Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRLL2705TRPBF

IRLL2705TRPBF

irll2705pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664653425db
Код товару: 175747
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRLL2705TRPBF за ціною від 17.91 грн до 101.65 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRLL2705TRPBF IRLL2705TRPBF Infineon Technologies irll2705pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664653425db Description: MOSFET N-CH 55V 3.8A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
на замовлення 47500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+25.92 грн
5000+23.04 грн
7500+22.07 грн
12500+19.68 грн
17500+19.07 грн
25000+18.48 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL2705TRPBF IRLL2705TRPBF Infineon Technologies podirectfetsq.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 162500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+26.42 грн
5000+25.68 грн
7500+25.41 грн
12500+21.96 грн
17500+20.11 грн
25000+18.70 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL2705TRPBF IRLL2705TRPBF Infineon Technologies podirectfetsq.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 162500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+26.45 грн
5000+25.69 грн
7500+25.44 грн
12500+21.98 грн
17500+20.13 грн
25000+18.72 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL2705TRPBF IRLL2705TRPBF Infineon Technologies podirectfetsq.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 573 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
242+58.46 грн
302+46.87 грн
305+46.40 грн
561+24.34 грн
Мінімальне замовлення: 242 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL2705TRPBF IRLL2705TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irll2705pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 3.8A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 3.8A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 3268 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+70.54 грн
10+41.95 грн
50+31.01 грн
100+27.53 грн
200+24.54 грн
500+21.47 грн
1000+19.82 грн
2500+17.91 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL2705TRPBF IRLL2705TRPBF Infineon Technologies podirectfetsq.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 11961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+88.50 грн
14+55.25 грн
100+44.75 грн
500+34.43 грн
1000+29.15 грн
2500+22.30 грн
5000+21.70 грн
7500+21.49 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL2705TRPBF IRLL2705TRPBF Infineon Technologies podirectfetsq.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 11961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
160+88.50 грн
256+55.25 грн
317+44.75 грн
500+34.43 грн
1000+29.15 грн
2500+22.30 грн
5000+21.70 грн
7500+21.49 грн
Мінімальне замовлення: 160 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL2705TRPBF IRLL2705TRPBF Infineon Technologies irll2705pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664653425db Description: MOSFET N-CH 55V 3.8A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
на замовлення 48047 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+99.96 грн
10+60.44 грн
100+39.81 грн
500+29.02 грн
1000+26.33 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL2705TRPBF IRLL2705TRPBF Infineon Technologies podirectfetsq.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 573 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+101.65 грн
11+68.83 грн
25+58.46 грн
100+45.20 грн
250+41.43 грн
500+21.64 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL2705TRPBF IRLL2705TRPBF INFINEON INFN-S-A0012905235-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLL2705TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 3.8 A, 0.04 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
на замовлення 5881 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL2705TRPBF IRLL2705TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRLL2705_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 55V 3.8A 40mOhm 32nC Log Lvl
на замовлення 533 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL2705TRPBF IRLL2705TRPBF INFINEON INFN-S-A0012905235-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLL2705TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 3.8 A, 0.04 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
на замовлення 5881 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL2705TRPBF irll2705pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664653425db
IRLL2705TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 3.8A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
на замовлення 47500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+25.92 грн
5000+23.04 грн
7500+22.07 грн
12500+19.68 грн
17500+19.07 грн
25000+18.48 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL2705TRPBF podirectfetsq.pdf
IRLL2705TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 162500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+26.42 грн
5000+25.68 грн
7500+25.41 грн
12500+21.96 грн
17500+20.11 грн
25000+18.70 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL2705TRPBF podirectfetsq.pdf
IRLL2705TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 162500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+26.45 грн
5000+25.69 грн
7500+25.44 грн
12500+21.98 грн
17500+20.13 грн
25000+18.72 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL2705TRPBF podirectfetsq.pdf
IRLL2705TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 573 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
242+58.46 грн
302+46.87 грн
305+46.40 грн
561+24.34 грн
Мінімальне замовлення: 242 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL2705TRPBF irll2705pbf.pdf
IRLL2705TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 3.8A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 3.8A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 3268 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+70.54 грн
10+41.95 грн
50+31.01 грн
100+27.53 грн
200+24.54 грн
500+21.47 грн
1000+19.82 грн
2500+17.91 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL2705TRPBF podirectfetsq.pdf
IRLL2705TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 11961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+88.50 грн
14+55.25 грн
100+44.75 грн
500+34.43 грн
1000+29.15 грн
2500+22.30 грн
5000+21.70 грн
7500+21.49 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL2705TRPBF podirectfetsq.pdf
IRLL2705TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 11961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
160+88.50 грн
256+55.25 грн
317+44.75 грн
500+34.43 грн
1000+29.15 грн
2500+22.30 грн
5000+21.70 грн
7500+21.49 грн
Мінімальне замовлення: 160 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL2705TRPBF irll2705pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664653425db
IRLL2705TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 3.8A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
на замовлення 48047 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+99.96 грн
10+60.44 грн
100+39.81 грн
500+29.02 грн
1000+26.33 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL2705TRPBF podirectfetsq.pdf
IRLL2705TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 573 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+101.65 грн
11+68.83 грн
25+58.46 грн
100+45.20 грн
250+41.43 грн
500+21.64 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL2705TRPBF INFN-S-A0012905235-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLL2705TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLL2705TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 3.8 A, 0.04 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
на замовлення 5881 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL2705TRPBF Infineon_IRLL2705_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRLL2705TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 55V 3.8A 40mOhm 32nC Log Lvl
на замовлення 533 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL2705TRPBF INFN-S-A0012905235-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLL2705TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLL2705TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 3.8 A, 0.04 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
на замовлення 5881 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.