IRLML0030TR JGSEMI
Виробник: JGSEMI
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 40mOhm; 6A; 1,4W; -55°C ~ 125°C Equivalent: IRLML0030TR; SP001568604; IRLML0030TR JGSEMI TIRLML0030tr JGS
кількість в упаковці: 250 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 250+ | 2.78 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRLML0030TR JGSEMI
Description: MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 25µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V.
Інші пропозиції IRLML0030TR за ціною від 2.81 грн до 6.81 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRLML0030TR | Виробник : HXY MOSFET |
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 55mOhm; 5,8A; 1,4W; -55°C ~ 150°C Equivalent: IRLML0030TR; SP001568604; IRLML0030TR HXY MOSFET TIRLML0030tr HXYкількість в упаковці: 250 шт |
на замовлення 2450 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||
|
|
IRLML0030TR | Виробник : UMW |
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 40mOhm; 5,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C Equivalent: IRLML0030TR; SP001568604; IRLML0030TR UMW TIRLML0030tr UMWкількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||
|
|
IRLML0030TR | Виробник : Infineon |
Transistor N-MOSFET; 30V; 20V; 40mOhm; 5,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML0030TR; IRLML0030; IRLML0030-GURT; IRLML0030; IRLML0030TR TIRLML0030trкількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||
|
|
IRLML0030TR | Виробник : Infineon |
Transistor N-MOSFET; 30V; 20V; 40mOhm; 5,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML0030TR; IRLML0030; IRLML0030-GURT; IRLML0030; IRLML0030TR TIRLML0030trкількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||
|
|
IRLML0030TR | Виробник : Infineon |
Transistor N-MOSFET; 30V; 20V; 40mOhm; 5,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML0030TR; IRLML0030; IRLML0030-GURT; IRLML0030; IRLML0030TR TIRLML0030trкількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||
|
|
IRLML0030TR | Виробник : Infineon |
Transistor N-MOSFET; 30V; 20V; 40mOhm; 5,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML0030TR; IRLML0030; IRLML0030-GURT; IRLML0030; IRLML0030TR TIRLML0030trкількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||
|
|
IRLML0030TR | Виробник : Infineon |
Transistor N-MOSFET; 30V; 20V; 40mOhm; 5,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML0030TR; IRLML0030; IRLML0030-GURT; IRLML0030; IRLML0030TR TIRLML0030trкількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 2066 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||
|
IRLML0030TR | Виробник : UMW |
Description: MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT23Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5.2A, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 25µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
