Продукція > HXY MOSFET > IRLML0100TR
IRLML0100TR

IRLML0100TR HXY MOSFET

TIRLML0100_UMW_UMW_0001.pdf
Виробник: HXY MOSFET
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 290mOhm; 3A; 1W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML0100TR; SP001568612; IRLML0100TR HXY MOSFET TIRLML0100 HXY
кількість в упаковці: 250 шт
на замовлення 160 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна
250+2.27 грн
Мінімальне замовлення: 160 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRLML0100TR HXY MOSFET

Description: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Vgs (Max): ±16V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 25µA, Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 1.6A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3.

Інші пропозиції IRLML0100TR за ціною від 2.28 грн до 7.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IRLML0100TR IRLML0100TR HXY MOSFET TIRLML0100_UMW_UMW_0001.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 290mOhm; 3A; 1W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML0100TR; SP001568612; IRLML0100TR HXY MOSFET TIRLML0100 HXY
кількість в упаковці: 250 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+2.28 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML0100TR IRLML0100TR FUXINSEMI TIRLML0100_UMW_UMW_0001.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 290mOhm; 3A; 1W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML0100TR; SP001568612; IRLML0100TR SOT23(T/R) FUXINSEMI TIRLML0100 FUX
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
300+2.96 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML0100TR IRLML0100TR UMW TIRLML0100_UMW_UMW_0001.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 16V; 235mOhm; 1,6A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML0100TR; SP001568612; IRLML0100TR UMW TIRLML0100 UMW
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 800 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+4.65 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML0100TR IRLML0100TR UMW bdd29370961a95da859e169674820867.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 25µA
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 1.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML0100TR IRLML0100TR Infineon TIRLML0100_UMW_UMW_0001.pdf N-MOSFET 1.6A 100V 1.3W 0.22Ω IRLML0100 TIRLML0100
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1240 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+7.23 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML0100TR TIRLML0100_UMW_UMW_0001.pdf
IRLML0100TR
Виробник: HXY MOSFET
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 290mOhm; 3A; 1W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML0100TR; SP001568612; IRLML0100TR HXY MOSFET TIRLML0100 HXY
кількість в упаковці: 250 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна
500+2.28 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML0100TR TIRLML0100_UMW_UMW_0001.pdf
IRLML0100TR
Виробник: FUXINSEMI
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 290mOhm; 3A; 1W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML0100TR; SP001568612; IRLML0100TR SOT23(T/R) FUXINSEMI TIRLML0100 FUX
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна
300+2.96 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML0100TR TIRLML0100_UMW_UMW_0001.pdf
IRLML0100TR
Виробник: UMW
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 16V; 235mOhm; 1,6A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML0100TR; SP001568612; IRLML0100TR UMW TIRLML0100 UMW
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 800 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна
200+4.65 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML0100TR bdd29370961a95da859e169674820867.pdf
IRLML0100TR
Виробник: UMW
Description: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 25µA
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 1.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+6.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML0100TR TIRLML0100_UMW_UMW_0001.pdf
IRLML0100TR
Виробник: Infineon
N-MOSFET 1.6A 100V 1.3W 0.22Ω IRLML0100 TIRLML0100
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1240 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+7.23 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.