Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRLML0100TRPBF Infineon
IRLML0100TRPBF

IRLML0100TRPBF Infineon

irlml0100pbf-1.pdf
Код товару: 221450
Додати до обраних Обраний товар

Виробник: Infineon
Корпус: SOT-23
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 1,6 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,22 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 290/2,5
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 980 шт
  • 880 шт - склад
  • 100 шт - РАДІОМАГ-Київ
КількістьЦіна без ПДВ
3+7.00 грн
10+6.30 грн
100+5.60 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Можливі заміни IRLML0100TRPBF Infineon

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRLML0100TRPBF IRLML0100TRPBF
Код товару: 38413
2 Додати до обраних Обраний товар
IR infineon-irlml0100-datasheet-en.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-23
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 1,6 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,22 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 290/2,5
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 6 шт
  • 6 шт - РАДІОМАГ-Львів
на замовлення: 180 шт
  • 180 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
3+7.50 грн
10+6.80 грн
100+6.20 грн
1000+5.50 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML0100TRPBF
Код товару: 38413
2 Додати до обраних Обраний товар
infineon-irlml0100-datasheet-en.pdf
IRLML0100TRPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-23
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 1,6 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,22 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 290/2,5
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 6 шт
  • 6 шт - РАДІОМАГ-Львів
на замовлення: 180 шт
  • 180 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+7.50 грн
10+6.80 грн
100+6.20 грн
1000+5.50 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.

Інші пропозиції IRLML0100TRPBF за ціною від 6.14 грн до 35.73 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRLML0100TRPBF IRLML0100TRPBF Infineon Technologies infineon-irlml0100-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 25µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 25 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.42 грн
9000+6.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML0100TRPBF IRLML0100TRPBF Infineon Technologies infineon-irlml0100-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 25µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 25 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.94 грн
15+20.13 грн
50+14.54 грн
100+11.94 грн
500+8.92 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML0100TRPBF IRLML0100TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlml0100pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.6A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 148 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
13+35.73 грн
100+14.77 грн
126+7.51 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML0100TRPBF IRLML0100TRPBF INFINEON INFN-S-A0012905596-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLML0100TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.6 A, 0.22 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1.3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
на замовлення 10182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML0100TRPBF infineon-irlml0100-datasheet-en.pdf IRLML0100TRPBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 923 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML0100TRPBF infineon-irlml0100-datasheet-en.pdf
IRLML0100TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 25µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 25 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+7.42 грн
9000+6.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML0100TRPBF infineon-irlml0100-datasheet-en.pdf
IRLML0100TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 25µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 25 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+33.94 грн
15+20.13 грн
50+14.54 грн
100+11.94 грн
500+8.92 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML0100TRPBF irlml0100pbf.pdf
IRLML0100TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.6A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 148 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+35.73 грн
100+14.77 грн
126+7.51 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML0100TRPBF INFN-S-A0012905596-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLML0100TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLML0100TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.6 A, 0.22 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1.3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
на замовлення 10182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML0100TRPBF infineon-irlml0100-datasheet-en.pdf
IRLML0100TRPBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 923 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.