Продукція > UMW > IRLML6302TR

IRLML6302TR UMW


IRLML6302.pdf
Виробник: UMW
Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 110mOhm; 780mA; 540mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6302TR; IRLML6302GTR; SP001574060; SP001550492; IRLML6302TR UMW TIRLML6302 UMW
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+6.95 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRLML6302TR UMW

Description: MOSFET P-CH 20V 780MA SOT-23, Power Dissipation (Max): 540mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 610mA, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 780mA (Ta), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Cut Tape (CT), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 97 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 4.45 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Vgs (Max): ±12V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA.

Інші пропозиції IRLML6302TR

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRLML6302 TR IR
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6302 TR
Виробник: IR
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.