IRLL2705 PBF

IRLL2705 PBF

Код товару: 20389
Виробник: IR
Корпус: SOT-223
Uds,V: 55 V
Idd,A: 3,8 A
Rds(on), Ohm: 0,04 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 870/32
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD

irll2705.pdf
в наявності: 0 шт
очікується: 0 шт

Технічний опис IRLL2705 PBF

  • MOSFET, N, 55V, 3.8A, SOT-223
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:55V
  • Cont Current Id:3.8A
  • On State Resistance:0.04ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:2V
  • Case Style:SOT-223
  • Termination Type:SMD
  • Current Temperature:25`C
  • External Depth:7.3mm
  • External Length / Height:1.7mm
  • External Width:6.7mm
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Junction to Case Thermal Resistance A:60`C/W
  • Max Voltage Vds:55V
  • Max Voltage Vgs th:2.5V
  • No. of Transistors:1
  • Power Dissipation:2.1W
  • Power Dissipation Pd:2.1W
  • Pulse Current Idm:30A
  • SMD Marking:LL2705
  • Tape Width:12mm
  • Transistor Case Style:SOT-223

Ціна IRLL2705 PBF від 0 грн до 0 грн

IRLL2705PBF
IRLL2705PBF
Код товару: 22279
Виробник: IR
Транзистори - Польові N-канальні

irll2705pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664653425db

IRLL2705PBF
IRLL2705PBF
Виробник: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 55V 3.8A SOT223
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-223
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 3.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tube
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
irll2705pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664653425db
товар відсутній, Ви можете зробити запит додавши товар у кошик
IRLL2705PBF
IRLL2705PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 3.8A SOT223
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: SOT-223
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 3.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
irll2705pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664653425db
товар відсутній, Ви можете зробити запит додавши товар у кошик
IRLL2705PBF
IRLL2705PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 3.8A SOT223
Supplier Device Package: SOT-223
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 3.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
irll2705pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664653425db
товар відсутній, Ви можете зробити запит додавши товар у кошик
IRLL2705PBF
IRLL2705PBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 40mOhms 32nC
Infineon_IRLL2705_DataSheet_v01_01_EN-1732800.pdf
товар відсутній, Ви можете зробити запит додавши товар у кошик
IRLL2705PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 Tube
irll2705pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664653425db
товар відсутній, Ви можете зробити запит додавши товар у кошик