IRLML5203TRPBF
Код товару: 25596
Виробник: IRКорпус: SOT-23
Uds,V: 30 V
Id,A: 3 А
Rds(on),Om: 0,098 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 510/9.5
Примітка : Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності 2967 шт:
2623 шт - склад
29 шт - РАДІОМАГ-Київ
133 шт - РАДІОМАГ-Львів
148 шт - РАДІОМАГ-Харків
34 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується 100 шт:
100 шт - очікується
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 4.50 грн |
| 14+ | 3.80 грн |
| 100+ | 3.20 грн |
| 1000+ | 2.90 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRLML5203TRPBF за ціною від 4.65 грн до 34.18 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRLML5203TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRLML5203TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRLML5203TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 5573 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRLML5203TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRLML5203TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 30V 3A MICRO3/SOT23Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V |
на замовлення 8912 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRLML5203TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 11883 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRLML5203TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 325951 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRLML5203TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 4376 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRLML5203TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLML5203TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3 A, 0.098 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.098ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 51759 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRLML5203TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 17695 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRLML5203TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3A; 1.25W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -3A Power dissipation: 1.25W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level |
на замовлення 15133 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRLML5203TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3A; 1.25W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -3A Power dissipation: 1.25W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 15133 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRLML5203TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLML5203TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3 A, 0.098 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.098ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 51759 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRLML5203TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 4376 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRLML5203TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT P-Ch -30V -3A 98mOhm 9.5nC Log Lvl |
на замовлення 55853 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRLML5203TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 30V 3A MICRO3/SOT23Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V |
на замовлення 8912 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| IRLML5203TRPBF |
MOSFET 30V 3A (24A pulse), P Channel SOT-23-3 |
на замовлення 239 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
| IRLML5203TRPBF | Виробник : HXY MOSFET |
MOSFET P-CH 30V 3A SOT-23 |
на замовлення 154 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
| IRLML5203TRPBF |
IRLML5203TRPBF Транзисторы HEXFET |
на замовлення 107 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|||||||||||||||||||||
| IRLML5203TRPBF |
MOSFET P-CH 30V 3A SOT-23 |
на замовлення 36 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
|||||||||||||||||||||
| IRLML5203TRPBF |
|
на замовлення 20790 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
З цим товаром купують
| IRLML0030TRPBF Код товару: 37076
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 30 V
Idd,A: 5,3 A
Rds(on), Ohm: 0,027 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 382/2,6
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 30 V
Idd,A: 5,3 A
Rds(on), Ohm: 0,027 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 382/2,6
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 10537 шт
10274 шт - склад
40 шт - РАДІОМАГ-Київ
80 шт - РАДІОМАГ-Львів
143 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
40 шт - РАДІОМАГ-Київ
80 шт - РАДІОМАГ-Львів
143 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 3.50 грн |
| 17+ | 3.00 грн |
| 100+ | 2.90 грн |
| LTV817S-TA1 [C] Код товару: 31279
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Lite-On
Мікросхеми > Оптрони (оптопари)
Корпус: SMD-4
Тип: Транзистор
Uізол,kV: 5 kV
Iвх/Iвых,mA: 50/50 mA
Uвых,V: 35 V
Ton/Toff,µs: 4/3 µs
Роб.темп.,°С: -30…+110°C
Мікросхеми > Оптрони (оптопари)
Корпус: SMD-4
Тип: Транзистор
Uізол,kV: 5 kV
Iвх/Iвых,mA: 50/50 mA
Uвых,V: 35 V
Ton/Toff,µs: 4/3 µs
Роб.темп.,°С: -30…+110°C
у наявності: 2912 шт
1518 шт - склад
17 шт - РАДІОМАГ-Київ
466 шт - РАДІОМАГ-Львів
470 шт - РАДІОМАГ-Харків
441 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
17 шт - РАДІОМАГ-Київ
466 шт - РАДІОМАГ-Львів
470 шт - РАДІОМАГ-Харків
441 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 6.00 грн |
| 10+ | 5.40 грн |
| 100+ | 4.90 грн |
| 1000+ | 4.40 грн |
| LL4148 Код товару: 2413
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: SEMTECH
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
Корпус: SOD-80
Vrr, V: 100 V
Iav, A: 0,2 A
SMD
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
Корпус: SOD-80
Vrr, V: 100 V
Iav, A: 0,2 A
SMD
у наявності: 30173 шт
22622 шт - склад
1838 шт - РАДІОМАГ-Київ
2251 шт - РАДІОМАГ-Львів
464 шт - РАДІОМАГ-Харків
2998 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1838 шт - РАДІОМАГ-Київ
2251 шт - РАДІОМАГ-Львів
464 шт - РАДІОМАГ-Харків
2998 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 1.00 грн |
| 100+ | 0.50 грн |
| 125+ | 0.40 грн |
| 1000+ | 0.30 грн |
| 10000+ | 0.20 грн |
| BSS84 Код товару: 187507
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
у наявності: 97 шт
52 шт - РАДІОМАГ-Харків
45 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
45 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується:
3000 шт
3000 шт - очікується
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 2.50 грн |
| 24+ | 2.10 грн |
| 100+ | 1.80 грн |
| 1000+ | 1.50 грн |
| BAT54S Код товару: 151482
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: JCST
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі
Корпус: SOT-23
Зворотня напруга, Vrrm: 30 V
Прямий струм (per leg), If: 0,4 A
Падіння напруги, Vf: 0,8 V
Примітка: Конструкція: два діоди в одному корпусі, послідовне включення, струм 0,2 А на діод.
Монтаж: SMD
Імпульсний струм, Ifsm: 0,6 A
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі
Корпус: SOT-23
Зворотня напруга, Vrrm: 30 V
Прямий струм (per leg), If: 0,4 A
Падіння напруги, Vf: 0,8 V
Примітка: Конструкція: два діоди в одному корпусі, послідовне включення, струм 0,2 А на діод.
Монтаж: SMD
Імпульсний струм, Ifsm: 0,6 A
у наявності: 2240 шт
1846 шт - склад
83 шт - РАДІОМАГ-Київ
156 шт - РАДІОМАГ-Львів
155 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
83 шт - РАДІОМАГ-Київ
156 шт - РАДІОМАГ-Львів
155 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 34+ | 1.50 грн |
| 42+ | 1.20 грн |
| 100+ | 0.95 грн |
| 1000+ | 0.72 грн |





![LTV817S-TA1 [C] LTV817S-TA1 [C]](/img/smd-4.jpg)
