IRLML2060TRPBF
Код товару: 38415
Виробник: IRКорпус: SOT-23
Uds,V: 60 V
Idd,A: 1,2 A
Rds(on), Ohm: 0,48 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 64/.67
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності 559 шт:
164 шт - склад
83 шт - РАДІОМАГ-Київ
100 шт - РАДІОМАГ-Львів
200 шт - РАДІОМАГ-Харків
12 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 4.00 грн |
| 10+ | 3.60 грн |
| 100+ | 3.20 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRLML2060TRPBF за ціною від 4.66 грн до 39.95 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRLML2060TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 72000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLML2060TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 72000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLML2060TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 183870 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLML2060TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 47333 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLML2060TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 5975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLML2060TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.2A; 1.25W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 1.2A Power dissipation: 1.25W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level |
на замовлення 396 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLML2060TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.2A; 1.25W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 1.2A Power dissipation: 1.25W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 396 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLML2060TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLML2060TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.2 A, 0.48 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.48ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLML2060TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 60V 1.2A 480mOhm 0.7nC Qg |
на замовлення 24129 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLML2060TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 935 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLML2060TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2608 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLML2060TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLML2060TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.2 A, 0.48 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.48ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
|
IRLML2060TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 935 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
| IRLML2060TRPBF | Виробник : International Rectifier Corporation |
|
на замовлення 10 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||
|
IRLML2060TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
IRLML2060TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 1.2A, 10V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 25µA Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.67 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 64 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
IRLML2060TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 1.2A, 10V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 25µA Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.67 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 64 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
З цим товаром купують
| 10 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-0710KL /Yageo) Код товару: 82544
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Yageo
SMD резистори > 0805
Номінал: 10 kOhm
Точність: ±1% F
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
SMD резистори > 0805
Номінал: 10 kOhm
Точність: ±1% F
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
у наявності: 200941 шт
197690 шт - склад
2251 шт - РАДІОМАГ-Київ
1000 шт - РАДІОМАГ-Харків
2251 шт - РАДІОМАГ-Київ
1000 шт - РАДІОМАГ-Харків
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 0.30 грн |
| 1000+ | 0.22 грн |
| 10000+ | 0.16 грн |
| 33 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-33KR-Hitano) (резистор SMD) Код товару: 17876
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0805
Номінал: 33 kOhm
Точність: ±1% F
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
SMD резистори > 0805
Номінал: 33 kOhm
Точність: ±1% F
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
у наявності: 11480 шт
11480 шт - склад
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 0.30 грн |
| 1000+ | 0.22 грн |
| 10000+ | 0.16 грн |
| IRLML6402TRPBF Код товару: 27968
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 20 V
Id,A: 3,7 A
Rds(on),Om: 0,065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 633/8
Примітка : Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 20 V
Id,A: 3,7 A
Rds(on),Om: 0,065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 633/8
Примітка : Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 2694 шт
750 шт - РАДІОМАГ-Київ
430 шт - РАДІОМАГ-Львів
994 шт - РАДІОМАГ-Харків
520 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
430 шт - РАДІОМАГ-Львів
994 шт - РАДІОМАГ-Харків
520 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 9.00 грн |
| 10+ | 8.00 грн |
| 100+ | 7.20 грн |
| 1000+ | 6.50 грн |
| 1,0 kOhm 5% 1W 2512 (RC2512JK-1KR-Hitano) (резистор SMD) Код товару: 35905
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник: Hitano
SMD резистори > 2512
Номінал: 1 kOhm
Точність: ±5%
Pном,W: 1 W
Uном,V: 200 V (500 V max over load)
Типорозмір: 2512
SMD резистори > 2512
Номінал: 1 kOhm
Точність: ±5%
Pном,W: 1 W
Uном,V: 200 V (500 V max over load)
Типорозмір: 2512
у наявності: 2131 шт
1726 шт - склад
130 шт - РАДІОМАГ-Львів
213 шт - РАДІОМАГ-Харків
62 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
130 шт - РАДІОМАГ-Львів
213 шт - РАДІОМАГ-Харків
62 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 1.50 грн |
| 100+ | 1.30 грн |
| 1000+ | 1.00 грн |
| IRLML0100TRPBF Код товару: 38413
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 100 V
Idd,A: 1,6 A
Rds(on), Ohm: 0,22 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 290/2,5
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 100 V
Idd,A: 1,6 A
Rds(on), Ohm: 0,22 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 290/2,5
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 820 шт
550 шт - склад
29 шт - РАДІОМАГ-Київ
64 шт - РАДІОМАГ-Львів
177 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
29 шт - РАДІОМАГ-Київ
64 шт - РАДІОМАГ-Львів
177 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 7.50 грн |
| 10+ | 6.80 грн |
| 100+ | 6.20 грн |
| 1000+ | 5.50 грн |






