IRLML5103TRPBF

IRLML5103TRPBF Infineon Technologies


irlml5103.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.76A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 174000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRLML5103TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRLML5103TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 600 mA, 0.6 ohm, µSOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 600mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 540mW, Bauform - Transistor: µSOIC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRLML5103TRPBF за ціною від 3.77 грн до 27.43 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRLML5103TRPBF IRLML5103TRPBF Виробник : Infineon Technologies irlml5103.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.76A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1463 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
75+4.75 грн
Мінімальне замовлення: 75
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML5103TRPBF IRLML5103TRPBF Виробник : Infineon Technologies irlml5103pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535668505d2617 Description: MOSFET P-CH 30V 760MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 760mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 540mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75 pF @ 25 V
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.33 грн
6000+5.67 грн
9000+4.61 грн
15000+4.29 грн
21000+4.26 грн
30000+4.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML5103TRPBF IRLML5103TRPBF Виробник : Infineon Technologies irlml5103.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.76A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 144000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML5103TRPBF IRLML5103TRPBF Виробник : Infineon Technologies irlml5103.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.76A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 144000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.33 грн
6000+6.49 грн
9000+5.78 грн
15000+5.04 грн
21000+4.00 грн
24000+3.80 грн
30000+3.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML5103TRPBF IRLML5103TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012905713-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLML5103TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 600 mA, 0.6 ohm, µSOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 540mW
Bauform - Transistor: µSOIC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 22570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+12.27 грн
500+10.06 грн
1000+8.13 грн
5000+6.17 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML5103TRPBF IRLML5103TRPBF Виробник : Infineon Technologies irlml5103.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.76A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
709+17.25 грн
736+16.63 грн
1000+16.09 грн
2500+15.06 грн
5000+13.56 грн
Мінімальне замовлення: 709
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML5103TRPBF IRLML5103TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227BBBCDDD51F1A303005056AB0C4F&compId=irlml5103pbf.pdf?ci_sign=d05fc47b1999adccea3e17a03d7050a4a06178d1 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.61A; 0.54W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -0.61A
Power dissipation: 0.54W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Kind of package: reel
на замовлення 114 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
19+22.86 грн
28+14.23 грн
50+10.69 грн
100+9.51 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML5103TRPBF IRLML5103TRPBF Виробник : Infineon Technologies irlml5103pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535668505d2617 Description: MOSFET P-CH 30V 760MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 760mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 540mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75 pF @ 25 V
на замовлення 36394 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+23.67 грн
23+14.23 грн
100+10.35 грн
500+8.18 грн
1000+7.29 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML5103TRPBF IRLML5103TRPBF Виробник : Infineon Technologies irlml5103.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.76A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
28+25.63 грн
44+16.10 грн
46+15.50 грн
50+14.66 грн
100+10.19 грн
250+9.44 грн
500+8.33 грн
1000+4.38 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML5103TRPBF IRLML5103TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRLML5103_DataSheet_v01_01_EN-3363620.pdf MOSFETs MOSFT P-Ch -0.61A 600mOhm 3.4nC LogLvl
на замовлення 15185 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+25.71 грн
23+15.71 грн
100+9.96 грн
500+8.30 грн
1000+7.24 грн
3000+5.81 грн
6000+5.43 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML5103TRPBF IRLML5103TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012905713-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLML5103TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 600 mA, 0.6 ohm, µSOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 540mW
Bauform - Transistor: µSOIC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 22570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
32+26.75 грн
51+16.85 грн
100+12.27 грн
500+10.06 грн
1000+8.13 грн
5000+6.17 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML5103TRPBF IRLML5103TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227BBBCDDD51F1A303005056AB0C4F&compId=irlml5103pbf.pdf?ci_sign=d05fc47b1999adccea3e17a03d7050a4a06178d1 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.61A; 0.54W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -0.61A
Power dissipation: 0.54W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Kind of package: reel
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 114 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
12+27.43 грн
17+17.73 грн
50+12.83 грн
100+11.41 грн
171+6.51 грн
470+6.13 грн
6000+6.04 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML5103TRPBF IRLML5103TRPBF Виробник : Infineon Technologies irlml5103.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.76A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML5103TRPBF Виробник : International Rectifier Corporation irlml5103pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535668505d2617 P-Channel 30V 760mA (Ta) 540mW (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23
на замовлення 50 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML5103TRPBF Виробник : International Rectifier/Infineon irlml5103pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535668505d2617 P-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 760 мА; Ptot, Вт = 0,54; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 75 @ 25; Qg, нКл = 5.1 @ 10 В; Rds = 600 мОм @ 600 мА, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА; SOT-23
на замовлення 1218 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML5103TRPBF Виробник : Ningbo KLS electronic co.,ltd irlml5103pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535668505d2617 P-Channel 30V 760mA (Ta) 540mW (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23
на замовлення 4012 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML5103TRPBF Виробник : Infineon Technologies irlml5103.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.76A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML5103TRPBF IRLML5103TRPBF Виробник : Infineon Technologies irlml5103.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.76A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.