Продукція > UMW > IRLML6302TR

IRLML6302TR UMW

IRLML6302.pdf Виробник: UMW
Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 110mOhm; 780mA; 540mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6302TR; IRLML6302GTR; SP001574060; SP001550492; IRLML6302TR UMW TIRLML6302 UMW
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+6.78 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRLML6302TR UMW

Description: MOSFET P-CH 20V 780MA SOT-23, Packaging: Cut Tape (CT), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 780mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 610mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 540mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 4.45 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 97 pF @ 15 V.

Інші пропозиції IRLML6302TR за ціною від 8.88 грн до 10.01 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRLML6302TR Виробник : IR IRLML6302.pdf Транз. Пол. ММ P-HEXFET SOT23 Udss=-20V; Id=-0,78A; Pdmax=0,54W; Rds=0,6 Ohm
на замовлення 4143 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
33+8.88 грн
Мінімальне замовлення: 33
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6302TR Виробник : Infineon IRLML6302.pdf P-MOSFET 0.62A 20V 0.54W 0.6Ω IRLML6302 TIRLML6302
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+10.01 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6302TR Виробник : Infineon IRLML6302.pdf P-MOSFET 0.62A 20V 0.54W 0.6Ω IRLML6302 TIRLML6302
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+10.01 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6302TR Виробник : Infineon IRLML6302.pdf P-MOSFET 0.62A 20V 0.54W 0.6Ω IRLML6302 TIRLML6302
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+10.01 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6302TR Виробник : Infineon IRLML6302.pdf P-MOSFET 0.62A 20V 0.54W 0.6Ω IRLML6302 TIRLML6302
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 9700 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+10.01 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6302 TR Виробник : IR
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6302TR IRLML6302TR Виробник : Infineon Technologies irlml6302.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 0.78A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6302TR IRLML6302TR Виробник : Infineon Technologies IRLML6302.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 780MA SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 780mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 610mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 540mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 4.45 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 97 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.