Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRLL024ZTRPBF
IRLL024ZTRPBF

IRLL024ZTRPBF Infineon Technologies

irll024z.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 5A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+15.07 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRLL024ZTRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRLL024ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 5 A, 0.048 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.8W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRLL024ZTRPBF за ціною від 16.21 грн до 67.40 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRLL024ZTRPBF IRLL024ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies irll024zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356644e0225d5 Description: MOSFET N-CH 55V 5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 25 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+17.53 грн
5000+16.34 грн
7500+16.21 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024ZTRPBF IRLL024ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irll024z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+18.26 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024ZTRPBF IRLL024ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irll024z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+27.25 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024ZTRPBF IRLL024ZTRPBF Виробник : INFINEON IRSDS11312-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLL024ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 5 A, 0.048 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+28.17 грн
500+23.43 грн
1000+19.68 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024ZTRPBF IRLL024ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies irll024zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356644e0225d5 Description: MOSFET N-CH 55V 5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 25 V
на замовлення 11318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+43.17 грн
10+33.26 грн
100+24.07 грн
500+21.90 грн
1000+19.67 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024ZTRPBF IRLL024ZTRPBF Виробник : INFINEON IRSDS11312-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLL024ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 5 A, 0.048 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+50.72 грн
50+38.91 грн
100+28.17 грн
500+23.43 грн
1000+19.68 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024ZTRPBF IRLL024ZTRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irll024zpbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 4A; Idm: 40A; 1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2156 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+56.17 грн
11+36.59 грн
32+28.50 грн
86+26.91 грн
100+26.53 грн
500+26.46 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024ZTRPBF IRLL024ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRLL024ZTRPBF_DataSheet_v01_01_EN-3363379.pdf MOSFETs MOSFT 55V 5A 60mOhm 7nC Log Lvl
на замовлення 21617 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+56.30 грн
10+38.14 грн
100+24.02 грн
500+20.39 грн
1000+18.65 грн
2500+16.91 грн
5000+16.69 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024ZTRPBF IRLL024ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irll024z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 6876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
204+59.72 грн
295+41.38 грн
346+35.22 грн
500+28.79 грн
1000+25.36 грн
2500+22.88 грн
5000+22.09 грн
Мінімальне замовлення: 204
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024ZTRPBF IRLL024ZTRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irll024zpbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 4A; Idm: 40A; 1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2156 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+67.40 грн
10+45.59 грн
32+34.20 грн
86+32.29 грн
100+31.84 грн
500+31.75 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024ZTRPBF IRLL024ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irll024z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024ZTRPBF Виробник : Infineon/IR irll024zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356644e0225d5 Транз. Пол. ММ N-HEXFET logik SOT223 Udss=55V; Id=5A; Pdmax=3,8W; Rds=60 mOhmsds=0,14 Ohm
на замовлення 2496 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
8+37.67 грн
10+32.29 грн
100+30.68 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024ZTRPBF IRLL024ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irll024z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.