IRLML6302GTRPBF Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 20V 780MA SOT23-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 780mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 610mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 540mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 97 pF @ 15 V
на замовлення 6817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2427+ | 8.38 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRLML6302GTRPBF Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 20V 780MA SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 780mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 610mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 540mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 97 pF @ 15 V.
Інші пропозиції IRLML6302GTRPBF за ціною від 10.01 грн до 10.01 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRLML6302GTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 20V 0.78A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6690 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
 |
IRLML6302GTRPBF | Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS |
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRLML6302GTRPBF - IRLML6302 20V SINGLE N-CHANNEL LEAD FRE tariffCode: 85423990 euEccn: TBC hazardous: false rohsCompliant: YES productTraceability: No rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
товару немає в наявності |
|||||
|
|
IRLML6302GTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 20V 780MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 780mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 610mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 540mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 97 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |
|||||
|
|
IRLML6302GTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 20V 780MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 780mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 610mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 540mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 97 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |
|||||
 |
IRLML6302GTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET MOSFT P-Ch -0.62A 600mOhm 2.4nC LogLvl |
товару немає в наявності |