Інші пропозиції IRLL2705TRPBF за ціною від 14.35 грн до 93.47 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRLL2705TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 55V 3.8A SOT223Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 3.8A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V |
на замовлення 55000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRLL2705TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRLL2705TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLL2705TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 3.8 A, 0.04 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 12613 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRLL2705TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 2468 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRLL2705TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 3.8A; 2.1W; SOT223 Mounting: SMD Case: SOT223 Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Features of semiconductor devices: logic level Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel Polarisation: unipolar Power dissipation: 2.1W Drain current: 3.8A Drain-source voltage: 55V |
на замовлення 5378 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRLL2705TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 3.8A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 3.8A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V |
на замовлення 58683 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRLL2705TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 55V 3.8A 40mOhm 32nC Log Lvl |
на замовлення 22894 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRLL2705TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 2468 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRLL2705TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLL2705TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 3.8 A, 0.04 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 12613 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRLL2705TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
|
|
IRLL2705TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
| IRLL2705TRPBF | Виробник : Infineon |
Trans MOSFET N-CH 55V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Pb free Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||||
| IRLL2705TRPBF | Виробник : International Rectifier |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||||
| IRLL2705TRPBF | Виробник : International Rectifier |
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 3,8А; 2,1Вт; SOT223 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||||
| IRLL2705TRPBF | Виробник : International Rectifier/Infineon |
N-канальний ПТ, Id = 3.8 А, Ptot, Вт = 1, Vdss, В = 55, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Vds, В = 870 @ 25, Qg,нКл = 48 @ 10 В, Rds = 40 мОм @ 3.8 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Vgs(th) = 2 @ 250 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт кількість в упаковці: 80 шт |
товару немає в наявності |