Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRLML5103TRPBF
IRLML5103TRPBF

IRLML5103TRPBF Infineon Technologies

irlml5103.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.76A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 867000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRLML5103TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRLML5103TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 600 mA, 0.6 ohm, µSOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 600mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 540mW, Bauform - Transistor: µSOIC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IRLML5103TRPBF за ціною від 4.23 грн до 52.18 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRLML5103TRPBF IRLML5103TRPBF Infineon Technologies irlml5103.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.76A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 867000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML5103TRPBF IRLML5103TRPBF Infineon Technologies infineon-irlml5103-datasheet-en.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 760MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 760mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 540mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75 pF @ 25 V
на замовлення 132000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.22 грн
6000+7.18 грн
9000+6.80 грн
15000+5.98 грн
21000+5.75 грн
30000+5.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML5103TRPBF IRLML5103TRPBF Infineon Technologies irlml5103.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.76A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 564166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4127+8.55 грн
10000+7.62 грн
100000+6.39 грн
Мінімальне замовлення: 4127
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML5103TRPBF IRLML5103TRPBF Infineon Technologies irlml5103.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.76A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 558000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4127+8.55 грн
10000+7.62 грн
100000+6.39 грн
Мінімальне замовлення: 4127
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML5103TRPBF IRLML5103TRPBF INFINEON INFN-S-A0012905713-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLML5103TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 600 mA, 0.6 ohm, µSOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 540mW
Bauform - Transistor: µSOIC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 15011 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+15.42 грн
500+10.74 грн
1000+8.86 грн
5000+6.77 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML5103TRPBF IRLML5103TRPBF Infineon Technologies irlml5103.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.76A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2053 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+18.67 грн
84+8.98 грн
118+6.43 грн
500+5.06 грн
1000+4.23 грн
Мінімальне замовлення: 41
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML5103TRPBF IRLML5103TRPBF Infineon Technologies irlml5103.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.76A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 26726 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
660+21.39 грн
921+15.33 грн
1129+12.50 грн
1276+10.67 грн
3000+5.93 грн
Мінімальне замовлення: 660
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML5103TRPBF IRLML5103TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlml5103pbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.61A; 0.54W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -0.61A
Power dissipation: 0.54W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Kind of package: reel
на замовлення 4075 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
16+29.17 грн
22+19.30 грн
100+11.00 грн
500+7.70 грн
1000+6.69 грн
3000+5.67 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML5103TRPBF IRLML5103TRPBF Infineon Technologies infineon-irlml5103-datasheet-en.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 760MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 760mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 540mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75 pF @ 25 V
на замовлення 133001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.98 грн
14+22.32 грн
100+14.09 грн
500+9.89 грн
1000+8.80 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML5103TRPBF IRLML5103TRPBF INFINEON INFN-S-A0012905713-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLML5103TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 600 mA, 0.6 ohm, µSOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 540mW
Bauform - Transistor: µSOIC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 15011 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+39.96 грн
36+22.89 грн
100+15.42 грн
500+10.74 грн
1000+8.86 грн
5000+6.77 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML5103TRPBF IRLML5103TRPBF Infineon Technologies irlml5103.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.76A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5916 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
374+44.26 грн
Мінімальне замовлення: 374
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML5103TRPBF IRLML5103TRPBF Infineon Technologies Infineon-IRLML5103-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs MOSFT P-Ch -0.61A 600mOhm 3.4nC LogLvl
на замовлення 94983 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+52.18 грн
10+35.91 грн
100+19.69 грн
500+12.24 грн
1000+9.00 грн
3000+8.02 грн
6000+6.89 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML5103TRPBF IRLML5103TRPBF Infineon Technologies irlml5103.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.76A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML5103TRPBF International Rectifier/Infineon irlml5103pbf.pdf P-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 760 мА, Ptot, Вт = 0,54, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 75 @ 25, Qg, нКл = 5.1 @ 10 В, Rds = 600 мОм @ 600 мА, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-23 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 1538 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
3000+4.87 грн
Мінімальне замовлення: 1538
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML5103TRPBF KLS infineon-irlml5103-datasheet-en.pdf P-Channel 30V 760mA (Ta) 540mW (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23 Транзистори
на замовлення 3252 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
38+8.42 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML5103TRPBF irlml5103.pdf
IRLML5103TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.76A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 867000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML5103TRPBF infineon-irlml5103-datasheet-en.pdf
IRLML5103TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 30V 760MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 760mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 540mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75 pF @ 25 V
на замовлення 132000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.22 грн
6000+7.18 грн
9000+6.80 грн
15000+5.98 грн
21000+5.75 грн
30000+5.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML5103TRPBF irlml5103.pdf
IRLML5103TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.76A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 564166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4127+8.55 грн
10000+7.62 грн
100000+6.39 грн
Мінімальне замовлення: 4127
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML5103TRPBF irlml5103.pdf
IRLML5103TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.76A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 558000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4127+8.55 грн
10000+7.62 грн
100000+6.39 грн
Мінімальне замовлення: 4127
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML5103TRPBF INFN-S-A0012905713-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLML5103TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLML5103TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 600 mA, 0.6 ohm, µSOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 540mW
Bauform - Transistor: µSOIC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 15011 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+15.42 грн
500+10.74 грн
1000+8.86 грн
5000+6.77 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML5103TRPBF irlml5103.pdf
IRLML5103TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.76A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2053 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
41+18.67 грн
84+8.98 грн
118+6.43 грн
500+5.06 грн
1000+4.23 грн
Мінімальне замовлення: 41
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML5103TRPBF irlml5103.pdf
IRLML5103TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.76A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 26726 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
660+21.39 грн
921+15.33 грн
1129+12.50 грн
1276+10.67 грн
3000+5.93 грн
Мінімальне замовлення: 660
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML5103TRPBF irlml5103pbf.pdf
IRLML5103TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.61A; 0.54W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -0.61A
Power dissipation: 0.54W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Kind of package: reel
на замовлення 4075 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
16+29.17 грн
22+19.30 грн
100+11.00 грн
500+7.70 грн
1000+6.69 грн
3000+5.67 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML5103TRPBF infineon-irlml5103-datasheet-en.pdf
IRLML5103TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 30V 760MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 760mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 540mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75 pF @ 25 V
на замовлення 133001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+37.98 грн
14+22.32 грн
100+14.09 грн
500+9.89 грн
1000+8.80 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML5103TRPBF INFN-S-A0012905713-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLML5103TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLML5103TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 600 mA, 0.6 ohm, µSOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 540mW
Bauform - Transistor: µSOIC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 15011 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+39.96 грн
36+22.89 грн
100+15.42 грн
500+10.74 грн
1000+8.86 грн
5000+6.77 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML5103TRPBF irlml5103.pdf
IRLML5103TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.76A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5916 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
374+44.26 грн
Мінімальне замовлення: 374
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML5103TRPBF Infineon-IRLML5103-DataSheet-v01_01-EN.pdf
IRLML5103TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT P-Ch -0.61A 600mOhm 3.4nC LogLvl
на замовлення 94983 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+52.18 грн
10+35.91 грн
100+19.69 грн
500+12.24 грн
1000+9.00 грн
3000+8.02 грн
6000+6.89 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML5103TRPBF irlml5103.pdf
IRLML5103TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.76A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML5103TRPBF irlml5103pbf.pdf
Виробник: International Rectifier/Infineon
P-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 760 мА, Ptot, Вт = 0,54, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 75 @ 25, Qg, нКл = 5.1 @ 10 В, Rds = 600 мОм @ 600 мА, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-23 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 1538 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.87 грн
Мінімальне замовлення: 1538
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML5103TRPBF infineon-irlml5103-datasheet-en.pdf
Виробник: KLS
P-Channel 30V 760mA (Ta) 540mW (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23 Транзистори
на замовлення 3252 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
Кількість Ціна
38+8.42 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.