн
250+72.18 грн
500+63.94 грн
1000+53.96 грн
Мінімальне замовлення: 169 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024NTRPBF IRLL024NTRPBF Infineon Technologies irll024npbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+95.66 грн
10+89.79 грн
25+83.92 грн
100+75.26 грн
250+64.45 грн
500+56.83 грн
1000+51.80 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024NTRPBF IRLL024NTRPBF Infineon Technologies Infineon_IRLL024N_DS_v01_02_EN.pdf description MOSFETs MOSFT 55V 4.4A 65mOhm 10.4nC LogLvl
на замовлення 10246 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024NTRPBF IRLL024NTRPBF INFINEON INFN-S-A0007570100-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRLL024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 3.1 A, 0.065 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
на замовлення 22379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024NTRPBF IRLL024NTRPBF INFINEON INFN-S-A0007570100-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRLL024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 3.1 A, 0.065 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
на замовлення 22379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024NTRPBF description irll024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664451725d3
IRLL024NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+19.25 грн
5000+17.07 грн
7500+16.32 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024NTRPBF description irll024npbf.pdf
IRLL024NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+22.13 грн
5000+20.60 грн
7500+20.09 грн
12500+17.68 грн
17500+16.22 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024NTRPBF description irll024npbf.pdf
IRLL024NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+22.13 грн
5000+20.60 грн
7500+20.09 грн
12500+17.68 грн
17500+16.22 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024NTRPBF description irll024npbf.pdf
IRLL024NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 195000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+24.66 грн
5000+22.54 грн
7500+21.85 грн
12500+18.81 грн
17500+17.25 грн
25000+16.39 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024NTRPBF description irll024npbf.pdf
IRLL024NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 195000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+27.13 грн
5000+24.98 грн
7500+23.88 грн
12500+21.99 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024NTRPBF description irll024npbf.pdf
IRLL024NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 34080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1245+28.42 грн
10000+25.35 грн
Мінімальне замовлення: 1245 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024NTRPBF description irll024npbf.pdf
IRLL024NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1245+28.42 грн
Мінімальне замовлення: 1245 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024NTRPBF description irll024npbf.pdf
IRLL024NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 10963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
317+44.71 грн
420+33.75 грн
514+27.55 грн
1000+24.45 грн
2500+19.14 грн
5000+17.68 грн
7500+16.54 грн
Мінімальне замовлення: 317 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024NTRPBF description irll024npbf.pdf
IRLL024NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 10963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+59.84 грн
17+44.71 грн
100+33.75 грн
500+26.57 грн
1000+22.64 грн
2500+18.37 грн
5000+17.68 грн
7500+16.54 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024NTRPBF description irll024n.pdf
IRLL024NTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 4.4A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10.4nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 7266 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+68.75 грн
10+43.20 грн
50+31.01 грн
100+26.86 грн
500+19.48 грн
1000+17.08 грн
2500+14.34 грн
5000+13.68 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024NTRPBF description irll024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664451725d3
IRLL024NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 8266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+75.94 грн
10+45.82 грн
100+29.95 грн
500+21.69 грн
1000+19.63 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024NTRPBF description irll024npbf.pdf
IRLL024NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+82.01 грн
14+55.50 грн
100+39.20 грн
500+29.78 грн
1000+25.05 грн
2500+19.91 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024NTRPBF description irll024npbf.pdf
IRLL024NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
172+82.51 грн
254+55.83 грн
359+39.43 грн
500+29.96 грн
1000+25.21 грн
2500+20.03 грн
Мінімальне замовлення: 172 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024NTRPBF description irll024npbf.pdf
IRLL024NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
169+83.92 грн
182+78.04 грн
250+72.18 грн
500+63.94 грн
1000+53.96 грн
Мінімальне замовлення: 169 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024NTRPBF description irll024npbf.pdf
IRLL024NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+95.66 грн
10+89.79 грн
25+83.92 грн
100+75.26 грн
250+64.45 грн
500+56.83 грн
1000+51.80 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024NTRPBF description Infineon_IRLL024N_DS_v01_02_EN.pdf
IRLL024NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 55V 4.4A 65mOhm 10.4nC LogLvl
на замовлення 10246 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024NTRPBF description INFN-S-A0007570100-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLL024NTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLL024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 3.1 A, 0.065 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
на замовлення 22379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024NTRPBF description INFN-S-A0007570100-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLL024NTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLL024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 3.1 A, 0.065 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
на замовлення 22379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.