IRLML5203TRPBF
Код товару: 25596
Виробник: IRКорпус: SOT-23
Uds,V: 30 V
Id,A: 3 А
Rds(on),Om: 0,098 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 510/9.5
Примітка : Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності 4358 шт:
3949 шт - склад
43 шт - РАДІОМАГ-Київ
143 шт - РАДІОМАГ-Львів
180 шт - РАДІОМАГ-Харків
43 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 4.50 грн |
| 11+ | 3.80 грн |
| 100+ | 3.20 грн |
| 1000+ | 2.90 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRLML5203TRPBF за ціною від 4.46 грн до 33.53 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRLML5203TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRLML5203TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 5573 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRLML5203TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 30V 3A MICRO3/SOT23Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRLML5203TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRLML5203TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRLML5203TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 326161 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRLML5203TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 4476 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRLML5203TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLML5203TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3 A, 0.098 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.098ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 61105 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRLML5203TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 17705 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRLML5203TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3A; 1.25W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -3A Power dissipation: 1.25W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level |
на замовлення 4300 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRLML5203TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3A; 1.25W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -3A Power dissipation: 1.25W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4300 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRLML5203TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT P-Ch -30V -3A 98mOhm 9.5nC Log Lvl |
на замовлення 105271 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRLML5203TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLML5203TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3 A, 0.098 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.098ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 61105 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRLML5203TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 4476 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRLML5203TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 30V 3A MICRO3/SOT23Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V |
на замовлення 22795 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRLML5203TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 999 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| IRLML5203TRPBF |
MOSFET 30V 3A (24A pulse), P Channel SOT-23-3 |
на замовлення 239 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
| IRLML5203TRPBF | Виробник : HXY MOSFET |
MOSFET P-CH 30V 3A SOT-23 |
на замовлення 154 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
| IRLML5203TRPBF |
IRLML5203TRPBF Транзисторы HEXFET |
на замовлення 107 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|||||||||||||||||||||
| IRLML5203TRPBF |
MOSFET P-CH 30V 3A SOT-23 |
на замовлення 36 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
|||||||||||||||||||||
| IRLML5203TRPBF |
|
на замовлення 20790 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
З цим товаром купують
| IRLML0030TRPBF Код товару: 37076
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 30 V
Idd,A: 5,3 A
Rds(on), Ohm: 0,027 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 382/2,6
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 30 V
Idd,A: 5,3 A
Rds(on), Ohm: 0,027 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 382/2,6
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 4230 шт
4026 шт - склад
100 шт - РАДІОМАГ-Київ
90 шт - РАДІОМАГ-Львів
14 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
100 шт - РАДІОМАГ-Київ
90 шт - РАДІОМАГ-Львів
14 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується:
15000 шт
15000 шт - очікується 25.01.2026
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 3.50 грн |
| 14+ | 3.00 грн |
| 100+ | 2.90 грн |
| 680 Ohm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-680R-Hitano) (резистор SMD) Код товару: 4070
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
SMD резистори > 1206
Номінал: 680 Ohm
Точність: ±5% J
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 200 V
Типорозмір: 1206
SMD резистори > 1206
Номінал: 680 Ohm
Точність: ±5% J
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 200 V
Типорозмір: 1206
у наявності: 23153 шт
18062 шт - склад
4814 шт - РАДІОМАГ-Київ
277 шт - РАДІОМАГ-Харків
4814 шт - РАДІОМАГ-Київ
277 шт - РАДІОМАГ-Харків
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 200+ | 0.20 грн |
| 1000+ | 0.15 грн |
| 10000+ | 0.12 грн |
| BC817-40 (транзистор біполярний NPN) Код товару: 17873
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: NXP
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-23
fT: 100 MHz
Uceo,V: 45 V
Ucbo,V: 50 V
Ic,A: 0,5 A
h21: 600
Монтаж: SMD
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-23
fT: 100 MHz
Uceo,V: 45 V
Ucbo,V: 50 V
Ic,A: 0,5 A
h21: 600
Монтаж: SMD
у наявності: 17485 шт
8715 шт - склад
2870 шт - РАДІОМАГ-Київ
3000 шт - РАДІОМАГ-Львів
2900 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
2870 шт - РАДІОМАГ-Київ
3000 шт - РАДІОМАГ-Львів
2900 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 27+ | 1.50 грн |
| 45+ | 0.90 грн |
| 100+ | 0.80 грн |
| 1000+ | 0.60 грн |
| BC847C (транзистор біполярний NPN) Код товару: 1253
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: NXP
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-23
fT: 300 MHz
Uceo,V: 45 V
Ucbo,V: 50 V
Ic,A: 0,1 A
h21: 800
Монтаж: SMD
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-23
fT: 300 MHz
Uceo,V: 45 V
Ucbo,V: 50 V
Ic,A: 0,1 A
h21: 800
Монтаж: SMD
у наявності: 1995 шт
34 шт - РАДІОМАГ-Київ
1425 шт - РАДІОМАГ-Львів
195 шт - РАДІОМАГ-Харків
341 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1425 шт - РАДІОМАГ-Львів
195 шт - РАДІОМАГ-Харків
341 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується:
9000 шт
9000 шт - очікується 25.01.2026
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 27+ | 1.50 грн |
| 45+ | 0.90 грн |
| 100+ | 0.80 грн |
| 1000+ | 0.60 грн |
| 10000+ | 0.50 грн |
| 10 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-0710KL /Yageo) Код товару: 82544
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Yageo
SMD резистори > 0805
Номінал: 10 kOhm
Точність: ±1% F
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
SMD резистори > 0805
Номінал: 10 kOhm
Точність: ±1% F
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
у наявності: 136931 шт
124860 шт - склад
4471 шт - РАДІОМАГ-Київ
2200 шт - РАДІОМАГ-Львів
4200 шт - РАДІОМАГ-Харків
1200 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
4471 шт - РАДІОМАГ-Київ
2200 шт - РАДІОМАГ-Львів
4200 шт - РАДІОМАГ-Харків
1200 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 300+ | 0.15 грн |
| 1000+ | 0.12 грн |
| 10000+ | 0.09 грн |






