IRLL024ZTRPBF Infineon Technologies
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 15.82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRLL024ZTRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRLL024ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 5 A, 0.048 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.8W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRLL024ZTRPBF за ціною від 16.60 грн до 74.54 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRLL024ZTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 55V 5A SOT223Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 25 V |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRLL024ZTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 22500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRLL024ZTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 22500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRLL024ZTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 6876 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRLL024ZTRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLL024ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 5 A, 0.048 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.8W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1780 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRLL024ZTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 55V 5A 60mOhm 7nC Log Lvl |
на замовлення 10479 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRLL024ZTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 5A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 25 V |
на замовлення 11318 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRLL024ZTRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLL024ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 5 A, 0.048 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.8W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1780 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRLL024ZTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
| IRLL024ZTRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
IRLL024ZTRPBF SMD N channel transistors |
на замовлення 2391 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
|
IRLL024ZTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товару немає в наявності |