IRLML2803TRPBF
Код товару: 27051
Виробник: IRКорпус: SOT-23
Uds,V: 30 V
Idd,A: 1,2 A
Rds(on), Ohm: 0,25 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 85/3,3
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності 1343 шт:
1118 шт - склад
30 шт - РАДІОМАГ-Київ
40 шт - РАДІОМАГ-Львів
100 шт - РАДІОМАГ-Харків
55 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 5.00 грн |
| 10+ | 4.50 грн |
| 100+ | 4.10 грн |
| 1000+ | 3.70 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRLML2803TRPBF за ціною від 5.63 грн до 32.28 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRLML2803TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRLML2803TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLML2803TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 850 mA, 0.25 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 850mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 34548 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRLML2803TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 5079 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRLML2803TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRLML2803TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 23179 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRLML2803TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT23Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 910mA, 10V Power Dissipation (Max): 540mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 85 pF @ 25 V |
на замовлення 1845 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRLML2803TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 292 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRLML2803TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT23Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 910mA, 10V Power Dissipation (Max): 540mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 85 pF @ 25 V |
на замовлення 1330 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
| IRLML2803TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLML2803TRPBF - MOSFET, N-KANAL, LOGIK, SOT-23tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 850mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 34548 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IRLML2803TRPBF | Виробник : UMW |
N-Channel 30V 1.2A (Ta) 540mW (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23 |
на замовлення 2800 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||
| IRLML2803TRPBF | Виробник : International Rectifier Corporation |
N-Channel 30V 1.2A (Ta) 540mW (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23 |
на замовлення 450 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||
| IRLML2803TRPBF |
IRLML2803TRPBF Транзисторы Прочие |
на замовлення 10 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|||||||||||||||
| IRLML2803TRPBF |
IRLML2803TRPBF Транзисторы Прочие |
на замовлення 10 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|||||||||||||||
| IRLML2803TRPBF | Виробник : International Rectifier/Infineon |
N-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 1,2 А; Ptot, Вт = 0,54; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 85 @ 25; Qg, нКл = 5 @ 10 В; Rds = 250 мОм @ 910 мА, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА; SOT-23-3 |
на замовлення 207 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
||||||||||||||
|
IRLML2803TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.2A; 0.4W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 1.2A Power dissipation: 0.4W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level On-state resistance: 0.3Ω кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
IRLML2803TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 30V 1.2A 250mOhm 3.3nC LogLvl |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
IRLML2803TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.2A; 0.4W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 1.2A Power dissipation: 0.4W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level On-state resistance: 0.3Ω |
товару немає в наявності |
З цим товаром купують
| 47uF 10V size-B 10% (TAJB476K010RNJ-AVX) (конденсатор танталовий SMD) Код товару: 17877
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: AVX
Конденсатори > Танталові SMD конденсатори
Ємність: 47 µF
Номін.напруга: 10 V
Точність: ±10%
Типорозмір: Size-B
Конденсатори > Танталові SMD конденсатори
Ємність: 47 µF
Номін.напруга: 10 V
Точність: ±10%
Типорозмір: Size-B
у наявності: 4675 шт
4371 шт - склад
121 шт - РАДІОМАГ-Київ
43 шт - РАДІОМАГ-Львів
88 шт - РАДІОМАГ-Харків
52 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
121 шт - РАДІОМАГ-Київ
43 шт - РАДІОМАГ-Львів
88 шт - РАДІОМАГ-Харків
52 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 6.50 грн |
| 10+ | 5.40 грн |
| 100+ | 4.70 грн |
| IRF4905PBF Код товару: 22366
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Id,A: 74 A
Rds(on),Om: 0,02 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3400/180
Монтаж: THT
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Id,A: 74 A
Rds(on),Om: 0,02 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3400/180
Монтаж: THT
у наявності: 1233 шт
1173 шт - склад
28 шт - РАДІОМАГ-Київ
10 шт - РАДІОМАГ-Львів
9 шт - РАДІОМАГ-Харків
13 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
28 шт - РАДІОМАГ-Київ
10 шт - РАДІОМАГ-Львів
9 шт - РАДІОМАГ-Харків
13 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 48.50 грн |
| 10+ | 43.60 грн |
| 100+ | 39.50 грн |
| 2,2uF 50V X5R 10% 0805 (CL21A225KBFNNNE-Samsung) Код товару: 149389
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Samsung
Керамічні SMD конденсатори > 0805
Ємність: 2,2 µF
Номін.напруга: 50 V
Діелектрик: X5R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0805
Керамічні SMD конденсатори > 0805
Ємність: 2,2 µF
Номін.напруга: 50 V
Діелектрик: X5R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0805
у наявності: 18240 шт
18240 шт - склад
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 1.80 грн |
| 100+ | 1.50 грн |
| 1000+ | 1.20 грн |
| IRLML5103TR (SOT-23, Infineon) Код товару: 157424
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Infineon
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 30 V
Id,A: 0,76 A
Rds(on),Om: 0,6 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 75/3,4
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 30 V
Id,A: 0,76 A
Rds(on),Om: 0,6 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 75/3,4
Монтаж: SMD
у наявності: 1644 шт
1483 шт - склад
100 шт - РАДІОМАГ-Київ
15 шт - РАДІОМАГ-Львів
30 шт - РАДІОМАГ-Харків
16 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
100 шт - РАДІОМАГ-Київ
15 шт - РАДІОМАГ-Львів
30 шт - РАДІОМАГ-Харків
16 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 4.00 грн |
| 10+ | 3.60 грн |
| 100+ | 3.30 грн |
| VS-10MQ040NTRPBF Код товару: 36659
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Vishay
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі
Корпус: SMA (DO-214AC)
Зворотня напруга, Vrrm: 40 V
Прямий струм (per leg), If: 1 A
Падіння напруги, Vf: 0,54 V
Монтаж: SMD
Імпульсний струм, Ifsm: 30 A
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі
Корпус: SMA (DO-214AC)
Зворотня напруга, Vrrm: 40 V
Прямий струм (per leg), If: 1 A
Падіння напруги, Vf: 0,54 V
Монтаж: SMD
Імпульсний струм, Ifsm: 30 A
у наявності: 703 шт
508 шт - склад
50 шт - РАДІОМАГ-Київ
50 шт - РАДІОМАГ-Львів
50 шт - РАДІОМАГ-Харків
45 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
50 шт - РАДІОМАГ-Київ
50 шт - РАДІОМАГ-Львів
50 шт - РАДІОМАГ-Харків
45 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 4.50 грн |
| 10+ | 3.90 грн |
| 100+ | 3.20 грн |








