IRLL2703TRPBF

IRLL2703TRPBF Infineon Technologies


irll2703.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 5.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRLL2703TRPBF Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT223, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.9A, 10V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-223, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): ±16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRLL2703TRPBF

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRLL2703TRPBF IRLL2703TRPBF Виробник : INFINEON 140750.pdf Description: INFINEON - IRLL2703TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.5 A, 0.045 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 5.5
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.1
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.4
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL2703TRPBF IRLL2703TRPBF Виробник : INFINEON 140750.pdf Description: INFINEON - IRLL2703TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.5 A, 0.045 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 5.5
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.1
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.4
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL2703TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IRSDS06555-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw IRLL2703TRPBF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL2703TRPBF IRLL2703TRPBF Виробник : Infineon Technologies IRSDS06555-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL2703TRPBF IRLL2703TRPBF Виробник : Infineon / IR Infineon_IRLL2703_DataSheet_v01_01_EN-1732927.pdf MOSFET MOSFT 30V 5.5A 45mOhm 9.3nC Log Lvl
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.