IRLML6246TRPBF Infineon Technologies
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 4.13 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRLML6246TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRLML6246TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.1 A, 0.046 ohm, TO-236AB (SOT-23), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1.3W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.3W, Bauform - Transistor: TO-236AB (SOT-23), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.03ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції IRLML6246TRPBF за ціною від 4.59 грн до 33.39 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRLML6246TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 20V 4.1A SOT23Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4.1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 5µA Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 16 V |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRLML6246TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 20V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRLML6246TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 20V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRLML6246TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLML6246TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.1 A, 0.046 ohm, TO-236AB (SOT-23), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1.3W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.3W Bauform - Transistor: TO-236AB (SOT-23) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.03ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 5780 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRLML6246TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 20V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 8532 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRLML6246TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 20V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 35 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRLML6246TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 20V 4.1A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4.1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 5µA Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 16 V |
на замовлення 18696 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRLML6246TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLML6246TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.1 A, 0.046 ohm, TO-236AB (SOT-23), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.3W Bauform - Transistor: TO-236AB (SOT-23) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 5780 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRLML6246TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 20V 4.1A 46mOhm 2.5V cpbl |
на замовлення 37405 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRLML6246TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 20V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1402 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
|
|
IRLML6246TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 20V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
IRLML6246TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 20V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
IRLML6246TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.1A; 1.3W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 4.1A Power dissipation: 1.3W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level Gate charge: 3.5nC On-state resistance: 46mΩ Gate-source voltage: ±12V |
товару немає в наявності |