Технічний опис IRLM220ATF ON Semiconductor
Description: ONSEMI - IRLM220ATF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 1.13 A, 0.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85413000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 1.13, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 2, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4, Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.8, Rds(on)-Prüfspannung: 5, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).
Інші пропозиції IRLM220ATF за ціною від 43.67 грн до 43.67 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRLM220ATF | ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 200V 1.13A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 2874 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
 |
IRLM220ATF | onsemi / Fairchild |
MOSFET 200V N-Channel A-FET |
на замовлення 22328 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||
 |
IRLM220ATF | ONSEMI |
Description: ONSEMI - IRLM220ATF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 1.13 A, 0.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85413000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 1.13 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 2 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1 euEccn: NLR Verlustleistung: 2 Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4 Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.8 Rds(on)-Prüfspannung: 5 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | ||
|
|
IRLM220ATF | ONSEMI |
Description: ONSEMI - IRLM220ATF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 1.13 A, 0.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85413000 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX Verlustleistung: 2 Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8 rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| IRLM220ATF |
|
на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IRLM220ATF |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 200V 1.13A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET N-CH 200V 1.13A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 810+ | 43.67 грн |
| IRLM220ATF |
|
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 200V N-Channel A-FET
MOSFET 200V N-Channel A-FET
на замовлення 22328 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IRLM220ATF |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - IRLM220ATF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 1.13 A, 0.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.13
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.8
Rds(on)-Prüfspannung: 5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Description: ONSEMI - IRLM220ATF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 1.13 A, 0.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.13
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.8
Rds(on)-Prüfspannung: 5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRLM220ATF |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - IRLM220ATF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 1.13 A, 0.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
Verlustleistung: 2
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Description: ONSEMI - IRLM220ATF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 1.13 A, 0.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
Verlustleistung: 2
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)