IRLL024ZTRPBF Infineon Technologies


irll024zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356644e0225d5
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+18.51 грн
5000+16.43 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRLL024ZTRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRLL024ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 5 A, 0.06 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.8W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IRLL024ZTRPBF за ціною від 18.96 грн до 100.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IRLL024ZTRPBF IRLL024ZTRPBF Infineon Technologies infineonirll024zdatasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+22.31 грн
5000+22.10 грн
7500+21.88 грн
12500+20.88 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024ZTRPBF IRLL024ZTRPBF Infineon Technologies infineonirll024zdatasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+22.37 грн
5000+22.16 грн
7500+21.93 грн
12500+20.94 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024ZTRPBF IRLL024ZTRPBF Infineon Technologies infineonirll024zdatasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+25.39 грн
5000+25.02 грн
7500+24.78 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024ZTRPBF IRLL024ZTRPBF Infineon Technologies infineonirll024zdatasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+25.39 грн
5000+25.02 грн
7500+24.78 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024ZTRPBF IRLL024ZTRPBF INFINEON IRSDS11312-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLL024ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 5 A, 0.06 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+30.59 грн
500+26.04 грн
1000+21.78 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024ZTRPBF IRLL024ZTRPBF INFINEON IRSDS11312-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLL024ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 5 A, 0.06 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+40.21 грн
50+39.88 грн
100+30.59 грн
500+26.04 грн
1000+21.78 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024ZTRPBF IRLL024ZTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irll024zpbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 4A; Idm: 40A; 1W; SOT223
Case: SOT223
Mounting: SMD
Power dissipation: 1W
Gate-source voltage: ±16V
Pulsed drain current: 40A
Drain-source voltage: 55V
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel
Polarisation: unipolar
Gate charge: 11nC
On-state resistance: 60mΩ
Drain current: 4A
на замовлення 1279 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+54.82 грн
10+42.93 грн
11+38.86 грн
50+31.56 грн
100+29.61 грн
500+29.10 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024ZTRPBF IRLL024ZTRPBF Infineon Technologies irll024zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356644e0225d5 Description: MOSFET N-CH 55V 5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 25 V
на замовлення 7147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+74.54 грн
10+44.97 грн
100+29.50 грн
500+21.44 грн
1000+19.42 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024ZTRPBF IRLL024ZTRPBF Infineon Technologies Infineon_IRLL024ZTRPBF_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 55V 5A 60mOhm 7nC Log Lvl
на замовлення 3260 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+100.32 грн
10+61.44 грн
100+35.24 грн
500+27.63 грн
1000+23.61 грн
2500+21.43 грн
5000+18.96 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024ZTRPBF IRLL024ZTRPBF Infineon Technologies infineonirll024zdatasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024ZTRPBF infineonirll024zdatasheeten.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+22.31 грн
5000+22.10 грн
7500+21.88 грн
12500+20.88 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024ZTRPBF infineonirll024zdatasheeten.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+22.37 грн
5000+22.16 грн
7500+21.93 грн
12500+20.94 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024ZTRPBF infineonirll024zdatasheeten.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+25.39 грн
5000+25.02 грн
7500+24.78 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024ZTRPBF infineonirll024zdatasheeten.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+25.39 грн
5000+25.02 грн
7500+24.78 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024ZTRPBF IRSDS11312-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLL024ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 5 A, 0.06 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+30.59 грн
500+26.04 грн
1000+21.78 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024ZTRPBF IRSDS11312-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLL024ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 5 A, 0.06 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
21+40.21 грн
50+39.88 грн
100+30.59 грн
500+26.04 грн
1000+21.78 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024ZTRPBF irll024zpbf.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 4A; Idm: 40A; 1W; SOT223
Case: SOT223
Mounting: SMD
Power dissipation: 1W
Gate-source voltage: ±16V
Pulsed drain current: 40A
Drain-source voltage: 55V
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel
Polarisation: unipolar
Gate charge: 11nC
On-state resistance: 60mΩ
Drain current: 4A
на замовлення 1279 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
9+54.82 грн
10+42.93 грн
11+38.86 грн
50+31.56 грн
100+29.61 грн
500+29.10 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024ZTRPBF irll024zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356644e0225d5
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 25 V
на замовлення 7147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+74.54 грн
10+44.97 грн
100+29.50 грн
500+21.44 грн
1000+19.42 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024ZTRPBF Infineon_IRLL024ZTRPBF_DataSheet_v01_01_EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 55V 5A 60mOhm 7nC Log Lvl
на замовлення 3260 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
4+100.32 грн
10+61.44 грн
100+35.24 грн
500+27.63 грн
1000+23.61 грн
2500+21.43 грн
5000+18.96 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024ZTRPBF infineonirll024zdatasheeten.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.