Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRLL2705TRPBF
IRLL2705TRPBF

IRLL2705TRPBF Infineon Technologies

infineon-irll2705-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+16.51 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRLL2705TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRLL2705TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 3.8 A, 0.04 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRLL2705TRPBF за ціною від 14.72 грн до 88.67 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRLL2705TRPBF IRLL2705TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irll2705-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+16.51 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL2705TRPBF IRLL2705TRPBF Виробник : Infineon Technologies irll2705pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664653425db Description: MOSFET N-CH 55V 3.8A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+19.27 грн
5000+16.84 грн
7500+16.36 грн
12500+14.72 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL2705TRPBF IRLL2705TRPBF Виробник : Infineon Technologies podirectfetsq.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 210000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+19.79 грн
5000+18.63 грн
10000+17.15 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL2705TRPBF IRLL2705TRPBF Виробник : Infineon Technologies podirectfetsq.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 210000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+20.99 грн
5000+19.76 грн
10000+18.19 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL2705TRPBF IRLL2705TRPBF Виробник : Infineon Technologies podirectfetsq.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+21.49 грн
5000+19.81 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL2705TRPBF IRLL2705TRPBF Виробник : Infineon Technologies podirectfetsq.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+23.03 грн
5000+21.22 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL2705TRPBF IRLL2705TRPBF Виробник : Infineon Technologies podirectfetsq.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
499+26.30 грн
Мінімальне замовлення: 499
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL2705TRPBF IRLL2705TRPBF Виробник : INFINEON irll2705pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664653425db Description: INFINEON - IRLL2705TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 3.8 A, 0.04 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 18304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+37.24 грн
500+27.37 грн
1000+22.80 грн
5000+17.52 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL2705TRPBF IRLL2705TRPBF Виробник : Infineon Technologies podirectfetsq.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
237+51.50 грн
339+36.06 грн
342+35.69 грн
500+27.63 грн
1000+19.38 грн
Мінімальне замовлення: 237
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL2705TRPBF IRLL2705TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227B31DD76B8F1A303005056AB0C4F&compId=irll2705pbf.pdf?ci_sign=b59a3ae6b96ab89ac72517290e013616f2a9d6b3 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 3.8A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 3.8A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 1746 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+67.56 грн
10+42.66 грн
38+24.78 грн
103+23.45 грн
500+22.66 грн
1000+22.58 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL2705TRPBF IRLL2705TRPBF Виробник : Infineon Technologies irll2705pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664653425db Description: MOSFET N-CH 55V 3.8A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
на замовлення 28609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+75.73 грн
10+45.87 грн
100+30.68 грн
500+22.31 грн
1000+20.22 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL2705TRPBF
Код товару: 175747
Додати до обраних Обраний товар

irll2705pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664653425db Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL2705TRPBF IRLL2705TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon-IRLL2705-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs MOSFT 55V 3.8A 40mOhm 32nC Log Lvl
на замовлення 2334 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+80.80 грн
10+50.12 грн
100+29.13 грн
500+23.04 грн
1000+20.85 грн
2500+18.22 грн
5000+15.96 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL2705TRPBF IRLL2705TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227B31DD76B8F1A303005056AB0C4F&compId=irll2705pbf.pdf?ci_sign=b59a3ae6b96ab89ac72517290e013616f2a9d6b3 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 3.8A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 3.8A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1746 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+81.07 грн
10+53.16 грн
38+29.74 грн
103+28.14 грн
500+27.19 грн
1000+27.10 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL2705TRPBF IRLL2705TRPBF Виробник : Infineon Technologies podirectfetsq.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 11981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
149+82.15 грн
230+53.12 грн
500+51.33 грн
1000+34.67 грн
2500+31.52 грн
Мінімальне замовлення: 149
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL2705TRPBF IRLL2705TRPBF Виробник : Infineon Technologies podirectfetsq.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+88.52 грн
13+57.07 грн
25+55.18 грн
100+37.25 грн
250+34.14 грн
500+26.32 грн
1000+19.93 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL2705TRPBF IRLL2705TRPBF Виробник : INFINEON irll2705pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664653425db Description: INFINEON - IRLL2705TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 3.8 A, 0.04 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 18304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+88.67 грн
16+55.65 грн
100+37.24 грн
500+27.37 грн
1000+22.80 грн
5000+17.52 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.