IRLML6246TRPBF Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 5.98 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRLML6246TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRLML6246TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.1 A, 0.046 ohm, TO-236AB (SOT-23), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 1.3W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V, Verlustleistung: 1.3W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-236AB (SOT-23), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.03ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm.
Інші пропозиції IRLML6246TRPBF за ціною від 4.95 грн до 50.60 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRLML6246TRPBF | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 20V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 96000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRLML6246TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 20V 4.1A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4.1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 5µA Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 16 V |
на замовлення 69000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRLML6246TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.1A; 1.3W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 4.1A Power dissipation: 1.3W Case: SOT23 On-state resistance: 46mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level Gate charge: 3.5nC Gate-source voltage: ±12V |
на замовлення 4873 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRLML6246TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 20V 4.1A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4.1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 5µA Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 16 V |
на замовлення 74412 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRLML6246TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 20V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 8532 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRLML6246TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 20V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 8532 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRLML6246TRPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 20V 4.1A 46mOhm 2.5V cpbl |
на замовлення 1902 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRLML6246TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 20V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 35 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IRLML6246TRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 20V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 5.98 грн |
| IRLML6246TRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 20V 4.1A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 5µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 16 V
Description: MOSFET N-CH 20V 4.1A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 5µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 16 V
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 7.57 грн |
| 9000+ | 6.26 грн |
| IRLML6246TRPBF |
|
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.1A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.1A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
On-state resistance: 46mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 3.5nC
Gate-source voltage: ±12V
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.1A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.1A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
On-state resistance: 46mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 3.5nC
Gate-source voltage: ±12V
на замовлення 4873 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 14+ | 32.00 грн |
| 28+ | 14.86 грн |
| 30+ | 13.86 грн |
| 100+ | 11.31 грн |
| 180+ | 5.28 грн |
| 495+ | 4.95 грн |
| IRLML6246TRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 20V 4.1A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 5µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 16 V
Description: MOSFET N-CH 20V 4.1A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 5µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 16 V
на замовлення 74412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 34.71 грн |
| 15+ | 20.50 грн |
| 50+ | 14.81 грн |
| 100+ | 12.16 грн |
| 500+ | 9.10 грн |
| IRLML6246TRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 20V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 345+ | 41.28 грн |
| IRLML6246TRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 20V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 18+ | 43.91 грн |
| IRLML6246TRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 20V 4.1A 46mOhm 2.5V cpbl
MOSFETs MOSFT 20V 4.1A 46mOhm 2.5V cpbl
на замовлення 1902 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 50.60 грн |
| 10+ | 34.57 грн |
| 100+ | 19.01 грн |
| 500+ | 11.77 грн |
| 1000+ | 8.70 грн |
| 3000+ | 7.68 грн |
| IRLML6246TRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 20V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)