IRLML2502TR UMW
Виробник: UMWTransistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 80mOhm; 4,2A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML2502TR; SP001558336; IRLML2502 UMW TIRLML2502 UMW
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2590 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 200+ | 3.19 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRLML2502TR UMW
Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT-23, Packaging: Cut Tape (CT), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Obsolete, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 15 V, Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ), Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V.
Інші пропозиції IRLML2502TR за ціною від 3.37 грн до 6.32 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRLML2502TR | Виробник : JGSEMI |
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 55mOhm; 4A; 1,56W; -55°C ~ 125°C; Equivalent: IRLML2502TR; SP001558336; IRLML2502TR JGSEMI TIRLML2502 JGS кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||
| IRLML2502TR | Виробник : HXY MOSFET |
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 40mOhm; 6A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML2502TR; SP001558336; IRLML2502TR HXY MOSFET TIRLML2502 HXY кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 450 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||
| IRLML2502TR | Виробник : Infineon |
N-MOSFET 4.2A 20V 1.25W 0.045Ω IRLML2502 TIRLML2502 кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 4 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||
| IRLML2502TR | Виробник : Infineon |
N-MOSFET 4.2A 20V 1.25W 0.045Ω IRLML2502 TIRLML2502 кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||
| IRLML2502TR | Виробник : Infineon |
N-MOSFET 4.2A 20V 1.25W 0.045Ω IRLML2502 TIRLML2502 кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||
| IRLML2502TR | Виробник : Infineon |
N-MOSFET 4.2A 20V 1.25W 0.045Ω IRLML2502 TIRLML2502 кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 2996 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||
| IRLML2502TR | Виробник : Infineon |
N-MOSFET 4.2A 20V 1.25W 0.045Ω IRLML2502 TIRLML2502 кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 524 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||
| IRLML2502TR | Виробник : Infineon |
N-MOSFET 4.2A 20V 1.25W 0.045Ω IRLML2502 TIRLML2502 кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 1868 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||
 |
IRLML2502TR | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||
 |
IRLML2502TR | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT-23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Obsolete Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 15 V Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V |
товару немає в наявності |