IRLL2705TRPBF

IRLL2705TRPBF Infineon Technologies


infineon-irll2705-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+17.39 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRLL2705TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRLL2705TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 3.8 A, 0.04 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IRLL2705TRPBF за ціною від 15.35 грн до 95.68 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRLL2705TRPBF IRLL2705TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irll2705-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+17.39 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL2705TRPBF IRLL2705TRPBF Виробник : Infineon Technologies irll2705pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664653425db Description: MOSFET N-CH 55V 3.8A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
на замовлення 62500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+20.10 грн
5000+17.84 грн
7500+17.07 грн
12500+15.35 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL2705TRPBF IRLL2705TRPBF Виробник : Infineon Technologies podirectfetsq.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
598+21.27 грн
1000+20.15 грн
Мінімальне замовлення: 598
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL2705TRPBF IRLL2705TRPBF Виробник : Infineon Technologies podirectfetsq.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+22.79 грн
1000+21.59 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL2705TRPBF IRLL2705TRPBF Виробник : Infineon Technologies podirectfetsq.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+23.30 грн
5000+20.35 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL2705TRPBF IRLL2705TRPBF Виробник : Infineon Technologies podirectfetsq.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 125000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+23.72 грн
5000+20.69 грн
10000+19.61 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL2705TRPBF IRLL2705TRPBF Виробник : Infineon Technologies podirectfetsq.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+24.97 грн
5000+21.80 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL2705TRPBF IRLL2705TRPBF Виробник : Infineon Technologies podirectfetsq.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 125000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+25.41 грн
5000+22.17 грн
10000+21.01 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL2705TRPBF IRLL2705TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012905235-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLL2705TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 3.8 A, 0.04 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 15003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+39.22 грн
500+28.82 грн
1000+24.01 грн
5000+18.45 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL2705TRPBF IRLL2705TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irll2705pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 3.8A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 3.8A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 5617 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+60.48 грн
12+36.01 грн
25+27.25 грн
50+22.38 грн
100+19.08 грн
200+17.01 грн
500+16.10 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL2705TRPBF
Код товару: 175747
Додати до обраних Обраний товар

irll2705pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664653425db Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL2705TRPBF IRLL2705TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irll2705pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 3.8A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 3.8A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5617 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
5+72.58 грн
10+44.87 грн
25+32.70 грн
50+26.86 грн
100+22.89 грн
200+20.42 грн
500+19.33 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL2705TRPBF IRLL2705TRPBF Виробник : Infineon Technologies irll2705pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664653425db Description: MOSFET N-CH 55V 3.8A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
на замовлення 66173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+81.48 грн
10+48.89 грн
100+32.03 грн
500+23.28 грн
1000+21.09 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL2705TRPBF IRLL2705TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRLL2705_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 55V 3.8A 40mOhm 32nC Log Lvl
на замовлення 13927 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+85.93 грн
10+52.79 грн
100+30.68 грн
500+24.26 грн
1000+21.96 грн
2500+18.87 грн
5000+16.65 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL2705TRPBF IRLL2705TRPBF Виробник : Infineon Technologies podirectfetsq.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+86.80 грн
13+59.45 грн
25+30.92 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL2705TRPBF IRLL2705TRPBF Виробник : Infineon Technologies podirectfetsq.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 11981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
133+95.68 грн
212+59.95 грн
500+50.97 грн
1000+38.78 грн
2500+35.23 грн
5000+26.78 грн
Мінімальне замовлення: 133
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL2705TRPBF IRLL2705TRPBF Виробник : Infineon Technologies podirectfetsq.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL2705TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012905235-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLL2705TRPBF - MOSFET, N-KANAL, 55V, 3.8A, SOT-223-3
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 15003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+93.39 грн
16+58.61 грн
100+39.22 грн
500+28.82 грн
1000+24.01 грн
5000+18.45 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.