IRLML6246TRPBF Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 20V 4.1A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 5µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 16 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 6.48 грн |
| 6000+ | 5.65 грн |
| 9000+ | 5.35 грн |
| 15000+ | 4.70 грн |
| 21000+ | 4.51 грн |
| 30000+ | 4.33 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRLML6246TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRLML6246TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.1 A, 0.046 ohm, TO-236AB (SOT-23), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1.3W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.3W, Bauform - Transistor: TO-236AB (SOT-23), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.03ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції IRLML6246TRPBF за ціною від 4.44 грн до 47.26 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRLML6246TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLML6246TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.1 A, 0.046 ohm, TO-236AB (SOT-23), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1.3W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.3W Bauform - Transistor: TO-236AB (SOT-23) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.03ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2845 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRLML6246TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 20V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 8532 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRLML6246TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.1A; 1.3W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 4.1A Power dissipation: 1.3W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level Gate charge: 3.5nC On-state resistance: 46mΩ Gate-source voltage: ±12V |
на замовлення 6460 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRLML6246TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 20V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 35 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRLML6246TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 20V 4.1A SOT23Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4.1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 5µA Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 16 V |
на замовлення 56749 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRLML6246TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLML6246TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.1 A, 0.046 ohm, TO-236AB (SOT-23), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.3W Bauform - Transistor: TO-236AB (SOT-23) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2845 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRLML6246TRPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 20V 4.1A 46mOhm 2.5V cpbl |
на замовлення 29597 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IRLML6246TRPBF | International Rectifier/Infineon |
N-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 4,1 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 290 @ 16, Qg, нКл = 3,5 @ 4,5 B, Rds = 46 мОм @ 4,1 A, 4,5 B, Ugs(th) = 1,1 @ 5 мкА, Р, Вт = 1,3, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шткількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 190 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
| IRLML6246TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLML6246TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.1 A, 0.046 ohm, TO-236AB (SOT-23), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.3W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: TO-236AB (SOT-23)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.03ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IRLML6246TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.1 A, 0.046 ohm, TO-236AB (SOT-23), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.3W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: TO-236AB (SOT-23)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.03ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 16.33 грн |
| 500+ | 11.35 грн |
| 1000+ | 9.28 грн |
| IRLML6246TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 20V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 590+ | 23.92 грн |
| 953+ | 14.81 грн |
| 1182+ | 11.95 грн |
| 1319+ | 10.32 грн |
| 3000+ | 5.78 грн |
| IRLML6246TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.1A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.1A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 3.5nC
On-state resistance: 46mΩ
Gate-source voltage: ±12V
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.1A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.1A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 3.5nC
On-state resistance: 46mΩ
Gate-source voltage: ±12V
на замовлення 6460 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 18+ | 26.44 грн |
| 26+ | 16.85 грн |
| 31+ | 13.88 грн |
| 100+ | 8.75 грн |
| 200+ | 7.31 грн |
| 500+ | 5.94 грн |
| 1000+ | 5.21 грн |
| 3000+ | 4.44 грн |
| IRLML6246TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 20V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 30.19 грн |
| IRLML6246TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 20V 4.1A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 5µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 16 V
Description: MOSFET N-CH 20V 4.1A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 5µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 16 V
на замовлення 56749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 34.81 грн |
| 15+ | 20.65 грн |
| 100+ | 13.05 грн |
| 500+ | 9.13 грн |
| 1000+ | 8.12 грн |
| IRLML6246TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLML6246TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.1 A, 0.046 ohm, TO-236AB (SOT-23), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: TO-236AB (SOT-23)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IRLML6246TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.1 A, 0.046 ohm, TO-236AB (SOT-23), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: TO-236AB (SOT-23)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 42.34 грн |
| 32+ | 25.84 грн |
| 100+ | 16.33 грн |
| 500+ | 11.35 грн |
| 1000+ | 9.28 грн |
| IRLML6246TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 20V 4.1A 46mOhm 2.5V cpbl
MOSFETs MOSFT 20V 4.1A 46mOhm 2.5V cpbl
на замовлення 29597 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 47.26 грн |
| 10+ | 32.67 грн |
| 100+ | 17.93 грн |
| 500+ | 11.04 грн |
| 1000+ | 8.16 грн |
| 3000+ | 7.24 грн |
| 6000+ | 6.26 грн |
| IRLML6246TRPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier/Infineon
N-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 4,1 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 290 @ 16, Qg, нКл = 3,5 @ 4,5 B, Rds = 46 мОм @ 4,1 A, 4,5 B, Ugs(th) = 1,1 @ 5 мкА, Р, Вт = 1,3, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
N-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 4,1 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 290 @ 16, Qg, нКл = 3,5 @ 4,5 B, Rds = 46 мОм @ 4,1 A, 4,5 B, Ugs(th) = 1,1 @ 5 мкА, Р, Вт = 1,3, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 190 шт:
термін постачання 3 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 5.05 грн |





