IRLML5103TRPBF Infineon Technologies
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 6.31 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRLML5103TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRLML5103TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 600 mA, 0.6 ohm, µSOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 600mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 540mW, Bauform - Transistor: µSOIC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції IRLML5103TRPBF за ціною від 4.18 грн до 39.24 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRLML5103TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET P-CH 30V 760MA SOT23Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 760mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 600mA, 10V Power Dissipation (Max): 540mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75 pF @ 25 V |
на замовлення 135000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRLML5103TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.76A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 572266 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRLML5103TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.76A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 558000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRLML5103TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.76A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 816000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRLML5103TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.76A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 26726 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRLML5103TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLML5103TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 600 mA, 0.6 ohm, µSOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 600mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 540mW Bauform - Transistor: µSOIC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 10559 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRLML5103TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.76A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2053 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRLML5103TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.76A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 5916 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRLML5103TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.61A; 0.54W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -0.61A Power dissipation: 0.54W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level Kind of package: reel |
на замовлення 4081 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRLML5103TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 30V 760MA SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 760mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 600mA, 10V Power Dissipation (Max): 540mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75 pF @ 25 V |
на замовлення 135637 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRLML5103TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT P-Ch -0.61A 600mOhm 3.4nC LogLvl |
на замовлення 97991 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRLML5103TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLML5103TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 600 mA, 0.6 ohm, µSOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 600mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 540mW Bauform - Transistor: µSOIC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 10559 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRLML5103TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.76A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| IRLML5103TRPBF | Виробник : International Rectifier/Infineon |
P-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 760 мА, Ptot, Вт = 0,54, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 75 @ 25, Qg, нКл = 5.1 @ 10 В, Rds = 600 мОм @ 600 мА, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: SOT-23 Од. кількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 1538 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IRLML5103TRPBF | Виробник : KLS |
P-Channel 30V 760mA (Ta) 540mW (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
на замовлення 3372 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
IRLML5103TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.76A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |