IRLML6246TRPBF Infineon Technologies


irlml6246pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566878f22621
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 20V 4.1A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 5µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 16 V
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+6.34 грн
6000+5.53 грн
9000+5.24 грн
15000+4.60 грн
21000+4.42 грн
30000+4.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRLML6246TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRLML6246TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.1 A, 0.046 ohm, TO-236AB (SOT-23), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 1.3W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V, Verlustleistung: 1.3W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-236AB (SOT-23), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.03ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm.

Інші пропозиції IRLML6246TRPBF за ціною від 4.64 грн до 45.16 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRLML6246TRPBF IRLML6246TRPBF Infineon Technologies infineonirlml6246datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+18.17 грн
500+13.59 грн
1000+12.11 грн
3000+9.86 грн
6000+8.28 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6246TRPBF IRLML6246TRPBF Infineon Technologies infineonirlml6246datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
779+18.17 грн
1041+13.59 грн
1169+12.11 грн
3000+9.86 грн
6000+8.28 грн
Мінімальне замовлення: 779 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6246TRPBF IRLML6246TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlml6246pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.1A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.1A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
On-state resistance: 46mΩ
Gate charge: 3.5nC
Gate-source voltage: ±12V
на замовлення 6455 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
16+28.57 грн
23+18.57 грн
27+15.67 грн
100+10.03 грн
500+6.55 грн
1000+5.80 грн
3000+5.06 грн
6000+4.64 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6246TRPBF IRLML6246TRPBF Infineon Technologies irlml6246pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566878f22621 Description: MOSFET N-CH 20V 4.1A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 5µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 16 V
на замовлення 56749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.10 грн
15+20.22 грн
100+12.78 грн
500+8.94 грн
1000+7.95 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6246TRPBF IRLML6246TRPBF Infineon Technologies infineonirlml6246datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+45.16 грн
27+27.95 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6246TRPBF IRLML6246TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRLML6246_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 20V 4.1A 46mOhm 2.5V cpbl
на замовлення 29281 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6246TRPBF IRLML6246TRPBF INFINEON INFN-S-A0012905778-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLML6246TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.1 A, 0.046 ohm, TO-236AB (SOT-23), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
Verlustleistung: 1.3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-236AB (SOT-23)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
на замовлення 2775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6246TRPBF IRLML6246TRPBF INFINEON INFN-S-A0012905778-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLML6246TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.1 A, 0.046 ohm, TO-236AB (SOT-23), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.3W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
Verlustleistung: 1.3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-236AB (SOT-23)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.03ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
на замовлення 2775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6246TRPBF infineonirlml6246datasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 20V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
42+18.17 грн
500+13.59 грн
1000+12.11 грн
3000+9.86 грн
6000+8.28 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6246TRPBF infineonirlml6246datasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 20V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
779+18.17 грн
1041+13.59 грн
1169+12.11 грн
3000+9.86 грн
6000+8.28 грн
Мінімальне замовлення: 779 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6246TRPBF irlml6246pbf.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.1A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.1A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
On-state resistance: 46mΩ
Gate charge: 3.5nC
Gate-source voltage: ±12V
на замовлення 6455 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+28.57 грн
23+18.57 грн
27+15.67 грн
100+10.03 грн
500+6.55 грн
1000+5.80 грн
3000+5.06 грн
6000+4.64 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6246TRPBF irlml6246pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566878f22621
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 20V 4.1A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 5µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 16 V
на замовлення 56749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+34.10 грн
15+20.22 грн
100+12.78 грн
500+8.94 грн
1000+7.95 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6246TRPBF infineonirlml6246datasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 20V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17+45.16 грн
27+27.95 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6246TRPBF Infineon_IRLML6246_DataSheet_v01_01_EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 20V 4.1A 46mOhm 2.5V cpbl
на замовлення 29281 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6246TRPBF INFN-S-A0012905778-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLML6246TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.1 A, 0.046 ohm, TO-236AB (SOT-23), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
Verlustleistung: 1.3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-236AB (SOT-23)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
на замовлення 2775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6246TRPBF INFN-S-A0012905778-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLML6246TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.1 A, 0.046 ohm, TO-236AB (SOT-23), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.3W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
Verlustleistung: 1.3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-236AB (SOT-23)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.03ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
на замовлення 2775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.