IRLML5203TRPBF Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 30V 3A MICRO3/SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 8.61 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRLML5203TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRLML5203TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3 A, 0.098 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.25W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.098ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції IRLML5203TRPBF за ціною від 6.15 грн до 45.16 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRLML5203TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 17675 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLML5203TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 325951 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLML5203TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1136 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLML5203TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3A; 1.25W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -3A Power dissipation: 1.25W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level |
на замовлення 1035 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLML5203TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLML5203TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3 A, 0.098 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.098ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 39 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLML5203TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 30V 3A MICRO3/SOT23Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V |
на замовлення 5739 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLML5203TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1136 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLML5203TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLML5203TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3 A, 0.098 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.098ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 39 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRLML5203TRPBF | HXY MOSFET |
MOSFET P-CH 30V 3A SOT-23 Транзистори |
на замовлення 14 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IRLML5203TRPBF |
MOSFET 30V 3A (24A pulse), P Channel SOT-23-3 |
на замовлення 239 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IRLML5203TRPBF |
IRLML5203TRPBF Транзисторы HEXFET |
на замовлення 107 шт: термін постачання 4 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLML5203TRPBF |
|
на замовлення 20790 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IRLML5203TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 30V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH Si 30V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 17675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 665+ | 21.23 грн |
| 690+ | 20.47 грн |
| 1000+ | 19.80 грн |
| 2500+ | 18.53 грн |
| 5000+ | 16.70 грн |
| 10000+ | 15.64 грн |
| IRLML5203TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 30V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH Si 30V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 325951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 559+ | 25.25 грн |
| 831+ | 16.99 грн |
| 1110+ | 12.72 грн |
| 1169+ | 11.65 грн |
| 3000+ | 8.17 грн |
| 6000+ | 6.94 грн |
| 9000+ | 6.15 грн |
| IRLML5203TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 30V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH Si 30V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 546+ | 25.89 грн |
| 887+ | 15.93 грн |
| 895+ | 15.77 грн |
| 1115+ | 12.21 грн |
| IRLML5203TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 1035 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 16+ | 30.08 грн |
| 22+ | 19.55 грн |
| 50+ | 13.04 грн |
| 100+ | 10.92 грн |
| 250+ | 8.80 грн |
| 500+ | 7.70 грн |
| 1000+ | 6.77 грн |
| IRLML5203TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLML5203TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3 A, 0.098 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.098ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IRLML5203TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3 A, 0.098 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.098ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 22+ | 39.05 грн |
| IRLML5203TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 30V 3A MICRO3/SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 30V 3A MICRO3/SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
на замовлення 5739 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 39.56 грн |
| 14+ | 23.24 грн |
| 100+ | 14.72 грн |
| 500+ | 10.34 грн |
| 1000+ | 9.22 грн |
| IRLML5203TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 30V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH Si 30V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 17+ | 45.16 грн |
| 29+ | 26.15 грн |
| 30+ | 25.89 грн |
| 100+ | 15.36 грн |
| 250+ | 14.08 грн |
| 500+ | 10.85 грн |
| 1000+ | 6.37 грн |
| IRLML5203TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLML5203TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3 A, 0.098 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.098ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IRLML5203TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3 A, 0.098 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.098ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| IRLML5203TRPBF |
![]() |
Виробник: HXY MOSFET
MOSFET P-CH 30V 3A SOT-23 Транзистори
MOSFET P-CH 30V 3A SOT-23 Транзистори
на замовлення 14 шт:
термін постачання 5 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 22.29 грн |
| IRLML5203TRPBF |
![]() |
MOSFET 30V 3A (24A pulse), P Channel SOT-23-3
на замовлення 239 шт:
термін постачання 3 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 24.64 грн |
| IRLML5203TRPBF |
![]() |
IRLML5203TRPBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 107 шт:
термін постачання 4 дні (днів)В кошику од. на суму грн.




