IRLML6302GTRPBF Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 20V 780MA SOT23-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 780mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 610mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 540mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 97 pF @ 15 V
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRLML6302GTRPBF Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 20V 780MA SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 780mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 610mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 540mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 97 pF @ 15 V.
Інші пропозиції IRLML6302GTRPBF за ціною від 11.64 грн до 11.64 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRLML6302GTRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 20V 0.78A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 4671 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| IRLML6302GTRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 20V 0.78A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 0.78A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4671 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3040+ | 11.64 грн |



