Інші пропозиції IRLL2705TRPBF за ціною від 16.19 грн до 96.83 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRLL2705TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 3.8A SOT223Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 3.8A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V |
на замовлення 80000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRLL2705TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 345000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRLL2705TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRLL2705TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRLL2705TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRLL2705TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 345000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRLL2705TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRLL2705TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 489 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRLL2705TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 3.8A; 2.1W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 3.8A Power dissipation: 2.1W Case: SOT223 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level |
на замовлення 2254 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRLL2705TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 3.8A SOT223Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 3.8A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V |
на замовлення 82848 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRLL2705TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 11961 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRLL2705TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 11961 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRLL2705TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 489 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRLL2705TRPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 55V 3.8A 40mOhm 32nC Log Lvl |
на замовлення 11646 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
IRLL2705TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLL2705TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 3.8 A, 0.04 ohm, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 1W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm |
на замовлення 4466 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
IRLL2705TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLL2705TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 3.8 A, 0.04 ohm, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 1W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm |
на замовлення 4466 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| IRLL2705TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 3.8A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 55V 3.8A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 22.70 грн |
| 5000+ | 20.18 грн |
| 7500+ | 19.33 грн |
| 12500+ | 17.24 грн |
| 17500+ | 16.70 грн |
| 25000+ | 16.19 грн |
| IRLL2705TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 345000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 29.00 грн |
| 5000+ | 25.66 грн |
| 7500+ | 25.56 грн |
| 12500+ | 24.40 грн |
| 17500+ | 20.02 грн |
| 25000+ | 18.63 грн |
| IRLL2705TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 31.45 грн |
| IRLL2705TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 31.45 грн |
| IRLL2705TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 39.42 грн |
| IRLL2705TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 345000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 39.42 грн |
| IRLL2705TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 40.78 грн |
| 1000+ | 37.01 грн |
| 2500+ | 32.92 грн |
| IRLL2705TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 214+ | 66.24 грн |
| 310+ | 45.73 грн |
| 489+ | 28.93 грн |
| IRLL2705TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 3.8A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 3.8A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 3.8A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 3.8A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 2254 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 70.54 грн |
| 10+ | 41.95 грн |
| 50+ | 31.01 грн |
| 100+ | 27.53 грн |
| 200+ | 24.54 грн |
| 500+ | 21.47 грн |
| 1000+ | 19.82 грн |
| IRLL2705TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 3.8A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 55V 3.8A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
на замовлення 82848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 87.56 грн |
| 10+ | 52.98 грн |
| 100+ | 34.86 грн |
| 500+ | 25.41 грн |
| 1000+ | 23.06 грн |
| IRLL2705TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 11961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 94.37 грн |
| 12+ | 62.96 грн |
| 100+ | 44.79 грн |
| 500+ | 34.30 грн |
| 1000+ | 28.99 грн |
| 2500+ | 24.91 грн |
| 5000+ | 22.16 грн |
| 7500+ | 21.60 грн |
| IRLL2705TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 11961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 150+ | 94.37 грн |
| 225+ | 62.96 грн |
| 316+ | 44.79 грн |
| 500+ | 34.30 грн |
| 1000+ | 28.99 грн |
| 2500+ | 24.91 грн |
| 5000+ | 22.16 грн |
| 7500+ | 21.60 грн |
| IRLL2705TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 96.83 грн |
| 11+ | 68.84 грн |
| 25+ | 66.24 грн |
| 100+ | 44.10 грн |
| 250+ | 25.83 грн |
| IRLL2705TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 55V 3.8A 40mOhm 32nC Log Lvl
MOSFETs MOSFT 55V 3.8A 40mOhm 32nC Log Lvl
на замовлення 11646 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IRLL2705TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLL2705TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 3.8 A, 0.04 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
Description: INFINEON - IRLL2705TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 3.8 A, 0.04 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
на замовлення 4466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRLL2705TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLL2705TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 3.8 A, 0.04 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
Description: INFINEON - IRLL2705TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 3.8 A, 0.04 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
на замовлення 4466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)







