IRLML5103TRPBF Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 30V 760MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 760mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 540mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75 pF @ 25 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 8.05 грн |
| 6000+ | 7.03 грн |
| 9000+ | 6.66 грн |
| 15000+ | 5.86 грн |
| 21000+ | 5.63 грн |
| 30000+ | 5.41 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRLML5103TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRLML5103TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 600 mA, 0.6 ohm, µSOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 600mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, Verlustleistung: 540mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: µSOIC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm.
Інші пропозиції IRLML5103TRPBF за ціною від 4.87 грн до 46.30 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRLML5103TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.76A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 564166 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRLML5103TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.76A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 558000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRLML5103TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.76A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRLML5103TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.76A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRLML5103TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.76A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 855000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRLML5103TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.76A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 855000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRLML5103TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.76A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 26726 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRLML5103TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.76A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 26726 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRLML5103TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.61A; 0.54W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -0.61A Power dissipation: 0.54W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level |
на замовлення 2851 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRLML5103TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 30V 760MA SOT23Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 760mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 600mA, 10V Power Dissipation (Max): 540mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75 pF @ 25 V |
на замовлення 130377 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRLML5103TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.76A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 5916 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRLML5103TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.76A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2053 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRLML5103TRPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT P-Ch -0.61A 600mOhm 3.4nC LogLvl |
на замовлення 66862 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
IRLML5103TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.76A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
IRLML5103TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLML5103TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 600 mA, 0.6 ohm, µSOIC, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 600mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V Verlustleistung: 540mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: µSOIC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm |
на замовлення 13946 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
IRLML5103TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLML5103TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 600 mA, 0.6 ohm, µSOIC, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 600mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V Verlustleistung: 540mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: µSOIC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm |
на замовлення 13946 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRLML5103TRPBF | International Rectifier/Infineon |
P-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 760 мА, Ptot, Вт = 0,54, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 75 @ 25, Qg, нКл = 5.1 @ 10 В, Rds = 600 мОм @ 600 мА, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-23 Од. вим: шткількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 1538 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IRLML5103TRPBF | KLS |
P-Channel 30V 760mA (Ta) 540mW (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23 Транзистори |
на замовлення 3252 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
|
| IRLML5103TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.76A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.76A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 564166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4127+ | 8.57 грн |
| 10000+ | 7.64 грн |
| 100000+ | 6.40 грн |
| IRLML5103TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.76A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.76A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 558000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4127+ | 8.57 грн |
| 10000+ | 7.64 грн |
| 100000+ | 6.40 грн |
| IRLML5103TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.76A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.76A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 9.77 грн |
| IRLML5103TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.76A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.76A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 9.77 грн |
| IRLML5103TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.76A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.76A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 855000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 9.97 грн |
| 6000+ | 9.03 грн |
| 9000+ | 8.56 грн |
| 15000+ | 7.74 грн |
| 21000+ | 6.89 грн |
| 30000+ | 6.34 грн |
| IRLML5103TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.76A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.76A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 855000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 10.01 грн |
| 6000+ | 9.08 грн |
| 9000+ | 8.61 грн |
| 15000+ | 7.77 грн |
| 21000+ | 6.92 грн |
| 30000+ | 6.38 грн |
| IRLML5103TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.76A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.76A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 26726 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 36+ | 21.46 грн |
| 100+ | 16.27 грн |
| 500+ | 12.58 грн |
| 1000+ | 10.73 грн |
| 3000+ | 5.85 грн |
| IRLML5103TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.76A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.76A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 26726 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 660+ | 21.46 грн |
| 870+ | 16.27 грн |
| 1125+ | 12.58 грн |
| 1272+ | 10.73 грн |
| 3000+ | 5.85 грн |
| IRLML5103TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.61A; 0.54W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -0.61A
Power dissipation: 0.54W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.61A; 0.54W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -0.61A
Power dissipation: 0.54W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 2851 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 15+ | 30.36 грн |
| 21+ | 20.15 грн |
| 100+ | 11.36 грн |
| 500+ | 7.96 грн |
| 1000+ | 6.96 грн |
| IRLML5103TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 30V 760MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 760mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 540mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 30V 760MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 760mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 540mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75 pF @ 25 V
на замовлення 130377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 37.20 грн |
| 14+ | 21.86 грн |
| 100+ | 13.80 грн |
| 500+ | 9.68 грн |
| 1000+ | 8.62 грн |
| IRLML5103TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.76A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.76A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5916 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 374+ | 44.35 грн |
| IRLML5103TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.76A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.76A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2053 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 17+ | 46.30 грн |
| 27+ | 28.26 грн |
| 100+ | 17.83 грн |
| 500+ | 12.85 грн |
| 1000+ | 10.60 грн |
| IRLML5103TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT P-Ch -0.61A 600mOhm 3.4nC LogLvl
MOSFETs MOSFT P-Ch -0.61A 600mOhm 3.4nC LogLvl
на замовлення 66862 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IRLML5103TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.76A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.76A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRLML5103TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLML5103TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 600 mA, 0.6 ohm, µSOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 540mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: µSOIC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
Description: INFINEON - IRLML5103TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 600 mA, 0.6 ohm, µSOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 540mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: µSOIC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
на замовлення 13946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRLML5103TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLML5103TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 600 mA, 0.6 ohm, µSOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 540mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: µSOIC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
Description: INFINEON - IRLML5103TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 600 mA, 0.6 ohm, µSOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 540mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: µSOIC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
на замовлення 13946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRLML5103TRPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier/Infineon
P-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 760 мА, Ptot, Вт = 0,54, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 75 @ 25, Qg, нКл = 5.1 @ 10 В, Rds = 600 мОм @ 600 мА, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-23 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
P-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 760 мА, Ptot, Вт = 0,54, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 75 @ 25, Qg, нКл = 5.1 @ 10 В, Rds = 600 мОм @ 600 мА, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-23 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 1538 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 4.87 грн |
| IRLML5103TRPBF |
![]() |
Виробник: KLS
P-Channel 30V 760mA (Ta) 540mW (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23 Транзистори
P-Channel 30V 760mA (Ta) 540mW (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23 Транзистори
на замовлення 3252 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 38+ | 8.35 грн |






