Технічний опис IRLL2703 IR
Description: MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT223, Packaging: Tube, Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.9A, 10V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-223, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): ±16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRLL2703
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| IRLL2703 | Виробник : IR |
 09+ |
на замовлення 118 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| IRLL2703 | Виробник : IR |
SOT-223 |
на замовлення 62500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
IRLL2703 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT223 Packaging: Tube Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.9A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |