Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRLL024ZTRPBF
IRLL024ZTRPBF

IRLL024ZTRPBF Infineon Technologies

irll024zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356644e0225d5
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+19.74 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 2500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRLL024ZTRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRLL024ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 5 A, 0.06 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 2.8W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm.

Інші пропозиції IRLL024ZTRPBF за ціною від 19.91 грн до 91.57 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRLL024ZTRPBF IRLL024ZTRPBF Infineon Technologies infineonirll024zdatasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+22.66 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024ZTRPBF IRLL024ZTRPBF Infineon Technologies infineonirll024zdatasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+22.80 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024ZTRPBF IRLL024ZTRPBF Infineon Technologies infineonirll024zdatasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+25.86 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024ZTRPBF IRLL024ZTRPBF Infineon Technologies infineonirll024zdatasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+25.86 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024ZTRPBF IRLL024ZTRPBF Infineon Technologies irll024zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356644e0225d5 Description: MOSFET N-CH 55V 5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 25 V
на замовлення 5046 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+75.95 грн
10+46.14 грн
100+30.25 грн
500+21.98 грн
1000+19.91 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024ZTRPBF IRLL024ZTRPBF Infineon Technologies infineonirll024zdatasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 6806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+91.57 грн
13+62.16 грн
100+43.34 грн
500+33.14 грн
1000+27.00 грн
2500+22.65 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024ZTRPBF IRLL024ZTRPBF Infineon Technologies infineonirll024zdatasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 6806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
160+91.57 грн
236+62.16 грн
338+43.34 грн
500+33.14 грн
1000+27.00 грн
2500+22.65 грн
Мінімальне замовлення: 160 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024ZTRPBF IRLL024ZTRPBF INFINEON IRSDS11312-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLL024ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 5 A, 0.06 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 2.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
на замовлення 1744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024ZTRPBF IRLL024ZTRPBF INFINEON IRSDS11312-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLL024ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 5 A, 0.06 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 2.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
на замовлення 1744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024ZTRPBF infineonirll024zdatasheeten.pdf
IRLL024ZTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+22.66 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024ZTRPBF infineonirll024zdatasheeten.pdf
IRLL024ZTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+22.80 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024ZTRPBF infineonirll024zdatasheeten.pdf
IRLL024ZTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+25.86 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024ZTRPBF infineonirll024zdatasheeten.pdf
IRLL024ZTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+25.86 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024ZTRPBF irll024zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356644e0225d5
IRLL024ZTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 25 V
на замовлення 5046 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+75.95 грн
10+46.14 грн
100+30.25 грн
500+21.98 грн
1000+19.91 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024ZTRPBF infineonirll024zdatasheeten.pdf
IRLL024ZTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 6806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+91.57 грн
13+62.16 грн
100+43.34 грн
500+33.14 грн
1000+27.00 грн
2500+22.65 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024ZTRPBF infineonirll024zdatasheeten.pdf
IRLL024ZTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 6806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
160+91.57 грн
236+62.16 грн
338+43.34 грн
500+33.14 грн
1000+27.00 грн
2500+22.65 грн
Мінімальне замовлення: 160 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024ZTRPBF IRSDS11312-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLL024ZTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLL024ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 5 A, 0.06 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 2.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
на замовлення 1744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024ZTRPBF IRSDS11312-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLL024ZTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLL024ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 5 A, 0.06 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 2.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
на замовлення 1744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.