IRLML2803TRPBF
Код товару: 27051
1
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: IR
Корпус: SOT-23
Uds,V: 30 V
Idd,A: 1,2 A
Rds(on), Ohm: 0,25 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 85/3,3
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності 1039 шт:
834 шт - склад
20 шт - РАДІОМАГ-Київ
40 шт - РАДІОМАГ-Львів
90 шт - РАДІОМАГ-Харків
55 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 5.00 грн |
| 10+ | 4.50 грн |
| 100+ | 4.10 грн |
| 1000+ | 3.70 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRLML2803TRPBF за ціною від 4.66 грн до 44.47 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRLML2803TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT23Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 910mA, 10V Power Dissipation (Max): 540mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 85 pF @ 25 V |
на замовлення 357000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRLML2803TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1155000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRLML2803TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRLML2803TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLML2803TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 850 mA, 0.25 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 850mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 211738 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRLML2803TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 23154 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRLML2803TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.2A; 0.4W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 1.2A Power dissipation: 0.4W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level On-state resistance: 0.3Ω |
на замовлення 16089 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRLML2803TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT23Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 910mA, 10V Power Dissipation (Max): 540mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 85 pF @ 25 V |
на замовлення 367293 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRLML2803TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLML2803TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 850 mA, 0.25 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 850mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 211738 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRLML2803TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 4163 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRLML2803TRPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 30V 1.2A 250mOhm 3.3nC LogLvl |
на замовлення 814545 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| IRLML2803TRPBF | International Rectifier/Infineon |
N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 1,2 А, Ptot, Вт = 0,54, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 85 @ 25, Qg, нКл = 5 @ 10 В, Rds = 250 мОм @ 910 мА, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шткількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 31 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
| IRLML2803TRPBF |
IRLML2803TRPBF Транзисторы Прочие |
на замовлення 10 шт: термін постачання 4 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| IRLML2803TRPBF |
IRLML2803TRPBF Транзисторы Прочие |
на замовлення 10 шт: термін постачання 4 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IRLML2803TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 910mA, 10V
Power Dissipation (Max): 540mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 85 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 910mA, 10V
Power Dissipation (Max): 540mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 85 pF @ 25 V
на замовлення 357000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 7.21 грн |
| 6000+ | 6.28 грн |
| 9000+ | 5.94 грн |
| 15000+ | 5.22 грн |
| 21000+ | 5.01 грн |
| 30000+ | 4.80 грн |
| IRLML2803TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH Si 30V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1155000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 7.32 грн |
| 6000+ | 7.05 грн |
| 9000+ | 6.00 грн |
| IRLML2803TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH Si 30V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 772+ | 18.29 грн |
| 801+ | 17.62 грн |
| 1000+ | 17.05 грн |
| 2500+ | 15.96 грн |
| 5000+ | 14.38 грн |
| IRLML2803TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLML2803TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 850 mA, 0.25 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 850mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IRLML2803TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 850 mA, 0.25 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 850mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 211738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 18.71 грн |
| 250+ | 13.95 грн |
| 1000+ | 8.69 грн |
| 3000+ | 6.20 грн |
| IRLML2803TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH Si 30V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 23154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 636+ | 22.22 грн |
| 1147+ | 12.31 грн |
| 1319+ | 10.71 грн |
| 1468+ | 9.27 грн |
| 3000+ | 6.13 грн |
| 6000+ | 5.76 грн |
| 9000+ | 5.41 грн |
| IRLML2803TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.2A; 0.4W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
On-state resistance: 0.3Ω
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.2A; 0.4W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
On-state resistance: 0.3Ω
на замовлення 16089 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 18+ | 25.53 грн |
| 25+ | 17.18 грн |
| 50+ | 11.85 грн |
| 100+ | 10.07 грн |
| 250+ | 8.13 грн |
| 500+ | 7.03 грн |
| 1000+ | 6.09 грн |
| 3000+ | 5.08 грн |
| 6000+ | 4.66 грн |
| IRLML2803TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 910mA, 10V
Power Dissipation (Max): 540mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 85 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 910mA, 10V
Power Dissipation (Max): 540mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 85 pF @ 25 V
на замовлення 367293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 34.02 грн |
| 16+ | 19.81 грн |
| 100+ | 12.48 грн |
| 500+ | 8.72 грн |
| 1000+ | 7.75 грн |
| IRLML2803TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLML2803TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 850 mA, 0.25 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 850mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IRLML2803TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 850 mA, 0.25 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 850mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 211738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 23+ | 37.00 грн |
| 50+ | 18.71 грн |
| 250+ | 13.95 грн |
| 1000+ | 8.69 грн |
| 3000+ | 6.20 грн |
| IRLML2803TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH Si 30V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 404+ | 37.99 грн |
| IRLML2803TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 30V 1.2A 250mOhm 3.3nC LogLvl
MOSFETs MOSFT 30V 1.2A 250mOhm 3.3nC LogLvl
на замовлення 814545 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 44.47 грн |
| 11+ | 30.49 грн |
| 100+ | 16.74 грн |
| 500+ | 10.55 грн |
| 1000+ | 9.21 грн |
| 3000+ | 8.09 грн |
| 6000+ | 6.89 грн |
| IRLML2803TRPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier/Infineon
N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 1,2 А, Ptot, Вт = 0,54, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 85 @ 25, Qg, нКл = 5 @ 10 В, Rds = 250 мОм @ 910 мА, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 1,2 А, Ptot, Вт = 0,54, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 85 @ 25, Qg, нКл = 5 @ 10 В, Rds = 250 мОм @ 910 мА, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 31 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 5.89 грн |
| IRLML2803TRPBF |
![]() |
IRLML2803TRPBF Транзисторы Прочие
на замовлення 10 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
| IRLML2803TRPBF |
![]() |
IRLML2803TRPBF Транзисторы Прочие
на замовлення 10 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
З цим товаром купують
| 47uF 10V size-B 10% (TAJB476K010RNJ-AVX) (конденсатор танталовий SMD) Код товару: 17877
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: AVX
Конденсатори > Танталові SMD конденсатори
Ємність: 47 µF
Номін.напруга: 10 V
Точність: ±10%
Типорозмір: Size-B
Конденсатори > Танталові SMD конденсатори
Ємність: 47 µF
Номін.напруга: 10 V
Точність: ±10%
Типорозмір: Size-B
у наявності: 3753 шт
3509 шт - склад
111 шт - РАДІОМАГ-Київ
43 шт - РАДІОМАГ-Львів
38 шт - РАДІОМАГ-Харків
52 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
111 шт - РАДІОМАГ-Київ
43 шт - РАДІОМАГ-Львів
38 шт - РАДІОМАГ-Харків
52 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 6.50 грн |
| 10+ | 5.40 грн |
| 100+ | 4.70 грн |
| IRF4905PBF Код товару: 22366
15
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Id,A: 74 A
Rds(on),Om: 0,02 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3400/180
Монтаж: THT
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Id,A: 74 A
Rds(on),Om: 0,02 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3400/180
Монтаж: THT
товару немає в наявності
очікується:
2000 шт
2000 шт - очікується 20.06.2026
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 48.50 грн |
| 10+ | 43.60 грн |
| 100+ | 39.50 грн |
| IRLML5103TR (SOT-23, Infineon) Код товару: 157424
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Infineon
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 30 V
Id,A: 0,76 A
Rds(on),Om: 0,6 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 75/3,4
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 30 V
Id,A: 0,76 A
Rds(on),Om: 0,6 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 75/3,4
Монтаж: SMD
у наявності: 1219 шт
1108 шт - склад
80 шт - РАДІОМАГ-Київ
15 шт - РАДІОМАГ-Львів
16 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
80 шт - РАДІОМАГ-Київ
15 шт - РАДІОМАГ-Львів
16 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 4.00 грн |
| 10+ | 3.60 грн |
| 100+ | 3.30 грн |
| IRLML6402TRPBF Код товару: 27968
7
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 20 V
Id,A: 3,7 A
Rds(on),Om: 0,065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 633/8
Примітка : Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 20 V
Id,A: 3,7 A
Rds(on),Om: 0,065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 633/8
Примітка : Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 7865 шт
6154 шт - склад
82 шт - РАДІОМАГ-Київ
334 шт - РАДІОМАГ-Львів
928 шт - РАДІОМАГ-Харків
367 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
82 шт - РАДІОМАГ-Київ
334 шт - РАДІОМАГ-Львів
928 шт - РАДІОМАГ-Харків
367 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 9.00 грн |
| 10+ | 8.00 грн |
| 100+ | 7.20 грн |
| 1000+ | 6.50 грн |
| 10 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-0710KL /Yageo) Код товару: 82544
4
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Yageo
SMD резистори > 0805
Номінал: 10 kOhm
Точність: ±1% F
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
SMD резистори > 0805
Номінал: 10 kOhm
Точність: ±1% F
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
у наявності: 279941 шт
247990 шт - склад
14651 шт - РАДІОМАГ-Київ
9700 шт - РАДІОМАГ-Львів
300 шт - РАДІОМАГ-Харків
7300 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
14651 шт - РАДІОМАГ-Київ
9700 шт - РАДІОМАГ-Львів
300 шт - РАДІОМАГ-Харків
7300 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 0.30 грн |
| 1000+ | 0.22 грн |
| 10000+ | 0.16 грн |










