IRLML2803TRPBF
Код товару: 27051
1
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: IR
Корпус: SOT-23
Напруга сток-витік Uds, В: 30 В
Струм стоку Idd, А: 1,2 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,25 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 85/3,3
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 757 шт
- 484 шт - склад
- 88 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 40 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 90 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 55 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 15 шт
- 15 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 5.00 грн |
| 10+ | 4.50 грн |
| 100+ | 4.10 грн |
| 1000+ | 3.70 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRLML2803TRPBF за ціною від 4.94 грн до 37.89 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRLML2803TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT23Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 910mA, 10V Power Dissipation (Max): 540mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 85 pF @ 25 V |
на замовлення 63000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRLML2803TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRLML2803TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 23154 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRLML2803TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 23154 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRLML2803TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.2A; 0.4W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 1.2A Power dissipation: 0.4W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level On-state resistance: 0.3Ω |
на замовлення 18620 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRLML2803TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT23Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 910mA, 10V Power Dissipation (Max): 540mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 85 pF @ 25 V |
на замовлення 63000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRLML2803TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 4039 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRLML2803TRPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 30V 1.2A 250mOhm 3.3nC LogLvl |
на замовлення 734914 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
IRLML2803TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLML2803TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 850 mA, 0.25 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 850mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V Verlustleistung: 400mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm |
на замовлення 188449 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
IRLML2803TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLML2803TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 850 mA, 0.25 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 850mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V Verlustleistung: 400mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm |
на замовлення 188449 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
IRLML2803TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLML2803TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.2 A, 0.25 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V Verlustleistung: 400mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRLML2803TRPBF | International Rectifier/Infineon |
N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 1,2 А, Ptot, Вт = 0,54, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 85 @ 25, Qg, нКл = 5 @ 10 В, Rds = 250 мОм @ 910 мА, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шткількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 31 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
| IRLML2803TRPBF |
IRLML2803TRPBF Транзисторы Прочие |
на замовлення 10 шт: термін постачання 4 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| IRLML2803TRPBF |
IRLML2803TRPBF Транзисторы Прочие |
на замовлення 10 шт: термін постачання 4 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IRLML2803TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 910mA, 10V
Power Dissipation (Max): 540mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 85 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 910mA, 10V
Power Dissipation (Max): 540mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 85 pF @ 25 V
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 6.00 грн |
| 9000+ | 4.94 грн |
| IRLML2803TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH Si 30V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 772+ | 18.33 грн |
| 801+ | 17.66 грн |
| 1000+ | 17.09 грн |
| 2500+ | 15.99 грн |
| 5000+ | 14.41 грн |
| IRLML2803TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH Si 30V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 23154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 35+ | 21.67 грн |
| 50+ | 16.15 грн |
| 100+ | 13.34 грн |
| 500+ | 9.44 грн |
| 3000+ | 5.67 грн |
| IRLML2803TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH Si 30V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 23154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 653+ | 21.67 грн |
| 876+ | 16.15 грн |
| 1061+ | 13.34 грн |
| 1446+ | 9.44 грн |
| 3000+ | 5.67 грн |
| IRLML2803TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.2A; 0.4W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
On-state resistance: 0.3Ω
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.2A; 0.4W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
On-state resistance: 0.3Ω
на замовлення 18620 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 17+ | 28.32 грн |
| 23+ | 18.66 грн |
| 50+ | 12.56 грн |
| 100+ | 10.52 грн |
| 250+ | 8.57 грн |
| 500+ | 7.38 грн |
| 1000+ | 6.53 грн |
| 3000+ | 5.60 грн |
| 6000+ | 5.18 грн |
| IRLML2803TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 910mA, 10V
Power Dissipation (Max): 540mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 85 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 910mA, 10V
Power Dissipation (Max): 540mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 85 pF @ 25 V
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 12+ | 28.55 грн |
| 19+ | 16.57 грн |
| 50+ | 11.94 грн |
| 100+ | 9.78 грн |
| 500+ | 7.27 грн |
| IRLML2803TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH Si 30V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4039 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 404+ | 37.89 грн |
| IRLML2803TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 30V 1.2A 250mOhm 3.3nC LogLvl
MOSFETs MOSFT 30V 1.2A 250mOhm 3.3nC LogLvl
на замовлення 734914 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IRLML2803TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLML2803TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 850 mA, 0.25 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 850mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
Description: INFINEON - IRLML2803TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 850 mA, 0.25 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 850mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
на замовлення 188449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRLML2803TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLML2803TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 850 mA, 0.25 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 850mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
Description: INFINEON - IRLML2803TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 850 mA, 0.25 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 850mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
на замовлення 188449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRLML2803TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLML2803TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.2 A, 0.25 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
Description: INFINEON - IRLML2803TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.2 A, 0.25 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRLML2803TRPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier/Infineon
N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 1,2 А, Ptot, Вт = 0,54, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 85 @ 25, Qg, нКл = 5 @ 10 В, Rds = 250 мОм @ 910 мА, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 1,2 А, Ptot, Вт = 0,54, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 85 @ 25, Qg, нКл = 5 @ 10 В, Rds = 250 мОм @ 910 мА, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 31 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 5.89 грн |
| IRLML2803TRPBF |
![]() |
IRLML2803TRPBF Транзисторы Прочие
на замовлення 10 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
| IRLML2803TRPBF |
![]() |
IRLML2803TRPBF Транзисторы Прочие
на замовлення 10 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
З цим товаром купують
| 47uF 10V size-B 10% (TAJB476K010RNJ-AVX) (конденсатор танталовий SMD) Код товару: 17877
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: AVX
Конденсатори > Танталові SMD конденсатори
Ємність: 47 мкФ
Номінальна напруга: 10 В
Точність: ±10%
Типорозмір: Size-B
УКТЗЕД: 8532 21 00 00
Конденсатори > Танталові SMD конденсатори
Ємність: 47 мкФ
Номінальна напруга: 10 В
Точність: ±10%
Типорозмір: Size-B
УКТЗЕД: 8532 21 00 00
у наявності: 4387 шт
- 4145 шт - склад
- 111 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 43 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 38 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 50 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 6.50 грн |
| 10+ | 5.40 грн |
| 100+ | 4.70 грн |
| IRF4905PBF Код товару: 22366
17
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Id, А: 74 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,02 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 3400/180
Монтаж: THT
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Id, А: 74 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,02 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 3400/180
Монтаж: THT
у наявності: 1636 шт
- 1526 шт - склад
- 62 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 24 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 24 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 48.50 грн |
| 10+ | 43.60 грн |
| 100+ | 39.50 грн |
| IRLML5103TR (SOT-23, Infineon) Код товару: 157424
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Infineon
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Напруга сток-витік Uds, В: 30 В
Струм стоку Id, А: 0,76 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,6 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 75/3,4
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Напруга сток-витік Uds, В: 30 В
Струм стоку Id, А: 0,76 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,6 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 75/3,4
Монтаж: SMD
у наявності: 1219 шт
- 1108 шт - склад
- 80 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 15 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 16 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 50 шт
- 50 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 4.00 грн |
| 10+ | 3.60 грн |
| 100+ | 3.30 грн |
| VS-10MQ040NTRPBF Код товару: 36659
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Vishay
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі
Корпус: SMA (DO-214AC)
Зворотна напруга Vrrm, В: 40 В
Прямий струм (per leg) If, А: 1 А
Падіння напруги Vf, В: 0,54 В
Монтаж: SMD
Імпульсний струм Ifsm, А: 30 А
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі
Корпус: SMA (DO-214AC)
Зворотна напруга Vrrm, В: 40 В
Прямий струм (per leg) If, А: 1 А
Падіння напруги Vf, В: 0,54 В
Монтаж: SMD
Імпульсний струм Ifsm, А: 30 А
у наявності: 582 шт
- 412 шт - склад
- 50 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 25 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 50 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 45 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 4.50 грн |
| 10+ | 3.90 грн |
| 100+ | 3.20 грн |
| 2,2uF 50V X5R 10% 0805 (CL21A225KBFNNNE-Samsung) Код товару: 149389
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Samsung
Керамічні SMD конденсатори > 0805
Ємність: 2,2 мкФ
Номін. напруга: 50 В
Діелектрик: X5R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0805
Керамічні SMD конденсатори > 0805
Ємність: 2,2 мкФ
Номін. напруга: 50 В
Діелектрик: X5R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0805
у наявності: 19600 шт
- 19600 шт - склад
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 2.50 грн |
| 100+ | 2.00 грн |
| 1000+ | 1.70 грн |











